Патенты принадлежащие Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" (RU)

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в устройствах измерительной техники. Технический результат - уменьшение продольного размера фотонного кристалла вдоль направления распространения электромагнитной волны до величины, меньшей длины волны основного типа.

Изобретение относится к катализатору для очистки газовых выбросов от оксидов азота и углерода (II), содержащему комплекс переходного металла, нанесенного на носитель из оксида алюминия. При этом в качестве переходного металла выбрано комплексное соединение меди - 3-(2-гидроксибензоил)-2Н-хромен-2-она, раствором которого пропитывают носитель, при следующем содержании компонентов, мас.%: комплексное соединение меди 3-(2-гидроксибензоил)-2Н-хромен-2-она - 0,1-0,3; оксид алюминия - остальное.
Изобретение относится к аналитической химии, конкретно к определению флуниксина в лекарственных препаратах. При осуществлении способа в ацетатно-аммиачный буферный раствор с рН 7.0-7.8 добавляют Твин-80 до концентрации 1·10-2 М, соль тербия Tb3+ до концентрации 1·10-3 М, лекарственный препарат триоктилфосфиноксид до концентрации 1·10-4 М, облучают раствор электромагнитным излучением с длиной волны λвозб=347 нм и по наличию флуоресценции на длине волны λфл=545 нм судят о наличии флуниксина.

Изобретение относится к устройствам обработки и коммутации СВЧ-сигналов на полупроводниковых приборах и предназначено для использования в телекоммуникационных системах, электрически управляемых устройствах СВЧ-электроники, таких как полосовые или селективные фильтры, антенны, перестраиваемые генераторы.

Изобретение относится к способу получения йодпроизводных хитозана и может быть использовано в химической промышленности, медицине, фармацевтике и ветеринарии. Способ заключается в том, что производят модификацию хитозансодержащего вещества при комнатной температуре в йодсодержащих парах более 5 часов до получения требуемых физико-химических свойств йодпроизводных хитозана, а в качестве хитозансодержащего вещества используют пленку высокомолекулярного хитозана с = 200 кDa в солевой или основной форме, либо кислоторастворимый высокомолекулярный порошок хитозана с= 200 кDa, либо водорастворимый низкомолекулярный порошок хитозана с = 38 кDa, при этом йодсодержащий пар образован кристаллическим йодом, водным раствором йода или водно-спиртовым раствором йода.

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве селективного устройства. Технический результат - увеличение затухания за полосой пропускания амплитудно-частотной характеристики (АЧХ).
Использование: для получения стабильных водных растворов полупроводниковых квантовых точек (КТ), покрытых оболочками оксида кремния, полученных на основе кремнийорганических соединений различного строения.

Изобретение относится к медицине, в частности акушерству и перинатологии, и может быть использовано для диагностики содержания мекония в амниотической жидкости. Регистрируют интенсивность отраженной ультразвуковой волны.

Изобретение относится к химико-фармацевтической промышленности и представляет собой способ получения микротрубок из хитозана, заключающийся в том, что готовят раствор хитозана в органической кислоте, опускают стержень в раствор хитозана в органической кислоте, отличающийся тем, что в качестве кислоты выбран 1.5% водный раствор гликолевой кислоты, причем раствор содержит хитозан в количестве 2.5-4 мас.%; стержень с нанесенным на него слоем раствора хитозана погружают в 0.1 М водный раствор додецилбензосульфата натрия и оставляют на 12 часов.

Изобретение относится к медицине, а именно - к нефрологии. Способ включает воздействие электрическим током через электроды.

Изобретение относится к технологии обработки кремниевых монокристаллических пластин и может быть использовано для создания электронных структур на его основе. Способ электрической пассивации поверхности кремния тонкопленочным органическим покрытием из поликатионных молекул включает предварительную подготовку подложки для создания эффективного отрицательного электростатического заряда, приготовление водного раствора поликатионных молекул, адсорбцию поликатионных молекул на подложку в течение 10-15 минут, промывку в деионизованной воде и сушку подложки с осажденным слоем в потоке сухого воздуха, при этом в качестве подложки использован монокристаллический кремний со слоем туннельно прозрачного диоксида кремния, с шероховатостью, меньшей или сравнимой с толщиной создаваемого покрытия, предварительную подготовку кремниевой подложки проводят путем ее кипячения при 75°C в течение 10-15 минут в растворе NH4OH/H2O2/H2O в объемном соотношении 1/1/4, для приготовления водного раствора поликатионных молекул использован полиэтиленимин, а во время адсорбции поликатионных молекул на подложку осуществляют освещение подложки со стороны раствора светом с интенсивностью в диапазоне 800-1000 лк, достаточной для изменения плотности заряда поверхности полупроводниковой структуры за время адсорбции.

Изобретение относится к области медицины, а именно к кардиологии. Осуществляют выбор точек, между которыми необходимо определить скорость пульсовой волны.

Изобретение относится к области медицинской техники и может быть использовано для дистанционного контроля параметров сердечной деятельности организма. Способ заключается в излучении электромагнитного СВЧ-сигнала, приеме интерференционного сигнала, являющегося суммой падающего и отраженного электромагнитного излучения, определении параметров жизнедеятельности организма.

Изобретение относится к медицине, области нанотехнологий, в частности к усилению контраста и глубины зондирования при получении терагерцовых изображений раковых опухолей и патологий кожи с использованием наночастиц и лазерного нагрева.
Изобретение относится к биотехнологии. Изобретение представляет собой питательную среду для микроразмножения кальцефильных растений в культуре in vitro, включающую растворенные в дистиллированной воде витамины и аминокислоты по прописи Мурасиге и Скуга, сахарозу в количестве 20000 мг/л, агар-агар в количестве 8000 мг/л, а также регуляторы роста 6-бензиламинопурин, гибберелловую кислоту и 3-индолил уксусную кислоту, минеральный состав Woody Plant Medium, кинетин, при этом регуляторы роста взяты в следующей концентрации, мг/л: 6-бензиламинопурин 0.1-0.3 кинетин 0.9-1.1 гибберелловая кислота 0.9-1.1 3-индолил уксусная кислота 0.4-0.6 Изобретение позволяет увеличить коэффициент размножения посредством активации пазушных меристем без ущерба качеству регенерантов.

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано, в частности, для поглощения электромагнитной волны на выходе СВЧ-волноводного тракта. Технический результат - расширение рабочей полосы частот и уменьшение продольных размеров согласованной нагрузки.
Изобретение относится к области сельского хозяйства, в частности к садоводству и питомниководству. Субстрат включает опилки древесные и дополнительно содержит комплексное минеральное удобрение, золу и препарат, обладающий компостирующим свойством, при следующем содержании компонентов, масс.%: опилки - 80-90, комплексное минеральное удобрение - 3-5, зола - 3-5, препарат, обладающий компостирующим свойством - 4-10, при этом опилки предварительно обработаны марганцовокислым калием.

Изобретение относится к медицине, а именно к функциональной диагностике, и может быть использовано для определения колебаний кожного кровотока в конечностях. С помощью тепловизионной камеры определяют распределение температуры кожи и ее динамику во времени.

Изобретение относится к вакуумной микроэлектронике. Способ создания сверхбыстродействующего вакуумного туннельного фотодиода с наноструктурированным эмиттером включает измерение фототока вакуумного фотодиода, возникающего при облучении непрерывным или импульсным оптическим излучением эмиттера при установке определенного значения ускоряющего напряжения на аноде, при этом облучают планарную поверхность наноструктурированного эмиттера лазерным пучком с длиной волны, выбранной из УФ-, видимого или ИК-диапазона при энергии фотона меньше работы выхода электронов из эмиттера, устанавливают фиксированное значение напряжения на аноде U, не превышающее значение, определяемое из заданного соотношения.

Изобретение относится к нанотехнологиям, а именно к области физики твердого тела, и может быть использовано для создания приборов медицинской диагностики нового поколения, неразрушающего контроля материалов, сканирования багажа на транспорте, поиска взрывчатых веществ по их спектральному составу, а также для целей наномикроскопии.

Изобретение может быть использовано для потенциометрического определения анионных и катионных поверхностно-активных веществ (ПАВ), таких как алкилсульфатов натрия, алкилпиридиниевых и тетраалкиламмониевых солей в многокомпонентных смесях, моющих, чистящих композиций, технологических растворах, сточных водах, лекарственных препаратах.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к способу изготовления фотопроводящих радиационно стойких структур. Способ включает предварительное формирование монослоя жирной кислоты на поверхности раствора свинецсодержащей соли в воде в концентрации 1·10-3-5·10-3 моль/л для получения свинецсодержащего монослоя жирной кислоты по методу Ленгмюра-Блоджетт, перенос одного свинецсодержащего монослоя жирной кислоты на поверхность фоточувствительной пленки, термическую сенсибилизацию фоточувствительной пленки.

Изобретение относится к медицине и представляет собой гелеобразную биологически активную композицию для нанесения на кожу, содержащую гидрохлорид хитозана в количестве 10-20 % масс., органическую кислоту в количестве 1-10 % масс., дистиллированную воду - остальное.

Изобретение относится к измерительной технике, может быть использовано для измерения диэлектрической проницаемости и толщин нанометровых проводящих пленок, нанесенных на подложку из диэлектрического материала.

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к пассивным устройствам радиочастотной идентификации на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технический результат заключается в улучшении идентификационных характеристик пассивной радиочастотной идентификационной метки на ПАВ.

Изобретение относится к области СВЧ-электроники и предназначено для формирования многоскоростных неламинарных электронных пучков. Технический результат - увеличение разброса электронов по скоростям в области электронной пушки за счет управляемого торможения части электронного пучка, в частности его периферийной части.

Изобретение относится к мембране ионоселективного электрода, состоящей из поливинилхлорида в качестве матрицы, дибутилфталата в качестве пластификатора и электродно-активного соединения, содержащего медь и додецилсульфат натрия.

Изобретение относится к области электроники и микропроцессорной техники и может быть использовано в конструкциях современных, высокопроизводительных RISC-микропроцессоров и микроконтроллеров. Технический результат заявленного изобретения заключается в повышении быстродействия процессора, его производительности и упрощении его конструкции за счет создания конструкции узла программного счетчика, работающего по принципу стека и позволяющего выполнять операции перехода к подпрограмме или процедуре обслуживания прерывания.

Изобретение используется для определения усиления локального электростатического поля и работы выхода в нано- или микроструктурных эмиттерах. Сущность изобретения заключается в том, что измеряют темновую зависимость туннельного эмиссионного тока при увеличении напряжения на аноде и определяют значение напряжения V∞, облучают измеряемую поверхность эмиттера лазерным пучком ультрафиолетового или видимого диапазона с фиксированным значением оптической мощности и длины волны λ1, измеряют значение туннельного фотоэмиссионного тока при увеличении напряжения на аноде и фиксируют значение напряжения V∞ λ1, определяют значение работы выхода А и значение усиления локального электростатического поля β в пространственной области облучения эмиттера из данного соотношения или дополнительно облучают измеряемую поверхность эмиттера лазерным пучком на другой длине волны λ2 ультрафиолетового или видимого диапазона с максимальной разницей относительно первой длины волны, определяют значение напряжения V∞λ2 и определяют значение усиления локального электростатического поля в пространственной области облучения эмиттера и значение работы выхода А из данного соотношения.

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой устройство и способ измерения направления и величины магнитных полей с применением магнитного резонанса и может применяться для обнаружения ферросодержащих тел и навигации по магнитному полю Земли.

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой устройство и способ измерения направления и величины магнитных полей с применением магнитного резонанса и может применяться для обнаружения ферросодержащих тел и навигации по магнитному полю Земли.

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано для измерения электрофизических параметров материалов. Технический результат заключается в повышении разрешающей способности до порядка 1 микрометра, а также повышении чувствительности до уровня, достаточного для определения параметров материалов с диэлектрической проницаемостью в диапазоне 1.5÷400 и проводимостью в диапазоне 2·10-2 Oм-1·м-1÷107 Ом-1·м-1.Заявленное устройство содержит СВЧ-генератор с подключенным к нему прямоугольным волноводом, имеющим измерительное устройство с волноводной резонансной системой в качестве оконечного устройства, причем оконечное устройство содержит емкостную металлическую диафрагму, согласно решению на емкостную металлическую диафрагму наложен плоскопараллельный образец диэлектрика с площадью, равной площади фланца волновода, а на образец диэлектрика наложен зонд в виде металлической проволоки с длиной от 12 до 20 мм и диаметром от 0,1 до 0,5 мм с заостренным концом, изогнутым под прямым углом, отрезок зонда большей длины расположен на диэлектрической пластине перпендикулярно щели в диафрагме, отрезок зонда с заостренным концом меньшей длины перпендикулярен плоскости образца диэлектрика, при этом толщина плоскопараллельного образца диэлектрика t выбрана из условия t ε 〈 〈 λ в , где λв - длина волны основного типа в волноводе, ε - диэлектрическая проницаемость пластины.

Изобретение относится к технологии наноматериалов и наноструктур и может применяться для получения тонкопленочных полимерных материалов и покрытий, используемых как в сенсорных, аналитических, диагностических и других устройствах, так и при создании защитных диэлектрических покрытий.

Изобретение относится к механической обработке материалов и управлению точностью обработки изделий при использовании станков с ЧПУ. Сущность изобретения заключается в том, что в способе адаптивной обработки изделий на станках с ЧПУ обеспечивается автоматизированная компьютерная поддержка измерений на обрабатывающем оборудовании с ЧПУ с интеграцией механической обработки и измерений в одной управляющей программе посредством применения предложенной программы (программной подсистемы CAIT) комплексно взаимосвязанной и представляющей единое целое с CAD/CAM-системой, обладающей функцией выделения или распознавания комплексов конструкторско-технологических элементов (КТЭ) обрабатываемых деталей.

Изобретение относится к материаловедению, микро- и наноэлектронике и может быть использовано в технологических процессах получения энергоносителей. В качестве аккумулирующего материала для насыщения атомарными и/или молекулярными веществами использован шаровидный материал микронных размеров, состоящий из наноразмерных двумерных спиралеобразно, радиально и аксиально расположенных пластин графита, имеющих единый центр.

Использование: для определения амплитуды нановибраций. Сущность изобретения заключается в том, что освещают вибрирующий на частоте Ω объект лазерным излучением, преобразуют отраженное от объекта излучение в электрический автодинный сигнал, раскладывают сигнал в спектральный ряд, при этом лазерное излучение частотой ω0 модулируют с частотой Ω, равной частоте колебаний объекта, добиваются совпадения начальных фаз колебаний объекта и частотной модуляции лазера, измеряют амплитуду второй C2 и четвертой C4 гармоник спектра автодинного сигнала, по зависимости С2/С4(σ) вычисляют значение аргумента функции Бесселя первого рода σ, затем модулированным лазерным излучением освещают невибрирующий объект, измеряют значение амплитуд второй C2cal и четвертой C4cal гармоник спектра отраженного автодинного сигнала, по зависимости C2cal/C4cal(σM) вычисляют значение аргумента функции Бесселя первого рода σM, амлитуду нановибраций ξ находят по определенному математическому выражению.

Изобретение относится к области электротехники, в частности, к технологии производства свинцово-кислотных аккумуляторов и аккумуляторных батарей, а также к обслуживанию аккумуляторных батарей в процессе их эксплуатации.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Технический результат - расширение функциональных возможностей одновременного определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин и электропроводности и толщины тонких полупроводниковых эпитаксиальных слоев в структурах «полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка».

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способу определения электропроводности и толщины слоя полупроводника на поверхности диэлектрика, и может найти применение в различных отраслях промышленности при контроле свойств полупроводниковых слоев.

Изобретение относится к гелиотехнике и может быть использовано в качестве устройства поворота приемников солнечной энергии (следящей системы) в установках, преобразующих энергию излучения Солнца в другие виды энергии.

Изобретение относится к средствам анализа содержимого изображений. Техническим результатом является повышение эффективности оценки содержимого изображений.

Изобретение относится к радиотехнике и передаче информации и может найти применение в системах связи для помехоустойчивой передачи цифровой информации, в том числе с высокой степенью конфиденциальности.

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерений вибраций. Способ измерения амплитуды нановибраций ξ заключается в том, что освещают объект лазерным излучением, преобразуют отраженное от него излучение в электрический (автодинный) сигнал, раскладывают сигнал в спектральный ряд и измеряют значение амплитуды гармоники Sx на частоте колебания объекта Ω.

Изобретение относится к экспериментальной медицине и касается моделирования мелкоочаговых мозговых геморрагий у новорожденных крыс. Для этого новорожденных крыс в возрасте 3-х дней помещают в камеру и подвергают воздействию звука силой 70 дБ, частотой 110 Гц, на протяжении 60 минут.

Группа изобретений относится к сорбентам, используемым при очистке водных сред от техногенных загрязнителей. Состав для приготовления гранулированного наноструктурированного сорбента включает, мас.%: глауконит - 20-50, интеркалированный графит, представляющий собой бисульфат графита, - 1-5, бентонитовую глину - 40-70, модификатор, выбранный из NaHCO3, - 10, или KMnO4 - 5, или NaCl - 8, и воду.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх