Управление или регулирование способа нанесения покрытия (C23C14/54)
C23C14/54 Управление или регулирование способа нанесения покрытия (управление или регулирование вообще G05)(47)
Изобретение относится к технологии формирования эпитаксиальных гетероструктур, а именно тонких пленок оксида европия на германии, которые могут быть использованы при создании устройств германиевой наноэлектроники и спинтроники, в частности инжекторов спин-поляризационного тока, спиновых фильтров, устройств памяти, нейроморфных устройств.
Изобретение относится к области химико-термической обработки, а именно к вакуумному ионно-плазменному азотированию, и может быть использовано в машиностроении для повышения надежности и долговечности тонколистовых изделий, изготовленных из быстрорежущей стали, а также позволяет интенсифицировать процесс азотирования.
Изобретение относится к технологии синтеза анизотропных (с осью легкого намагничивания, направленной перпендикулярно плоскости пленки) пленок BaFe12O19 методами осаждения из газовой фазы. Такой материал может быть использован при разработке планарных невзаимных СВЧ-устройств с эффектом самосмещения, в устройствах спинтроники в качестве магнитного диэлектрика.
Изобретение относится к вакуумной технике и предназначено для изготовления и герметизации электровакуумных приборов (ЭВП) и других изделий. Высоковакуумная система промышленных и лабораторных установок состоит из последовательно соединенных вакуумной камеры с нагревателями, снабженной вакуумметрами, турбомолекулярного насоса, вентиля, форвакуумного насоса.
Изобретение относится к технологии получения слоистого композиционного материала Ti-TiN трибологического назначения на основе термически обработанного алюминиевого сплава с чередующимися слоями из титана и нитрида титана различных толщин, полученными методом магнетронного распыления.
Изобретение относится к способу нанесения покрытия на металлическую полосу (10). Нанесение покрытия осуществляют по принципу физического осаждения из паровой фазы (PVD) в установке (1) для нанесения покрытия на полосу с использованием металлической подложки (12).
Изобретение относится к области космонавтики, в частности к получению тонких пленок тепловой энергией самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС), для устранения микротрещин на поверхности корпуса космических летательных аппаратов (КЛА).
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к области получения тонких пленок металлов. Устройство для получения тонких пленок металлов тепловой энергией самораспространяющегося высокотемпературного синтеза содержит вакуумную рабочую камеру 1, испаритель 4, в котором находится испаряемый материал 5, емкость для СВС-шихты, источник кратковременного теплового импульса, подложки 8, нагреватель 9 подложек 8, заслонку 7 для перекрытия потока частиц испаряемого материала 5, расположенную между испарителем 4 и подложками 8, и средства создания вакуума в рабочей камере, при этом емкость для СВС-шихты выполнена в виде вольфрамового цилиндра 2, заполненного инертным газом при нормальных атмосферных условиях, в котором установлена спрессованная СВС-шихта 3 и вольфрамовые спирали 6 для инициирования кратковременного теплового импульса, в верхней части цилиндр 2 герметично закрыт вольфрамовой крышкой с вогнутой полостью в форме лодочки, одновременно являющейся испарителем 4, заслонка 7 закреплена на стержне, установленном на основании вакуумной камеры 1, при этом испаритель 4 с испаряемым материалом 5 и подложки 8 находятся в условиях высокого вакуума.
Способ включает напыление, осуществляемое путем электронно-лучевого испарения материала покрытия в вакууме и осаждения паров на поверхности подложки при вращении подложек. Контроль процесса напыления путем измерения спектра пропускания покрытия производят комбинированной системой широкополосного оптического контроля, включающей в себя прямой оптический контроль, осуществляемый на каждом обороте подложки вокруг оси вакуумной камеры, и косвенный оптический контроль по образцу-свидетелю, расположенному на той же высоте, что и подложки, и вращающемуся вокруг оси вакуумной камеры.
Изобретение относится к устройству для нанесения функциональных покрытий на поверхности деталей различной конфигурации. Плазмотрон установлен с возможностью вращения в двух перпендикулярных проекциях двухкоординатных плоскостей по заданной программе.
Изобретение относится к технологии нанесения антиэмиссионного покрытия из пиролитического углерода на металлические сеточные электроды электронных ламп большой мощности, таких как мощные генераторные лампы, лампы бегущей волны (ЛБВ), клистроны импульсного и непрерывного действия, магнетроны.
Группа изобретений относится к технологии тонких пленок и предназначена для получения покрытий из материалов, которые могут быть использованы в рамках исследования свойств материалов, подверженных активному окислению в атмосфере воздуха, а именно получение данных о чистом материале с минимальным содержанием кислорода.
Изобретение относится к вакуумной технике и может быть использовано при нанесении металлических и полупроводниковых пленок для покрытия деталей, применяемых в изделиях электронной, приборостроительной и оптической промышленности.
Изобретение относится к методам контроля технологических параметров и устройству для его осуществления. Описан способ контроля технологических параметров процесса формирования высокоэффективного катализатора на электродах твердооксидных топливных элементов, включающий размещение контрольного образца вместе с рабочими подложками в зоне напыления, напыление вещества катализатора на поверхностях контрольного образца и рабочих подложек, находящихся в равных условиях, измерение емкости и сопротивления синтезируемой островковой структуры катализатора на контрольном образце, причем в вакуумной камере размещают второй контрольный образец на расстоянии ближе к испарителю веществ на 10-20% от расстояния до первого контрольного образца и рабочих поверхностей электродов топливных элементов, напыление катализатора осуществляют в два этапа и осуществляют измерение и контроль емкости и сопротивления синтезируемого островкового катализатора одновременно на двух контрольных образцах.
Изобретение о относится к устройству контроля и управления комплексом импульсного лазерного осаждения (ИЛО). Устройство содержит блок управления импульсным лазером, блок контроля параметров лазера, блок контроля температуры, блок управления температурой на подложке, блок контроля давления в камере осаждения, блок управления давлением в камере осаждения, блок контроля расстояния между подложкой и мишенью, блок управления расстоянием между подложкой и мишенью с соответствующими связями между собой и с комплексом ИЛО и блок предварительного имитационного моделирования процесса ИЛО кинетическим методом Монте-Карло с описанием движения и столкновений с поверхностью каждого отдельно взятого атома из потока осаждаемого вещества применительно к конкретной задаче, с возможностью проведения моделирования таких этапов процесса ИЛО, как поглощение излучения материалом мишени, образование и разлет газо-плазменного облака продуктов абляции, взаимодействие продуктов лазерной абляции с поверхностью подложки, формирование и рост пленки покрытия, с возможностью внесения настроек характеристик и свойств покрытия.
Изобретение относится к устройству и способу нанесения покрытия с подвижной мишенью. Устройство содержит мишень-источник; несущую мишень-источник секцию, выполненную с возможностью переноса и приведения в движение мишени-источника; секцию инфракрасного измерения температуры, выполненную с возможностью измерения температуры поверхности мишени-источника; секцию инфракрасного нагрева, выполненную с возможностью нагрева мишени-источника; секцию управления, выполненную с возможностью приема сигнала измерения от секции инфракрасного измерения температуры и определения того, является ли температура поверхности мишени-источника равномерной или нет.
Изобретение относится к устройству (1) для нанесения покрытия на по меньшей мере одну нить (2) методом осаждения из паровой фазы, способу нанесения покрытия и способу изготовления детали из композиционного материала.
Изобретение относится к технологии создания двумерных магнитных материалов для сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ получения дисилицида гадолиния GdSi2 со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0,1 до менее 1)⋅10-8 Торр или PGd (от более 1 до 10)⋅10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350 ÷ менее 400°С или Ts=более 400 ÷ 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм.
Изобретение относится к составной мишени для магнетронного распыления. Мишень содержит плоскую нижнюю базовую часть, изготовленную из первого компонента осаждаемого на подложку материала пленки, и как минимум одну размещенную на указанной нижней базовой части верхнюю накладную часть, изготовленную из второго компонента осаждаемого на подложку материала пленки и имеющую площадь распыляемой поверхности, обеспечивающую требуемую мольную долю этого компонента в составе осаждаемого на подложку как минимум двухкомпонентного материала пленки.
Изобретение относится к системе для плазменного напыления покрытий (варианты) и установке для плазменного напыления покрытий (варианты). Система содержит катод магнетрона с длинной кромкой и короткой кромкой.
Способ включает напыление путем электронно-лучевого испарения материала покрытия в вакууме и осаждения паров на поверхности подложки при вращении подложек механизмом с планетарной передачей. Осуществляют прямой оптический контроль путем измерения спектра пропускания покрытия на каждом обороте подложки и косвенный оптический контроль по образцу-свидетелю.
Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий вакуумно-дуговым испарением и может быть использовано при производстве триботехнических изделий и металлорежущего инструмента с функциональными покрытиями легированных карбидных соединений.
Изобретение относится к области физики низкоразмерных структур, а именно к формированию наноразмерной тонкопленочной структуры, и может быть использовано в различных высокотехнологичных областях промышленности и науки для создания новых материалов.
Изобретение относится к устройству для получения композитной пленки из многоэлементного сплава. Устройство содержит нагревательную систему, систему подачи воздуха, систему охлаждения, вакуумную систему, вакуумную камеру, держатель, подъемный механизм, тигельный источник испарения, магнетронный источник распыления, источник катодной дуги и систему электрического управления.
Изобретение относится к магнетронному распылению составной мишени, выполненной из плоской нижней базовой части и, по меньшей мере, одной верхней накладной части мишени, изготовленных из двух компонентов осаждаемого на подложку материала пленки.
Изобретение относится к области ионно-плазменного напыления многослойных пленок, в частности к устройству для получения многослойных пленок. Устройство содержит экранированную катод-мишень и подложкодержатель, расположенный в горизонтальном магнитном поле.
Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSi2 кристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164, ) со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки.
Изобретение относится к системе и способу нанесения покрытия. Система включает вакуумную камеру и узел для нанесения покрытия.
Изобретение относится к способу и системе для нанесения покрытий на подложку. В системе узел нанесения покрытия расположен внутри вакуумной камеры.
Изобретение относится к технологии тонких пленок и может быть использовано при отработке технологии получения пленок, когда необходимо определить скорости напыления пленок в зависимости от расстояния источника материала-подложка.Техническим результатом изобретения является ускорение процесса контроля толщины скорости формирования пленки за счет упразднения дополнительных операций: вакуумизации камеры, перемещения подложки на новое расстояние мишень-подложка, формирование пленки, разгерметизация камеры.
Изобретение относится к способу и установке для магнетронного распыления материала с поверхности мишени с обеспечением большей процентной доли распыленного материала в форме ионов. Создают плазменный разряд с плотностью тока разряда свыше 0,2 А/см.
Изобретение относится к способу и устройству для нанесения покрытия на горячую подложку в вакуумной камере. Осуществляют размещение подложки (20) на подложкодержателе (24) таким образом, чтобы нижняя поверхность (21а) подложки контактировала с подложкодержателем поверхность к поверхности,подъем подложки (20) на расстояние d относительно подложкодержателя, нагрев поднятой подложки через ее верхнюю поверхность (21b) с помощью нагревательного устройства (22), немедленное последующее нанесение покрытия на горячую подложку, опускание подложки на подложкодержатель (24) и охлаждение подложки.
Изобретение относится к установке и способу нанесения покрытия на подложку. Установка содержит вакуумную камеру, во внутреннем пространстве которой располагают подложку для нанесения на нее покрытия и по меньшей мере одну распыляемую мишень, и устройство для определения износа распыляемой мишени.
Изобретение относится к электроаппаратостроению. Способ нанесения покрытия на медный контакт электрокоммутирующего устройства включает ионно-плазменное напыление молибдена на медный контакт.
Изобретение относится к области производства наноструктурных пленок с активным контролем и оптимизацией процесса их синтеза. .
Изобретение относится к системе ионной пушки, устройству парофазного осаждения и способу формирования многослойной просветляющей пленки на линзе. .
Изобретение относится к области ионно-плазменного напыления многослойных пленок. .
Изобретение относится к средствам наблюдения за процессом нанесения покрытий в вакууме, а именно к способам определения скорости термического осаждения сплавов. .
Изобретение относится к способу осаждения вещества на подложку, импульсному источнику питания для магнетронного реактора и магнетронному реактору. .
Изобретение относится к устройствам для напыления пористых покрытий на ленту и может быть использовано при производстве электронных компонентов, магнитных носителей записывающих устройств, декоративных покрытий.
Изобретение относится к отражающим покрытиям для оптических линз, в частности к композициям для формирования просветляющих покрытий. .
Изобретение относится к способу и устройству нанесения покрытий и может быть использовано в приборостроении, электронной промышленности и машиностроении. .
Изобретение относится к устройству для нанесения многослойных оптических покрытий и может быть использовано при изготовлении лазерной техники при создании просветляющих и отражающих покрытий на торцевых поверхностях полупроводниковых лазеров.
Изобретение относится к машиностроению, в частности к обработке в вакууме поверхности металлических изделий путем воздействия на нее пучком ионов металлов, и может быть использовано в авиационной и газовой промышленности для поддержания оптимального сочетания элементного состава ионов и энергетического уровня воздействия при подготовке поверхности изделий, например компрессорных лопаток, к нанесению на них защитных покрытий, формировании модифицированного поверхностного слоя изделий, повышающего их эксплуатационные характеристики, а также проведении исследовательских работ в области ионно-плазменной технологии.
Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий в вакууме и может быть использовано для нанесения защитных, упрочняющих и декоративных покрытий на внутренние поверхности изделий. .
Изобретение относится к средствам наблюдения за процессом нанесения покрытий, в частности к устройству для контроля толщины покрытий в процессе нанесении их в вакууме, и может быть использовано в приборостроении, электронной промышленности и машиностроении для контроля толщины покрытий при нанесении их в вакууме.
Изобретение относится к электротехнике, а именно к использованию электрического разряда для нагрева и химико-термической обработки изделий в электромагнитном поле индуктора. .
Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий в вакууме и может быть использовано для нанесения защитных, упрочняющих и декоративных покрытий на внутренние поверхности изделий. .
Изобретение относится к области химико-термической обработки металлов, в частности к устройствам управления установок ионного азотирования. .