Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (H01L31/18)
H Электричество(232322)
H01L31/18 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (не предназначенные специально для этих приборов H01L21)(268)
Предлагаемое изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, в частности одно- и многоэлементных фотодиодов на антимониде индия (InSb), и может быть использовано при изготовлении линейных и матричных фотодиодов.
Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения включает выращивание методом жидкофазной эпитаксии в потоке очищенного водорода на подложке n-InP базового слоя n-InGaAsP, слоя р+-InGaAsP, формирование диффузионного р-n-перехода, утончение подложки InP, формирование фронтального и тыльного омических контактов, травление разделительной мезы.
Устройство для разделения металлизированной полупроводниковой пластины после дисковой резки // 2790944
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. Устройство для разделения металлизированной полупроводниковой пластины после дисковой резки включает носитель, расположенный на подвижной опорной плите, с возможностью перемещения по направляющим полозьям, содержит верхнюю часть с конструктивными элементами, расположенными параллельно пропилам на полупроводниковой пластине, нижнюю опорную часть, а также наковальню, выполненными с возможностью изгибающего воздействия на полупроводниковую пластину посредством пневматического давления.
Изобретение относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления фотоэлементов с радиационно-стойким защитным стеклом. Способ изготовления стеклянных пластин для фотопреобразователей космического назначения включает создание слоя поверхностного сжатия на стеклянной пластине, кислотное травление в растворе плавиковой кислоты на глубину, равную или большую глубины сжатого слоя стекла, защиту травленной поверхности стекла химической закалкой, кислотное травление выполняют при вертикальном поступательно-возвратном перемещении стеклянных пластин в растворе, а после химической закалки выполняют одностороннее капельное нанесение на стеклянные пластины защитного слоя силиконового каучука, причем в качестве растворителя силиконового каучука используют смесь Сольвента и бензина Нефрас.
Способ формирования омических контактов к кремнию на основе двухслойной системы металлизации ti/au // 2790272
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для формирования омических контактов в кремниевых приборах, например, приборов, к которым относятся фоточувствительные элементы, работающие в фотовольтаическом режиме, ограничительные диоды, выпрямители, солнечные элементы и др.
Способ формирования солнечной батареи // 2788611
Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к сборке стационарных солнечных батарей. Способ формирования солнечной батареи включает размещение фотоэлементов на основании с помощью направляющих, причем основание изготавливают из двух продольных и двух поперечных перекладин из уголка, скрепленных друг с другом сварным соединением, направляющие изготавливают в виде двух прямоугольных рам из швеллера со сварными соединениями сторон, на поперечных перекладинах основания, в местах крепления основания с направляющими выполняют сквозные пазы длиной на 10-12 мм больше ширины нижней горизонтальной плоскости швеллера, на нижней плоскости швеллера, в местах крепления направляющих к основанию, выполняют отверстия на расстоянии от краев, равном 1/4 общей длины направляющей, фотоэлементы закрепляют на верхних горизонтальных плоскостях направляющих клеевым соединением, устанавливают направляющие на основание таким образом, чтобы сквозные пазы в основании совмещались с отверстиями на нижних горизонтальных плоскостях направляющих, вставляют в отверстие болт с внешней стороны нижних горизонтальных плоскостей направляющих, на начало резьбы которого накручивают П-образный зажим с резьбовым отверстием по центру, выступом со стороны пазов и укороченной на толщину швеллера направляющих другой стороной, прижимают зажим к пазу и к внутренней плоскости швеллера направляющих, после чего болт полностью затягивают.
Изобретение относится к области изготовления фотоприемных полупроводниковых приборов, работающих в широком диапазоне длин волн. Пластина для изготовления по меньшей мере одного полупроводникового фотоприемного прибора, выполненного с возможностью освещения его с обратной стороны, содержит кремниевую подложку, содержащую основную кремниевую часть и эпитаксиальный слой кремния, выполненный на основной кремниевой части, также содержит кварцевый слой, сформированный на лицевой поверхности эпитаксиального слоя, а обратная сторона эпитаксиального слоя кремния выполнена с возможностью формирования на ней по меньшей мере одного полупроводникового фотоприемного прибора после механического и химического утонения пластины со стороны основной кремниевой части.
Изобретение относится с солнечной энергетике, в частности, к способам изготовления трехкаскадных фотопреобразователей на германиевой подложке. Cпособ изготовления фотопреобразователя на утоняемой германиевой подложке включает создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и диода, вытравливание мезы, нанесение защитного покрытия, химико-динамическое травление германиевой подложки, удаление защитного покрытия, напыление тыльной металлизации, отжиг контактов, химико-динамическое травление подложки выполняют до израсходования плавиковой кислоты, лимитирующей количество стравливаемого германия, в растворе продуктов травления, причем раствор продуктов травления используют многократно, вновь добавляя плавиковую кислоту и перекись водорода в соотношении объемных частей, при этом плавиковой кислоты (46%) 8÷17 объемных частей, перекиси водорода (30%) 8÷19 объемных частей, раствора продуктов травления 84÷64 объемных частей, а затем выполняют химико-динамическую обработку германиевой подложки в растворе ортофосфорной кислоты, перекиси водорода и воды.
Изобретение относится к технологии изготовления фоточувствительных элементов на основе полупроводниковых гетероструктур и может использоваться для создания ИК фотоприемников для спектрального диапазона 1.5-3.8 мкм.
Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения и может быть использовано в изделиях оптоэлектроники, работающих в ближней инфракрасной области спектра, лазерной и сенсорной технике.
Способ получения распределения чувствительности по площади пикселя матричного фотоприёмника // 2783220
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников (ФП) и может использоваться для создания матричных фотоприемников (МФП) различного назначения, в том числе гибридных. Способ получения распределения чувствительности по площади пикселя матричного фотоприемника (МФП) с помощью сканирующей маски при температуре жидкого азота включает то, что измерения осуществляют неразрушающим способом при помощи пластины, прозрачной в области спектральной чувствительности МФП с частично закрытыми металлическим слоем непрозрачными областями, которая контактируется металлической поверхностью непосредственно с МФП под тяжестью собственного веса в зондовой установке открытого типа и выравнивается по углу поворота в горизонтальной плоскости при поднятии зондового манипулятора с фиксированным расположением контактов относительно БИС считывания до уровня верхнего края пластины, порезанной по линиям, параллельным направлению расположения окошек в маске, и сдвигом ее по оси перпендикулярно линии выравнивания фиксированных зондов, а перед размещением пластины с маской МФП калибруется с проведением двухточечной коррекции для выравнивания чувствительности.
Изобретение относится к области материаловедения, в частности к области формирования диэлектрических покрытий на поверхности антимонида индия (InSb) ориентации (100) n-типа проводимости, и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотоэлектрических преобразователей. Способ включает формирование гетероструктуры GaInP/Ga(In)As/Ge на германиевой подложке с фронтальным контактным слоем n-GaAs, омических контактов на поверхности контактного слоя n-GaAs, вскрытие оптических окон и напыление просветляющего покрытия, создание мезы с защитным покрытием, формирование тыльных омических контактов к германиевой подложке в мезе, нанесение защитного покрытия, наклеивание пластины защитным покрытием на диск-носитель, утонение германиевой подложки методом жидкостного химического травления, матирование утоненной германиевой подложки методом жидкостного химического травления, пассивацию утоненной германиевой подложки путем осаждения диэлектрического покрытия, осаждение светоотражающего покрытия из золота или серебра с защитным слоем золота, удаление защитного покрытия с одновременным откреплением пластины от диска-носителя и разделением пластины на чипы.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления полупроводниковых структур многокаскадных (многопереходных) фотоэлектрических преобразователей оптического излучения с соединительными элементами между переходами.
Способ изготовления фотоприемника // 2781461
Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники, а именно к технологии изготовления фотоприемников с высокой фоточувствительностью, и может быть использовано для создания как дискретных, так и матричных фотоприемных устройств (МФПУ) для регистрации объектов в условиях малой освещенности в видимом и ближнем ИК диапазонах спектра.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в изготовлении матричных фоточувствительных элементах (МФЧЭ) на квантовых ямах (QWIP). Задачей настоящего изобретения является способ определения достаточности глубины ионно-лучевого травления сложных полупроводниковых структур с отличающимися по скоростям травления составляющих структуру слоев, с наклонными боковыми поверхностями меза-элементов матрицы, с обеспечением необходимой достаточности глубины травления структуры до нижнего контактного слоя n+, не допуская нарушения связности (целостности) нижнего контактного слоя, что обеспечивает разделение сплошной ГЭС структуры на множество меза-элементов матрицы, соединенных нижним контактным слоем, открытым для соединения со схемой считывания.
Изобретение относится к области материаловедения, а именно, к технологии получения плёнок кристаллических материалов на основе комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой, которые могут быть использованы для производства полупроводниковых (солнечные элементы) и оптоэлектронных (светоизлучающих) устройств.
Лавинный фотодиод и способ его изготовления // 2769749
Изобретение может быть использовано в оптических системах связи, в системах измерения в качестве оптоэлектронного датчика, в том числе при регистрации одиночных фотонов в системах квантовой криптографии, в интегральной оптоэлектронике и системах тестирования интегральных схем, а также в других областях, предполагающих регистрацию оптического сигнала.
Изобретение относится к гелиотехнике. Способ обработки устройства на основе солнечного элемента для последующего формирования проводящей проводки включает обнаружение по меньшей мере одной несогласованности в поверхности полупроводниковой подложки, имеющей активную область солнечного элемента, образованную в ней, определение топологического рисунка нанесения для формирования проводящей проводки так, чтобы проводящая линия проводящей проводки избегала обнаруженную по меньшей мере одну несогласованность путем прохождения указанной проводящей линии по поверхности полупроводниковой подложки таким образом, чтобы обеспечивался сбор электрического тока, вырабатываемого устройством на основе солнечного элемента, и выборочное нанесение материала проводящей проводки на подложку согласно топологическому рисунку нанесения.
Предложена фотовольтаическая панель (1), содержащая последовательно расположенные первый электропроводящий слой (10), фотовольтаический слой (20) перовскитного фотовольтаического материала, второй электропроводящий слой (30) и защитное покрытие (40), которое по меньшей мере образует барьер против влаги.
Изобретение относится к нанесению рисунка электрических проводников на солнечный элемент. Технический результат – предотвращение ограничений на разрешение линий проводников и их точное размещение.
Изобретение может быть использовано в электронике для изготовления электронных компонентов. Способ изготовления контактов к тонким трехмерным чешуйкам слоистых кристаллов включает прижим контакта к кристаллу, для этого используют матрицу с предварительно сформированными на поверхности оксидированного кремния металлическими контактными дорожками - контактами, на которой размещают чешуйку слоистого кристалла толщиной от 100 нм до 1 мкм, так чтобы обеспечить ее перекрытие с контактными дорожками, а прижим контакта к кристаллу осуществляют путем однократного прижима второй полированной пластиной оксидированного кремния чешуйки кристалла.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотоэлектрических преобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую.
Многопереходный солнечный элемент, содержащий: подложку для выращивания; первый солнечный подэлемент, сформированный поверх или в подложке для выращивания; изменяющийся промежуточный слой, осажденный на первый солнечный подэлемент; и ряд слоев полупроводникового материала, осажденных поверх изменяющегося промежуточного слоя, содержащего множество солнечных подэлементов, включая второй солнечный подэлемент, расположенный поверх и рассогласованный по параметру решетки по отношению к подложке для выращивания и имеющий ширину запрещенной зоны в диапазоне 0,9-1,8 эВ, и по меньшей мере верхний солнечный подэлемент, расположенный поверх второго подэлемента и имеющий содержание алюминия более 30% мольной доли и ширину запрещенной зоны в диапазоне 2,0-2,20 эВ.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, и может быть использовано при изготовлении фотопреобразователей. Cпособ обработки полупроводниковых структур с германиевой подложкой включает фиксацию полупроводниковой структуры лицевой стороной на диске-носителе посредством клеевого соединения, утонение подложки, разделение полупроводниковой структуры на чипы, напыление тыльной металлизации с нагревом подложки, снятие металлизированных чипов с диска-носителя, при этом фиксацию полупроводниковой структуры на диске-носителе выполняют на выступах, имеющих вид полос, закрепленных вертикально на диске-носителе, при этом диск-носитель и выступы изготавливают из материалов с близкими к германиевой подложке коэффициентами термического расширения, а выступы располагают с внутренней стороны контура разделения полупроводниковой структуры, фиксацию которой на выступах выполняют посредством эпоксидно-пластизолевой смеси.
Изобретение относится к технологии функциональных материалов, конкретно к технологии оптически прозрачных оксидных полупроводников, применяемых в оптоэлектронике, фотовольтаике и плазмонике. Согласно изобретению предложен способ получения нанодисперсного оксида кадмия, допированного литием, включающий получение исходной смеси путем растворения карбоната кадмия и карбоната лития, взятых в стехиометрическом соотношении, в 10%-ной муравьиной кислоте, взятой в количестве 5,6 мл раствора кислоты на 1 г суммарного количества карбоната кадмия и карбоната лития, упаривание полученной смеси при температуре 50-60 °С до получения сухого остатка и отжиг при температуре 300-320 °С в течение 0,5 часа на первой стадии и при фиксированном значении температуры, находящейся в интервале 500-900 °С, в течение 1 часа на второй стадии.
В конкретных вариантах осуществления изобретения частицы (100) печатают с образованием участков на подложке (300). Каждая область поверхности подложки имеет участок с частицами (102), подвергнутыми восстановительной обработке, и участок с частицами (103), подвергнутыми окислительной обработке, при этом эти участки имеют фотогальваническую активность противоположной полярности.
Способ изготовления матричного фотоприемника // 2749957
Изобретение относится к технологии многоэлементных матричных фотоприемников (МФП) на основе полупроводниковых материалов, чувствительных в широком спектральном диапазоне, в том числе МФП с фоточувствительной базовой областью на основе различных полупроводниковых материалов.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в изготовлении матричных фоточувствительных элементов (МФЧЭ) на квантовых ямах (QWIP). Способ формирования меза-элементов матричных фоточувствительных элементов на квантовых ямах включает ионное травление аргоном, при этом осуществляют ионное травление аргоном структур из чередующихся слоев AlxGa1-xAs при x=0,27 и слоев квантовых ям из GaAs:Si до нижнего контактного слоя GaAs n+, при этом время, необходимое для ионного травления указанных структур с известными значениями толщин слоев на требуемую глубину, определяют как сумму времени ионного травления слоев квантовых ям GaAs:Si и слоев AlxGa1-xAs при x=0,27, определяемых по известным значениям скорости травления этих слоев.
Способ разъединения полупроводниковой пластины, включающей несколько стопок солнечных элементов // 2747424
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. Согласно изобретению предложен способ разъединения полупроводниковой пластины, включающей несколько стопок солнечных элементов, вдоль по меньшей мере одной разделительной линии, который включает по меньшей мере следующие стадии: предоставление полупроводниковой пластины с верхней стороной, нижней стороной, слоем адгезива, неразъемно соединенным с верхней стороной, и покровным стеклянным слоем, неразъемно соединенным со слоем адгезива, причем полупроводниковая пластина включает несколько стопок солнечных элементов, каждая из которых имеет германиевую подложку, образующую нижнюю сторону полупроводниковой пластины, германиевый частичный элемент и по меньшей мере два частичных элемента из элементов III-V групп; выполнение посредством лазерной абляции вдоль разделительной линии разделительной канавки, проходящей от нижней стороны полупроводниковой пластины насквозь через полупроводниковую пластину и слой адгезива по меньшей мере до примыкающей к слою адгезива нижней стороны покровного стеклянного слоя, и разделение покровного стеклянного слоя вдоль разделительной канавки.
В заявке описан способ пассивирования сквозного отверстия полупроводниковой пластины, который включает по меньшей мере следующие стадии: предоставление включающей несколько стопок солнечных элементов полупроводниковой пластины с верхней стороной и нижней стороной, причем каждая стопка солнечных элементов включает германиевую подложку, образующую нижнюю сторону полупроводниковой пластины, германиевый частичный элемент и по меньшей мере два III-V-частичные элемента в указанной последовательности, а также по меньшей мере одно проходящее от верхней стороны до нижней стороны полупроводниковой пластины сквозное отверстие со сплошной боковой стенкой и овальным поперечным сечением, и нанесение диэлектрического изолирующего слоя на верхнюю сторону полупроводниковой пластины, нижнюю сторону полупроводниковой пластины и боковую стенку сквозного отверстия, осуществляемое посредством химического газофазного осаждения.
Изобретение относится к области микроэлектронной техники. Способ соединения кремниевых пластин МЭМС с изоляционным слоем диоксида кремния между ними заключается в том, что на каждую из противоположно расположенных сторон одной кремниевой пластины методом термического окисления наносят слои диоксида кремния.
Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, а именно к технологии получения тонких фоточувствительных пленок селенида свинца, находящих широкое применение в приборах регистрации ИК-излучения в диапазоне 1-5 мкм.
Изобретение относится к технологии создания гибких тонкопленочных солнечных батарей. Оно может найти применение при создании солнечных батарей с гетеропереходом CZTS(Se)/CdS.
Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей космического назначения на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge. Cпособ изготовления фотопреобразователя для космических аппаратов включает формирование на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры лицевого и тыльного контактов на основе серебра; формирование мезаизоляции; отжиг контактов; выпрямление металлизированной подложки охлаждением в парах азота; дисковую резку эпитаксиальной структуры; вскрытие оптического окна травлением; напыление просветляющего покрытия, содержащего слои TiO2 и Al2O3, электронно-лучевым методом без применения плазмы; химико-динамическое травление просветляющего покрытия в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды; выпрямление фотопреобразователя охлаждением в парах азота; химико-динамическое травление областей реза германиевой подложки с одновременным вскрытием оптического окна; напыление просветляющего покрытия из последовательных слоев TiO2, ZrO2, Al2O3, причем толщину слоя ZrO2 выбирают в диапазоне 7÷20 нм, кроме того, дисковую резку выполняют с отделением сегментов эпитаксиальной структуры от вертикальных и горизонтальных сторон чипов, а после химико-динамического травления просветляющего покрытия отделяют сегменты эпитаксиальной структуры от фасок чипов.
Способ изготовления фотоэлектрического концентраторного модуля включает формирование множества солнечных элементов, формирование вторичных концентраторов солнечного излучения, расположенных соосно над солнечными элементами, формирование панели первичных концентраторов, расположенных соосно над вторичными концентраторами.
Изобретение относится к испытаниям космической техники и может быть использовано для проведения испытаний полногабаритных и крупногабаритных панелей фотопреобразователей в условиях, приближенных к эксплуатации в открытом космическом пространстве.
Пленки твердых растворов замещения CdPbS находят широкое применение в различных областях оптоэлектроники, в том числе в конструкциях фоторезисторов для ближнего ИК-диапазона, отличающихся высоким быстродействием и чувствительностью, лазерной техники, а также в областях сенсорной аналитики и гелиоэнергетики.
Изобретение относится к технологии получения перовскитных структур для тонкопленочных оптоэлектронных устройств в технологических процессах производства светодиодов, солнечных элементов и фотодетекторов со спектральным диапазоном от 400 до 780 нм, запрещенной зоной от 3,1 до 1,57 эВ.
Изобретения относятся к лавинным фотодетекторам (ЛФД) - быстродействующим, высокочувствительным приборам, широко используемым в лидарах, системах связи, технического зрения, робототехнике, в медицине и биологии в мониторинге окружающей среды и т.д.
Изобретения относятся к лавинным фотодетекторам (ЛФД) - быстродействующим, высокочувствительным приборам, широко используемым в лидарах, системах связи, технического зрения, робототехнике, в медицине и биологии в мониторинге окружающей среды и т.д.
Изобретения относятся к лавинным фотодетекторам (ЛФД) - быстродействующим, высокочувствительным приборам, широко используемым в лидарах, системах связи, технического зрения, робототехнике, в медицине и биологии в мониторинге окружающей среды и т.д.
Способ изготовления фотопреобразователя // 2730050
Изобретение относится к электрическому оборудованию, в частности к полупроводниковым приборам, а именно к фотопреобразователям. Способ изготовления фотопреобразователя включает создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры GaInP / GaInAs / Ge фоторезистивной маски с рисунком лицевых контактов, напыление лицевых контактов, удаление фоторезиста, напыление слоев тыльной металлизации, отжиг контактов, напыление просветляющего покрытия, резка структуры в размер.
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к способам изготовления полупроводниковых приборов, предназначенных для детектирования инфракрасного (ИК) излучения при комнатной или иной рабочей температуре.
Способ изготовления фотопреобразователя // 2725521
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам изготовления трехкаскадных фотопреобразователей. Способ изготовления фотопреобразователя, согласно изобретению, включает формирование контактной металлизации на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, вытравливание мезы, вжигание контактов, разделение полупроводниковой структуры на чипы дисковой резкой, удаление контактного слоя многослойной полупроводниковой структуры химико-динамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении гидроокиси тетраметиламмония 0,3÷0,7 масс.
Изобретение относится к изготовлению солнечных элементов и может быть использовано в фотоэнергетике, преимущественно в солнечных элементах или фотоэлектрических преобразователях (ФЭП) при преобразовании солнечного излучения.
Способ изготовления фотопреобразователя // 2721161
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотопреобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую энергию.
Изобретение относится к технологии создания экологически чистых солнечных батарей. Изобретение может найти применение при создании мембранных солнечных батарей с гетеропереходом CZT(S,Se)/CdS.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм. Они предназначены для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 не) при напряжениях смещения порядка 200 В.
Изобретение относится к способу изготовления тонкопленочного солнечного модуля (ТПСМ). Способ изготовления тонкопленочного солнечного модуля включает последовательное осаждение на стеклянную подложку слоя фронтального прозрачного проводящего контакта, слоя гидрогенизированного аморфного и микрокристаллического кремния (a-Si:H/µc-Si:H) и слоя тыльного прозрачного проводящего контакта.
