Способ определения толщин многослойных покрытий

 

Класс 42Ь, l l э 1(I)!(1l

С С (l I !

-- (,,";.4

1 ь

ix, . у

1 (r.

"с -. °

ОПИСАНИЕ NSQEPEТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. П. Борзов и Е. В. Ильина

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИН !)1(- ЗГОСЛО(!1)>ЫХ (1О :(РИТИ!4

Заявя>я)о 5 ч)0(>раяя 1953 г. Оа _#_> 07573, >!5»!)28

Предлагаемый способ спектральног0 011 !

)еде;1спп)! точщп ы с;IОРВ мпогослойп!Ох покрытпй на и.);(елиях имеет целью повыспть точность п объсктпвность определения толщины покрытий по сравпснп!о с ранее пзвсстнымп спектральны.(lf,llocoОЭМП.

Способ оспоьан на исполь:ювап (l(0(L впспмостп относительной ннтепспвносгп пары спектральных линий (пз кoropblx одна являе!Ся линией элемента покрытпя, а дру(à)f в зависпмости от расположенпя слоя — всрхнпй, средп!!й илп ни)кнп(1— линией элемента основы илп верхнего подставного электрода) от толщпны слоя.

Определение толщины каждого слоя производите;! I!pl(помощи постоянных градуи!)!)ПО lнь(х ) pl(I b(õ, кото>рь(е строятся заранее по спецпально изготовленным для (1I0 3 — 4 эталона каждого слоя), путем пзмсренпя временн, прото (ающсго от момента "-ажпганпя разряда до того момента, когда наступает равенство п!Пгенспвностей расс)гатрпвасмой пары линий. 11plf этом равенство пнтенсивпостсй иогкст устанавливаться прп )Ioнощн мпкрофотометра.

Последовательное возбу>кденис спектра слоег покрытия пропзводптся дуг!оным илп пскров! !)1 разрядом гп (Ол(,шо!1 м()щнос)и (спла то . :ë. до 1,5 a). ПОО lа ПОВР()хностн

Ооразпа прп опрсделенпп резвач;(тсльна— диаметр поражаемого участ: а сос((!в:(!(Рт

2 — 3 мм, Опрсдел! нис толщины Epolof(lllx слоев !!о про;(ложснному способу мо кпо удооно сочетать с Опрсделе!Иlсм пх хпмlпlсского состав(1, )(,(я этого будет пригодна обычн".я аппарат)>po, прп)(е!Iяех!ая дl÷ cïñктpa il>E(ol o аналпза.

Предмет изобретения

Способ О .ц)еделснпя толщин многослойных покрытпй !(3; изделиях посредством спектроскопа, о т л 11 ч а (о шийся тем, что, с цс;!ыо повь!Ппенпя точности п объектпв ности определения толщпны слоев попрь(тпя, и!р)опзводят последовательное возбужденно сне(тра кро(ощпх слоев, еров ива(от пнтснспвпость спектральной линни элемента требуемого слоя с пнтепспвпостыо спектральной линии основы илп подслоя и по градупровочной крпвой пределяют толщпну слоя покрытпя.

Способ определения толщин многослойных покрытий 

 

Похожие патенты:

Фотометр // 49362

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного измерения толщины и показателя преломления прозрачных слоев

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного автоматического измерения толщины прозрачных материалов, например листового стекла, в непрерывном производственном процессе

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к оптическим интерферометрам, и может быть использовано для непрерывного бесконтактного измерения геометрической толщины прозрачных и непрозрачных объектов, например листовых материалов (металлопроката, полимерных пленок), деталей сложной формы из мягких материалов, не допускающих контактных измерений (например, поршневых вкладышей для двигателей внутреннего сгорания), эталонных пластин и подложек в оптической и полупроводниковой промышленности и т.д

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщин слоев прозрачных жидкостей и может быть использован для бесконтактного определения толщин слоев прозрачных жидкостей в лакокрасочной, химической и электронной промышленности, а также в физических и химических приборах

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интерференционным способам измерения оптической толщины плоскопараллельных объектов и слоев

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в черной и цветной металлургии для измерения толщины проката в условиях горячего производства без остановки технологического процесса

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины пленок, в частности в устройствах для измерения и контроля толщины пленок фоторезиста, наносимых на вращающуюся полупроводниковую подложку в процессе центрифугирования в операциях фотолитографии
Наверх