Твердый выпрямитель

 

Мо 107170

Класс 21 а, 11са

СССР

ОПИСАНИК ИЗОЬГКтКНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

С. Г. Калашников и Н. А. Пении

ТВЕРДЫИ" ВЫПРЯМИТЕЛЬ

Заявлено 1 апреля 1950 г, за М А-232/438929 н Гоетехнику СССР

Действие применяемых в настоящее время твердых выпрямителей, представляющих собой контакты полупроводника и металла, основано на возникновении в поверхностном слое полупроводника, так называемого, запорного слоя, появляющегося вследствие обеднения полупроводника носителями заряда (электронами или дырками). Таковы широко применяемые меднозакисные и селеновые выпрямители. По этому же принципу работают и радиотехнические детекторы, лучшие современные типы которых представляют собой контакты кремния и вольфрама (кремниевые детекторы) или контакты германия с вольфрамом или платиной (германиевые детекторы).

Основные требования, предъявляемые к выпрямителям, заключаются в получении возможно малого сопротивления в пропускном направлении, возможно большого сопротивления в запорном направлении и возможно большого пробойного напряжения (максимального допустимого обратного напряжения).

Существующие полупроводниковые материалы позволяют изменять эти характеристики выпрямителей путем добавления к полупроводнику определенных примесей. Однако при этом изменяются все характеристики выпрямителя, причем, улучшение одной из них вызывает ухудшение другой. Так, например, исследование германиевых детекторов пока.зывает, что, увеличивая удельное сопротивление германия, можно увеличить пробойное напряжение детектора и его сопротивление в запорном направлении, однако, при этом всегда увеличивается и сопротивление в пропускном направлении. Поэтому возможности дальнейшего улучшения полупроводниковых выпрямителей ограничены.

Теоретически известно, что возможно получить твердый выпрямитель, помещая между двумя разными металлами тонкую, плохопроводящую прослойку.

Практически такие выпрямители не были осуществлены вследствие трудности создания искусственной однородной прослойки, М 107170 толщина. которой должна бьггь порядка 10 — 4 10 — см, Однако такие прослойки можно получить весьма просто, если воспользоваться существованием, так называемых, интерметаллических соединений. Известно, что многие металлы, взятые в определенном стехиометрическом соотношении, способны давать химические соединения — интерметаллические соединения. При этом электрическое сопротивление соединения может возрастать в громадное число раз.

Так, например, сплав сурьмы и цинка, отвечающий формуле

Хп Sh, имеет удельное сопротивление порядка 10+" ом/см, т. е. в 10" раз превышающее сопротивление исходных металлов. Аналогичными свойствами обладает сплав сурьмы и магния в составе

Мо Я 2 и многие другие интерметаллические соединения.

Сущность предлагаемого изобретения заключается в использовании для получения указанной прослойки полупроводника интерметаллического соединения двух таких металлов, получающегося при их сварке. При сварке этих металлов получается переходный слой сплава переменной концентрации, в котором концентрация одного металла в другом изменяется от 0 до 100% и в области которого всегда воз— никает очень тонкая прослойка интерметаллического соединения, полностью отгораживающая один металл от другого и образующая химический запорный слой.

На чертеже показана схема контакта двух металлов, образующих интерметаллическое соединение. Двойной штриховкой обозначена переходная область переменного состава, толстой черной линией С обозначен слой интерметаллического соединения с высоким сопротивлением, т. е. интерметэллический запирающий слой.

Применение вместо полупроводников металлов, удельное сопротивление которых в тысячи и десятки тысяч раз меньше, обеспечивает очень низкое значение объемного сопротивления выпрямителя в пропускном направлении и тем самым увеличение крутизны прямой ветви характеристики выпрямителя. В то же время, поскольку многие интерметаллические соединения обладают весьма. высоким удельным сопротивлением, сопротивление выпрямителя в запорном направлении может быть весьма большим.

Достоинствами предлагаемого выпрямителя является также возможность изготовления их из доступных и дешевых материалов и высокая их механическая прочность, достигаемая за счет применения сварного контакта.

Предмет изобретения

Твердый выпрямитель, состоящий из двух металлов с полупроводящей прослойкой между ними, отличающийся тем, что, с целью уменьшения объемного сопротивления выпрямителя и увеличения вследствие этого крутизны прямой ветви его характеристики, указанная прослойка образована интерметаллическим соединением обоих металлов, полученным при их сварке.

Твердый выпрямитель Твердый выпрямитель Твердый выпрямитель 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии сборочного производства, и может быть использовано в производстве полупроводниковых диодов, транзисторов и гибридных интеральных схем

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к производству СВЧ арсенидгаллиевых и кремниевых транзисторов, и может быть использовано в производстве ГИС, МИС и изделий оптоэлектроники

Изобретение относится к технологии присоединения элемента интегральной схемы (чип) к поверхности, которая содержит проводящие рисунки. Технический результат - создание способа и устройства для быстрого, плавного и надежного подключения чипа к печатной проводящей поверхности за счет точечного характера передачи тепла и приложения давления к поверхности в точках контакта. Достигается это тем, что сначала чип (201) нагревают до первой температуры, более низкой, чем температура, которую чип может выдерживать без повреждения под действием тепла. Нагретый чип прижимают к печатной проводящей поверхности с первым прижимающим усилием. Совместного воздействия первой температуры и первого прижимающего усилия достаточно для того, чтобы, по меньшей мере, частично расплавить материал печатной проводящей поверхности и/или соответствующей точки контакта на чипе (205, 206). 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к коммутационной технике и может быть использовано в устройствах автоматики и телемеханики

Изобретение относится к области полупроводникового производства, а именно к конструкции вертикального биполярного транзистора с низким уровнем обратного тока

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе полевого эффекта, таких как полевые транзисторы, МДП-варакторы, МДП-фотоприемники ИК-диапазона и ПЗС

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии. В силовых полупроводниковых приборах с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии с вертикальным перемещением носителей тока и содержащих эпитаксиальный слой, активную область и периферию, в качестве периферии используется канавка шириной от 2 до 6 микрон, глубиной не менее толщины эпитаксиального слоя, стенки и дно которой покрыты слоем термического окисла кремния толщиной от 0,5 до 2 микрон, остальной объем канавки заполнен защитным наполнителем для повышения устойчивости к ионизирующему излучению. В результате такой конструкции периферии полупроводникового прибора ионизирующее излучение, попадающее в область периферии и за ее пределы под прямым углом, не изменяет электрические свойства полупроводникового прибора. Излучение, направленное под углом в сторону полупроводникового прибора, попадающее за пределами канавки, значительно ею ослабляется или отражается. Изобретение обеспечивает повышенную устойчивость полупроводниковых приборов к ионизирующему излучению. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
Наверх