Полевой транзистор

 

Полевой транзистор со встроенным каналом, содержащий электрод затвора и расположенные вдоль него контактные площадки, соединенные с электродом затвора посредством соединительной металлизации, причем контактные площадки и участки соединительной металлизации до канала расположены на высокорезистивном слое, отличающийся тем, что, с целью улучшения шумовых характеристик, под соединительной металлизацией в канале выполнен высокорезистивный слой, ширина которого удовлетворяет следующему неравенству: где D - ширина соединительной металлизации в области канала; Wк - ширина канала; n - количество контактных площадок.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к конструкции полевых транзисторов. Высокочастотные свойства полевых транзисторов, в частности шумовые характеристики, зависят от сопротивления металлизации затвора. Известны различные варианты расположения контактных площадок затвора, обеспечивающие уменьшение этого сопротивления. Контактные площадки располагаются на непроводящей части структуры. Известен полевой транзистор, у которого контактные площадки затвора присоединены к противоположным по ширине сторонам электрода затвора. Для таких транзисторов последовательное сопротивление металлизации где L длина затвора; d толщина металлизации затвора; удельное сопротивление металлизации затвора; W ширина затвора [1]
Наиболее близким к изобретению является полевой транзистор со встроенным каналом, содержащий электрод затвора и расположенные вдоль него контактные площадки, соединенные с электродом затвора при помощи соединительной металлизации, причем контактные площадки и участки соединительной металлизации до канала расположены на высокорезистивном слое [2]
Однако в таких транзисторах расположение части соединительной металлизации затвора на области канала создает для носителей тока условия невозможности достижения максимальной дрейфовой скорости в этой части канала и приводит к наличию паразитной емкости затвора, составляющей около 10% от общей емкости затвора, что отрицательно сказывается на высокочастотных свойствах. Цель изобретения улучшение шумовых характеристик транзистора. Это достигается тем, что в известном полевом транзисторе со встроенным каналом, содержащем электрод затвора и расположенные вдоль него контактные площадки, соединенные с электродом затвора посредством соединительной металлизации, в котором контактные площадки и участки соединительной металлизации до канала расположены на высокорезистивном слое, под соединительной металлизацией в канале выполнен высокорезистивный слой, ширина которого DWк удовлетворяет следующему неравенству:

где D ширина соединительной металлизации в области канала;
Wk ширина канала;
n количество контактных площадок. На чертеже изображен полевой транзистор. Он имеет электрод стока 1, электрод истока 2, электрод затвора 3, соединительную металлизацию 4, контактную площадку затвора 5, проводящий канал 6 и высокорезистивную область 7, выполненную с помощью ионного легирования протонами на глубину канала и так, что она находится под контактной площадкой затвора 5, соединительной металлизацией 4 и частью электрода затвора 6, непосредственно прилегающей к соединительной металлизации, т.е. устранена часть проводящего канала в области присоединения соединительной металлизации к затвору. Последовательное сопротивление металлизации затвора в устройстве согласно изобретению определяется выражением

И при условии равенства его величине

преимущества конструкции с присоединением контактных площадок вдоль затвора исчезают. Поэтому предложенное значение Wк определяется из неравенства

Выполнение высокорезистивного слоя по крайней мере под соединительной металлизацией затвора в области канала устраняет проводимость части канала с большой длиной затвора и с наиболее неравномерным распределением электрического поля в областях разрыва электрода истока (стока), уменьшает дополнительную паразитную емкость затвора. С учетом наложенных на Wк ограничений при малом Rм создаются условия для достижения носителями тока максимальной дрейфовой скорости в большей части канала. Это приводит к улучшению шумовых свойств транзистора. Использование изобретения позволяет создавать полевые транзисторы с улучшенными шумовыми характеристиками.


Формула изобретения

Полевой транзистор со встроенным каналом, содержащий электрод затвора и расположенные вдоль него контактные площадки, соединенные с электродом затвора посредством соединительной металлизации, причем контактные площадки и участки соединительной металлизации до канала расположены на высокорезистивном слое, отличающийся тем, что, с целью улучшения шумовых характеристик, под соединительной металлизацией в канале выполнен высокорезистивный слой, ширина которого удовлетворяет следующему неравенству:

где D ширина соединительной металлизации в области канала;
Wк ширина канала;
n количество контактных площадок.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть использовано в радиотехнических, СВЧ-устройствах и т.д

Изобретение относится к гетероструктурам полупроводниковых приборов, главным образом полевых транзисторов

Изобретение относится к силовым вертикальным транзисторам, содержащим МОП-структуру, изготавливаемую с применением двойной диффузии, имеющим электроды истока (эмиттера) и затвора на одной поверхности подложки, а электрод стока (коллектора) - на противоположной поверхности подложки

Изобретение относится к области твердотельной электроники и может использоваться при создании устройств, предназначенных для усиления, генерирования и преобразования ВЧ- и СВЧ-колебаний

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полевым транзисторам на гетероструктурах с селективным легированием (ПТ ГСЛ)

Изобретение относится к аналоговой технике и может быть использовано в МДП-усилительных и коммутационных устройствах, предназначенных для функционирования при криогенных температурах

Изобретение относится к электронной технике, преимущественно к производству МДП СБИС

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Полупроводниковый прибор включает утоненную подложку из монокристаллического кремния р-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), с выполненным на ней буферным слоем из AlN, поверх которого выполнена теплопроводящая подложка в виде осажденного слоя поликристаллического алмаза толщиной, равной по меньшей мере 0,1 мм, на другой стороне подложки выполнена эпитаксиальная структура полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, исток из AlGaN, затвор, сток из AlGaN, омические контакты к истоку и стоку, припой в виде слоя, включающего AuSn, медный пьедестал и фланец. При этом между истоком, затвором и стоком выполнен слой изолирующего поликристаллического алмаза. Изобретение обеспечивает повышение надежности полупроводникового прибора и увеличение срока его службы, а также позволяет упростить изготовление прибора с высоким значением теплоотвода от активной части. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В предлагаемом приборе объединены три полевых транзистора в единую вертикальную структуру с каналами n- и p-типами проводимости, между которыми образуется электрический переход, при этом исток p-канала расположен напротив стока n-канала, а сток p-канала - напротив истока n-канала. Истоки каналов соединены между собой с помощью проводника и дополнительной области с n+-типом проводимости, на которой сформирован исток n-канала, а стоки каналов имеют отдельные выводы. В приборе может быть один затвор (трехэлектродный прибор - вариант 1) или два затвора (четырехэлектродный прибор - вариант 2), расположенных на другой (второй) боковой стороне каналов. Ток в каналах проходит в одном направлении и создает на переходе обратное напряжение, которое запирает каналы. Прибор может содержать более одной единичной структуры, при этом затворы являются общими для соседних структур. Изобретение позволяет уменьшить размеры, повысить быстродействие и увеличить ток и выходную мощность прибора. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.
Наверх