Импульсный источник тока

 

ИШУЛЬСНЫЙ ЧСТОЧНИК ТОКА,. содержаогий iJesHcfop, один вывод которого соединен с управляющим вхрдом, один или несколько выходных транзисторов , коллекторы которых подключены к выходам, а эмиттеры соединены с общей шиной и эмиттером ограничивакяцего транзистора, от л и-ч аю щ и и с я тем) что, с целью увеличения быстродействия, в него введены три диода и ускоряющий Tpian3HCтор , коллектор которого соединен с управлякацим входом, база - с катодом первого диода, анод которого соеди-. йен с источником опорного напряжения , эмиттер - с базами выходных транзисторов и катодом второго диода, анод которого соединен с вторым выводом резистора и анодом третьего диода , катод которого соединен с базой и коллектором ограничивающего тран (О зистора.

СОКИ СОВЕТСКИХ . COWVNOI

РЕСПУБЛИК

П9) (11) 3 H 03 К 17 04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

: . ь ъ ., ..- .Ъ

Stiff gj /gap

Ф

° °

° Ф сю

1 ОСуДАРОТВЕНН1 1й ИОМИТЕТ CCn

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС ГВУ (31) 3413376/18-21 (22) 24 ° 03.82 (46) 07.08.83. Бюл.. 9 29 (72) Д.Е.Ковалдин, В.В.Баринов, В.Ф.Онацько и Н.A.Ïîäîïðèãîðà (71) Московский институт электронной.техники-(53) 621,375.083(088.8) (56) 1 Патент Великобритании

В 1483809, кл. Н 03 К 17/04, 1976. . 2. Микроэлектроника и полупроводниковые иборы. Сб. статей под ред. A.A.Âàñåíêîâà и. Я.А,Федотова, вып 1. М. "Советское радио", с.127, рис 2б (прототип) . (54) (57) ИИПУЛБСНЫЙ ИСТОЧНИК ТОКА,. содержащий резистор,. Один вывод которого соединен с уйравляющим входом, один или несколько выходных транзисторов, коллекторы которых подключены к выходам, а эмиттеры соединены с общей шиной и эмиттером ограни.чивающего транзистора, о т л и ч.аю шийся тем, что, с целью увеличения быстродействия, в него введены три диода и ускорякщий трайзистор, коллектор которого соединен с управляющим входом, база - c катодом первого диода, анод которого соеди-. нен с источнйком опорного напряжения, эмиттер - с базами выходных тран.зисторов и катодом второго диода, анод которого соединен с вторым выводом резистора и.анодом третьего диода, катод которого соединен с базой. Я и коллектором ограничивакицего транзистора.

1034181

Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и может быть использовано в схемах управления полупроводниковых устройств памяти большой информационной емкости, Известен импульсный источник тока, содержащий первый резистор, один вывод которого соединен с управляющим входом, а другой — с базой первого транзистора и анодом первого диода, коллектор первого транэисто- 10 ра соединен с общей шиной источника питания и одним выводом второго резистора, другой вывод которого соединен с катодом первого диода и коллектором второго транзистора, база которого соединена с базами выходных транзисторов, коллекторы которых являются выходами, эмиттером первого транзистора и одним выводом третьего резистора, второй вывод которого подключен к аноду второго диода, катод которого соединен с отрицательной шиной источника питания, к которой через соответствующие токозадающие резисторы подключены эмиттеры второго и выходных транзисторов 1).

К недостаткам данного импульсного источника тока следует отнести нелинейность обратной связи, что может служить причиной возникновения генерации, и низкую эффективность из-за наличия дополнительных цепей, потребляющих ток и рассеиваю щих дополнительную мощность.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является импульсный источник тока, содержащий резистор, один вывод которого соединен с управляющим входом, а другой — с базой и коллектором or- 40 раничивающего транзистора и базами одного или нескольких выходных транзисторов, коллекторы которых являются выходами, а эмиттеры соединены с эмиттером ограничивающего транзистора и общей шиной источника питания f2).

Недостатком известного источника является низкое быстродействие.

Цель изобретения — увеличение быстродействия импульсного источника тока.

Поставленная цель достигается тем, что в имп льсный источник тока, содержащий резистор, один вывод которого соединен с управляющим входом, один.или несколько выходных транзисторов, коллекторы которых подключены к выходам, а эмиттеры соединены с общей шиной и эмиттером ограничивающего транзистора, вве- 60 дены три диода и ускоряющий транэис тор, коллектор которого соединен с управляющим входом, база " с" като-,дом первого диода, анод которого соединен с источником опорного нап- 65 ряжения, эмиттер — с базами выход» ных трайзисторов и катодом второго диода, анод которого соединен с вторым выводом резистора и анодом третьего диода, катод которого соединен с базой и коллектором ограничивающего транзистора.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого источника тока.

Импульсный источник тока содержит резистор 1, один вывод которого соединен с коллектором ускоряющего транзистора 2 и управляющим входом 3, а другой - с анодами второго 4 и третьего 5 диодов, катоу второго диода 4 соединен с эмиттером ускоряющего транзистора 2 и базами одного или нескольких выходных транзисторов б. коллекторы которых поключены к выходам 7, а эмиттеры соединены с общей шиной 8:и эмиттером ограничивающего транзистора 9, база и коллектор которого соединены с катодом третьего диода 5, база ускоряющего транзистора 2 соединена с катодом первого диода 10, анод которого соединен с источником опорного напряжения.

Импульсный источник работает следующим образом.

Величина опорного напряжения, подаваемого на анод первого диода 10, выбирается таким образом, чтобы в статическом режиме как при низком, так и при высоком логическом уровне сигнала на управля .=: входе 3 ускоряющий транзистор 2 -x PcpBbIlR диод 10 были закрыты.

Если на управляющий вход 3 поступа ет сигнал низкого логического урово ня Ug Ugy, то через резистор 1, второй 4 и третий 5 диоды и выходной б и ограничивающий 9 транзисторы протекает ток на 1-2порядка меньший, чем импульсный рабочий ток.

Для включения тока на управляющий вход 3 подается сигнал высокогологи- ческого уровня U йх О х . Через резистор 1 протекает ток

U &х -20ве

1 >

R где U - падение напряжения на откБ9 рытом р-п-переходе, и - величина сопротивления резистора 1, а ток каждого из выходов 7 определяется по формуле бн

18 В,.+, где 8 - нормальный коэффициент усиМ ления тока выходных транзисторов б в схеме с общим змиттером;

К - число выходных транзисторов.

1034181

Составитель A.ßíîâ

Редактор М.Рачкулинец Техред И.Гайду Корректор АЛяско

Заказ 5643/59 . Тираж 936 Подписное

ВНИИПИ Государственного комйтета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород; ул.Проектная, 4

На положительном фронте импульса.08 происходит перезаряд барьерной емкости Св.„ обратносмещенного коллекторного йерехода ускоряющего транзистора 2. Если в выключенном состоянии емкость С была заряжена

5К до напряжения

4 y где 9 - потенциал базы ускоряющего транзистора 2 в выключенном состоянии, то во.включенном состоянии цс - ОЕ с - 2ЯГ9 Ъ tg

При пеРезарядег через емкость С „ протекает ток о

-0 ) С < с где t@ - длительность положительного фронта импульса У у. В силу того, что первый диод 10 закрыт, весь этот ток втекает в базу ускоряющего транзистора 2 и открывает его, что приводит к появлению дополнительного тока

15 (BH + lJ te tt втекающего в базы выходных транзисторов 6. При этом сокращается время

5 включения выходных транзисторов 6 и появляется дополнительный импульс тока выходов 7

«(- МФТИ + I5 акоп = + 1зъе

10 i К а на положительном фронте импульса U > . что позволяет сократить время включения соединенной с выиодами 7 нагpcs ки, Для выключения импульсного источника тока на вход 3 подается сигнал низкого логического уровня.

Введение в источник тока ускоряющего транзистора с тремя диодами позволяет улучшить быстродействие в 2-3 раза беэ потребления дополни тельной мощности в статическом режиме.