Способ изготовления тиристоров

Авторы патента:

Боронин К.Д.

Елисеев В.В.

Шек Е.И.

H01L21/332 - тиристоров

1. Способ изготовления тиристоров, включающий диффузию акцепторных примесей в шлифованную поверхность кремния, высокотемпературное окисление, фотолитографию, диффузию фосфора, повторное высокотемпературное окисление и обработку структуры для получения заданного времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов и упрощения технологического процесса, обе операции высокотемпературного окисления проводят в хлорсодержащей среде, упомянутую обработку структуры осуществляют при проведении повторного высокотемпературного окисления путем изменения концентрации хлорсодержащей компоненты, определяемой по градуировочной кривой зависимости времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе от концентрации хлорсодержащей компоненты в окислительной среде.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве хлорсодержащей среды используют смесь кислорода и четыреххлористого углерода с молярной концентрацией 0,2-3,0%.

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров

Способ изготовления двухоперационного диодного тиристора с запорным слоем со стороны анода и прозрачным анодным эмиттером // 2204180

Полупроводниковый элемент и способ его изготовления // 2237949

Способ изготовления силового запираемого тиристора // 1804663

Способ изготовления полупроводникового компонента с интегрированным поперечным сопротивлением // 2548589

Способ изготовления полупроводникового компонента, имеющего по меньшей мере одно интегрированное поперечное сопротивление, включает подготовку полупроводниковой подложки из легированного полупроводникового материала первого типа проводимости с легированной базовой зоной второго типа проводимости, маскирование поверхности полупроводниковой подложки, для того чтобы по меньшей мере частично вскрыть область сопротивления базовой зоны, осаждение на вскрытую область сопротивления легирующей примеси так что на вскрытой области сопротивления формируется тонкий покровный слой первого типа проводимости, имеющий высокую концентрацию легирующей примеси, разгонку осажденной легирующей примеси в области сопротивления таким образом, что из тонкого покровного слоя формируется более толстый слой, имеющий меньшую концентрацию легирующей примеси. Изобретение обеспечивает изготовление полупроводникового компонента с высоковоспроизводимым сопротивлением при минимальных технологических затратах. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.