Способ получения составной пленки и устройство для его осуществления

 

1. Способ получения составной пленки из разных элементов в вакуумированной реакционной камере на поверхности подложки путем поочередного контакта с ней паров веществ, содержащих эти элементы при их парцигшьном давлении, обеспечивакядем образование одного атомного слоя за один цикл, отличающий с я тем, что, с целью повышения чистоты и улучшения контроля процесса , после осаждения каждого атомного слоя в реакционную камеру вводят инертный разделяющий газ. ел

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (511 С 03 В 23/08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ н патенту

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2889600/23-26 (22) 27.02.80 (31) 790680 (32) 28.02.79 (33) Финляндия (46) 07.04.84. Бюл. Р 13 (,72) Туомо Сунтола, Арто Паккала и Свен Линдфорс (Финляндия) (71) Ой Лохья АБ (Финляндия) (53) 621.315.592(088.8) (56) 1. Патент США Р 4058430, кл.156-611, В 05 D 5/00, 1977 опублик. 1977 (прототип). (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СОСТАВНОЙ ПЛЕНКИ И УСТРОЙСТВО ЛЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ. (57) 1. Способ получения составной пленки из разных элементов в вакуумированной реакционной камере на поверхности подложки путем поочередного контакта с ней паров веществ, содержащих эти элементы при их пар11иальном давлении, обеспечивающем рбразование одного атомного слоя

sa один цикл, о т л и ч а ю щ и и с я тем,,что, с целью повышения чистоты и улучшения контроля процес. са, после осаждения каждого атомного слоя в реакционную камеру вводят инертный разделяющий газ.

1ПЯ551(2. Устройство для получения составной пленки иэ разных элементов, включающее реакционную камеру, соединенную с вакуумной системой, установленный внутри нее держатель для подложек, источники паров веществ, соединенные с реакционной камерой и снабженные средством регулирования подачи паров, и нагреватели, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что оно снабжено источником инертного разделяющего,газа, соединенным с реакционной камерой.

3. Устройстно по и. 2, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что источники паров веществ соединены с реакционной камерой трубкой, к которой

Изобретение относится к способам получения составных пленок разно:го состава и устройству для осуще1 стнления этого способа.

Наиболее близким к предложенному является способ, согласно которому процесс ведут в вакуумированной камере путем поочередного контакта с подложкой паров веществ, содержащих различные элементы при парциальном давлении, обеспечивающем .образование одного атомного слоя за один цикл. Устройство для осуществления этого способа включает реакционную камеру, соединенную с вакуумной системой, установленный внутри нее держатель для подложек, источники паров веществ, соединенные с реакци о онной камерой и снабженные средством регулирования подачи паров, и нагреватели (1) .

Недостатками известных способа и устройства являются невысокая чистота получаемых слоен и трудность контроля процесса.

Цель изобретения — повыаение чистоты и улучшение контроля процесса.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения составной пленки из разных элементон в накуумиронанной реакционной камере на поверхности подложки путем поочередного контакта с ней паров веществ, содержащих эти элементы при их парциальном давлении, обеспе чивающем образование одного атомного слоя эа один цикл, после осаждения каждого атомного слоя в реакционную камеру нводят инертный разделяющий газ. подсоединен источник ннертного разделяющего газа.

4. Устройство по п. 3, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что источник инертного разделяющего газа подсоединен к трубке с помощью импульсного клапана.

5. Устройство по п.2, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что реакционная камера выполнена н виде секцийу которые с одного конца соединены с вакуумной системой, а с другого поочередно подсоединены к источникам паров неществ и источнику инертного разделяющего газа, а держатель подложек установлен с воэможностью вращения и выполнен н ниде лопастного колеса.

При этом устройство для получения составной пленки из разных элементов, включающее реакционную камеру, соединенную с вакуумной систе5 мой, установленный ВнутРи нее держатель для подложек, источники паров веществ, соединенные с реакционной камерой и снабженные средством регулирования подачи паров, и нагре 0 натели, снабжено источником инертйого разделяющего газа, соединенным с реакционной камерой.

Преимущественно, источники паров веществ соединены с реакционной камерой трубкой, к которой подсоединен источник инертного разделяющего газа.

В одном варианте источник инертного разделяющего газа подсоединен к трубке с помощью импульсного

20 клапана.

В другом варианте реакционная камера выполнена в виде секций, которые с одного конца соединены с вакуумной системой, а с другого поочередно подсоединены к источникам паров веществ и источнику инертного разделяющего газа, а держатель подложек установлен с возможностью вращения и выполнен в ниде лопастного колеса.

На фиг.1 показаны импульсы химически активных паров А и В и диффузионный барьер между ними; I a фиг.2 — перный вариант горизонтально. го устрОйства, разрез; на фиг.3 разрез А-A на фиг.2; на фиг.4 — эф-, фект самостабилизирования скорости роста, получаемый при предлагаемом способе, в сравнении с известным;

40 на фиг. 5 - типичный магнитный кла-.

108551Ï

65 пан, испол ьзуемыи как источник импульсов химически активных паров в соответствии с предлагаемым способом; на фиг.б — вариант выполнения источника импульсов химически активных паров в соответствии с предлагаемым способом; на фиг.7 упрощенная схема циркуляции источника импульсов по фиг.б; на фиг.8 вертикальный вариант выполнения устройства, разрез; на фиг.9 — разрезы Б-Б, В-В и Г-Г на фиг.8; на фиг.

10 — второй вариант горизонтального устройства, разрез;на фиг. 11 — то же, вид сверху; на фиг.12 — вариант выполнения источника импульсов, который предназначен для использования в устройстве по фиг.10, разрез; на фиг. 13 — схематическое изображение варианта выполнения устройства при возвратно-поступательном перемещении подложек; на фиг.14 — разрез

E-E на фиг.13; на фиг.15 — схематическое иэображение электролюминесцентной структуры тонкой пленки, созданной при помощи предлагаемого способа (согласно примеру 4}; на фиг. 16 — кривые измеренной яркости и светоотдачи, характеризующие электролюминесцентную структуру, показанную на фиг.15; на фиг. 17 — измеренные электрические свойства тонкой пленки из А(03, изготовленной согласно примеру 5.

Согласно изобретению импульсы различных химически активных паров последовательно направляют к подложке, вызывая рост составной тонкой пленки. Например, такие импульсы химически активных паров (фиг.1)

А„ и В при парциальных давлениях

Р между которыми имеется диффузионный барьер, проводят через реакционную камеру, где длина диффузионного барьера х в газо азовой среде

В

С, имеющей скорость при движении в направлении х. Величина tВ -длительность диффузионного барьера, который по существу препятствует взаимодействию веществ паров, предотвращая тем самым сколько-нибудь значимое их воздействие на окончательный продукт.—

Устройство для получения составной пленки (фиг. 2) содержит стеклянную реакционную камеру 1, являющуюся основным телом конструкции, источник 2 с трубкой 3, соединяющими источник с зоной 4 реакции, находящейся внутри камеры, вакуумный насос

5 с выходным патрубком 6, отходящим от камеры и служащим для поддерживания давления Р, и нагреватель 7, расположенный вокруг зоны 4 реакции. .В зону реакции через отверстие 8 в торце реакционной камеры 1 помещают подложку (или подложки) 9,. В процессе выращивания тонких пленок

10 t5

10 температуру подложек поддерживают при помощи нагревательных»лементов 11, регулируемых стандартным средством регулирования. I, пульсами химически активных паров, исходящими из источника 2, управляют посредством обычного хронирующего уст. ройства и последовательно направляют их в зону реакции согласно принципу эпитаксии атомного пучка ЭАС и предлагаемому способу.

Изобретение позволяет получать эффект самостабилизирующейся скорос ти роста (иг.4).Кривая а показывает толщину профиля тонкой пленки, выращенной в соответствии с изобретением и при помощи устройства, показанного на фиг.2. Профиль толщины 1 получен в результате выращивания соответствующей тонкой пленки, осуществленного при помощи известных средств, когда два химически активных пара должны одновременно реагировать с подложкой.

Для подачи импульсов химически активных паров используют два основных вида устройств. Первое — это механические клапаны, представляющие собой известные приспособления для подачи химически активных материалов, которые обладают хорошей летучестью при комнатной температуре (фиг. 51. Такие клапаны содержат патрубок 12, корпус 13, соленоид 14 и запорный элемент 15, клапанное отверстие 16 и патрубок 17 подачи инертного несущего газа сообщаются непосредственно с идущей от источника соединительной трубкой 3. Работой клапана управляет хронирующее устройство 18.

При другом выполнении импульсного источника (фиг.б) механическое клапаннсе действие заменено управляемыми диффузионными барьерами в соединительной трубке между источником и реакционной камерой. Этот тип источника предпочтителен в случаях, когда хими:,ески активный материал имеет низкое паровое давление и должен, следовательно, направляться в реакционную камеру при повышенной температуре. Химически активный пар получают путем нагрева химически активного материала М в твердом или жидком виде в зоне 19 источника при помощи нагревательного элемента 20. В запертом положении диффузионный барьер формируют в трубке 21 источника при помощи несущего газа, подаваемого из соединительной трубки 22 и выводимого через соединительную трубку 23 к откачивающему насосу 24. Соответствующий диффузионный барьер формируют и в соединительной трубке 3 источника с целью предотвращения диффузии паров, нахо10855) 0 дящихся в камере реакции, н источник. B запертом положении химический пар, созданный н зоне 19, направляют в зону 25 конденсации, где он может быть охлажден при помощи охлаждающего элемента 26. Управляя клапаном 27 источник из запертого положения переводят н положение подачи с целью выпуска дополнительного количества несущего газа, поток которого достаточно сильный, чтобы отклонить направление потока н выходной трубке 21 источника.

40 устройство для получения составнои пленки по второму варианту (фиг.

101 содержит трубчатую реакционную камеру, источник и средство откачки. Корпус реакционной камеры 28 изготовлен иэ нержанеющей стали и покрыт изнутри стеклянными пластинами 29. Средство откачки нключает нагревательный элемент 30, зону.31 конденсации и перегородку 32 для управления потоком газа. Регуляторы температуры и хронирующее устройстисточника импульсов показаны соответственно блоками 33 и 34. В источнике импульсов (фиг.12}, предназначенном для использования в этом нарианте устройства, трубки 3,22 и

21 имеют коаксиальное расположение, образованное выходной трубкой 21 источника и стеклянной трубкой 35„ Наружный корпус 36 источника выполнен из нержавеющей стали.

В обоих вариантах устройства 35 (фиг.2 и 10) подложки в реакционной камере в процессе выращивания тонкой пленки находятся в неподвижном положении..Химически активные пары импульсами проходят через камеру и перемещаются несущим газом, формирующим диффузионные барьеры между импульсами химически активных паров.

Другой способ согласно изобретению включает использование вариан- 45 тов, в которых локально фиксированные потоки химически активных паров отделяют один от другого локально фиксированными потоками газов, образующих диффузионные барьеры. В таких устройствах циклического альтернативного взаимодействия между поверхностью подложек и поочередно подаваемым каждым потоком химически активного пара достигают путем вращения или путем другого периодического механического перемещения подложек. С точки зрения поверхности подложек в обоих случаях имеет место аналогичная ситуация, при которой подложку после- 60 довательно подвергают воздействию каждого химически активного пара в гаэофазовой среде, осуществляющей разделение паров путем формирования между ними диффузионных барьеров. 65

Варианты ныполнения устройств, предусматривающие создание локальнофиксиронанных потоков химически активных паров, представлены на фиг, 8,9, 13 и 14. В варианте, показанном на фиг. 8 и 9 два источника 38 химически активных паров размещены в двух противоположно расположенных колонках 39 и 37 корпуса 40 устройства. Источники подогреваются нагревателями 41. Химически активные пары диффуэией или с помощью несущих газон направляются вверх, где они встречают подложки 9, установленные но вращающемся держателе 42, образующем конструкцию, схожую с лопастным колесом. При вращении лопастного колеса подложки поочередно встречают каждый поток химически активного пара при прохождении последнего через колонки 39 и 37 соответственно. Потоки несущего газа, выходящие из трубок 43 и 44 в колонки 45, нходят в химически активные пары в пространстве между подложками при прохождении через колонки 45. B каналах, заключенных между подложками, условия течения потока аналогичны условиям течения в варианте выполнения устройства, показанном на фиг.10.

На фиг. 8 обозначены средство

46 для вращения подложек, нагреватель 47 расположен против зоны реакции, между вертикальными поточными каналами 39, 37 и 45 на фиг. 9А, соответствующими каналам

39, 37 и 45 на фиг. 9 В, расположены стенки 48.

В варианте устройства, изображен. ном на фиг.13 и 14, взаимодействие между поверхностью подложек и химически активными парами происходит за счет возвратно-поступательного перемещения подложки 9 над неподвижным рядом отверстий 49 источника, отверстий 50 несущего газа и выходных отверстий 51. Диффузионные барьеры (фиг. 14) формируют между поверхностью подложки и телом 52, содержащим ряд отверстий для пропуска потоков газа. Работа этого устройства возможна даже при атмосферном давлении и без практически невыгодной высокой общей скорости движения потока несущего газа. На фиг.13 и 14 обозначены трубка 53 подачи несущего газа, соединительные патрубки

54 источника, выпускная трубка 55 и источники 56 и 57 химически активных паров.

Поскольку процесс типа ЭАС состоит в сущности из тысяч одиночных ступеней поверхностной реакции, обеспечинающей выращивание тонкой пленки, общее время 1Р процесса стремится быть длительным, если не уделять особого внимания минимальному сокра1085510

50

60 — =Эь Р, У

Я где 2 — коэффициент диффузии химически активного пара в несущем газе. 65 щению задержек в циклах реакции. В целом добротность Е процесса выращивания тонкой пленки можно представить формулой

E=T AS/(tpqt ), (1) где T — толщина пленки;

А — площадь подложки, подвергаемой покрытию; время прохождения процесса; время загрузки и выгрузки устройства. 10

Стоимость устройства, расход мощности и КПД истоЧника материалов не учитываются.

В процессе типа ЭАС толщина тонкой пленки может быть выражена в <5 ,виде

НТ01 (2) где Т вЂ” толщина, полученная за один цикл реакции;

4 — количество циклов.

Время процесса 1р может быть выражено <,-и 1,, (3) где время одного цикла <О есть сумма периодов импульсов различных 25 химически активных паров <,t2,„., ù и интервалов <<, 4 2,,4 <„, между йими, необходимых для формирования диффузионных барьеров.

В случае простого бинарного сое- 30 динения AB to имеет вид:

t î 1 А <А с Ь <8 (4)

Площадь A подложки, подлежащая обработке.при проведении процесса, определяется размерами устройства и может меняться в широких пределах при использовании вариантов осуществления изобретения. Анализ работы, включающий также влияние размеров устройства, практически сводится к 40 анализу участия в цикле реакции временных показателей 1л, и 1;„,. Подробный анализ сделан применительно к вариантам устройств, показанным на фиг. 2,3 10 и 11, в которых поток несущего газа движется со скоростью Ч в трубчатой реакционной камере, имеющей свободную площадь

A сечения, согласно фиг.1, где общее давление Р4 и парциальное давление

РА импульсов A „ и В4< химически активных паров распространяются вместе с потоком несущего газа в направлении х.

Импульсы химически активных паров имеют тенденцию к расширению 55 при распространении, благодаря диффузии в несущем газе, о чем свидетельствует уравнение

В условиях ламинарного течения в реакционной трубке, если пренебречь влиянием профилей радиальных скоростей, уравнение (5) может быть заменено уравнением диффузии в на" правлении х: р d2ð (6)

Для простоты давления P по крао ям импульсов принимают постоянным при диффузии, получаемой в граничных условиях. Это предположение так,же верно для расчета диффузионного барьера, формируемого в локально фиксированных местах, например в источнике, показанном на фиг. 6 и 7,и в варианте, изображенном на фиг. 14 и 13. Решение уравнения 6 следующее

Р(<Д=Р 0 B.O. (х) 2 "И, (7) где х — расстояние от краев импульса время с.момента подачи импульса;

Ц,В.О. — интервал вероятности ошибок.

Изобара давления распростирается от краев импульса в соответствии с

x=2 С DC, (8 < где С< означает

И. В.О. С„=Р„ /P (9)

Диффуэионйый барьер, .обладающий способностью понижать парциальные давления А< и В> на величину PP

) имеет длину х в соответствии с уравд1 нением (8) х =2 х =4 С 0407. (10)

При скорости Ч несущего газа длина диффузионного барьера х на расстоянии L от точки подачи импульсов химически активных паров может быть выражена в виде: х «4 С< <ОЦч (11) что соответствует интервалу tb между химически активными импульсами, определяемому форм лой:

=х /Ч =4 CO DL)Ч. (12)

Для йрактических расчетов коэффициент диффузии целесообразно представить в виде:

13=D" tP, (13) где постоянная величина <.4 не зависит от давления .диффузионной среды может быть, таким образом, представлен в виде

=4 с1.И" L/÷ Ð. <141

Согласно уравнению (14) Ед находится в большой зависимости от скорости Ч несущего газа, которая может быть выражена в виде

Ч =б/А, (15) где 5 — скорость откачки;

А — свободная площадь сечения реакционной трубки.

Использование минимального количества несущего газа для некоторой величины ведет к получению его высокого количества при низком давле1085510

10 нии, которое, однако, не может быть

Ро

При определении пределов парциального давления химически активных паров Р можно исходить иэ общей атомной или молекулярной дозы, необходимой для полного покрытия поверхности подложки. Согласно кинетической газовой теории и рассматриваемой геометрии распространения количество молекул химически активного газа в импульсе можно выразить в виде

Ро ° А /кт, (16) где t p — длительность импульса.

Если количество атомов, необходи- 15 мое для формирования полного покрытия на единице площади Йg и эффективность использования химически активных паров >>, то число молекул, необходимое для импуль- 30 са химически активного пара,определяется по формуле и,=N Ae)n (1 7), где А — площадь подложки.

Делая >>, = » получаем

Чэ Аэ К1 (1@ -Ч, Уравнение (18), однако, содержит показатель длительности t импульса при данной величине Р . При минимальной величине 1„ Р понижается. Верхний предел P устанавливают по давлению несущего газа, которое призна» но предпочтительным для минимального оптимального потока,Р; Ч и1оусловий.

Малый поточный уровейь по прежнему выгоден для минимальных радиальных профилей давления Ро химически активного пара. Для простого бинарного соединения АВ, выращиваемого при4О помощи химически активных паров A и Э минимальная величина периода процесса. определяется по формуле

4р ==2(tz t, ) > (19) 45 котоРУю полУчают, ДелаЯ „=1 э =1„ и (А = !В =tz

В вариантах осуществления изобретения практические порядки величин для 1в и 4 q составляют О, 1-1 и О, 05

0,5 с соответственно при общем давле нии Р 0,5-5 мбар. При проверке анализа однораэмерной диффузии можно заметить, что обычно как ширина импульсов < (V /t, ) так и ширина диффузионных барьеров кд.5 больше диаметров реакционных трубок, что может рассматриваться как критерий для однораэмерного подхода. В приведенном выше анализе предполагалось, что импульсы химическИ активных паров в точки их подачи имеют реэкообрывные края. При источнике, показанном на фиг.5, это легко достигается посред ством использования обычных клапанов. Б случае применения источника, изображенного на фиг. б и 7, для получения желаемой ситуации необходимо провести подробный анализ.

Запертое состояние источника получают в случае, когда диффузионные барьеры формируются в трубках 43 и 12. Условиями для образования таких диффузионных барьеров могут служить поточные уровни fZ и f3 в этих трубках, при дифференцировании уравнения (8), которое позволяет определить скорость М,) иэобары в несущем газе ц:= — СЕЯ /47=2СЕ ЭХ=2С8 D"/ХР, (гней

dt

Диффузионный барьер создается уровнем1,) потока, который обеспечивает скорость Ч - Ч несущего газа в канале с площадью А поперечногс сечения

Ч = f(3/A,. p2C0 D /xp (21)

Тогда

2AZCe D È (22)

На схеме циркуляции, изображенной на фиг. 7, условия формирования диффузионных барьеров в каналах 43 и

12 могут определяться:

fdic 3 2А С D /1, (23)

, (24) где А и А — йлощади поперечного

3 сечения„

I и Ь 3 - длина каналов соответственно 43 и 12.

Условие ввода импульса получан>т путем пропуска потока несущего газа через клапан 5,. Время нарастания подачи газа из источника легко сводят к минимуму, по сравнению с . и

1 >но определенное внимание следует уделять значениям объема источника С и проводимости,, ги с с целью обеспечения короткой задержки в момент выключения. При обычных условиях уровень 1 газового

0 потока, проходящего через канал, можно представить в виде

<= (PA Pe) (25) где P и Р— давления на конце канад s ла;

g — - постоянная, зависящая от геометрии канала и свойств данного газа.

При помощи уравнения (25) и схемы циркуляции, показанной на фиг.7, определяют давление источника Рс как функции времени, текущего с момента выключения клапана: (26)

af ll-! ссл ) где Р— давление источника при E =0; ц (1+Р IPñp (1 Р а> Рсо) >

Cp>

1085510 (м) ну

t 6) 1„1 ь+1 . (3 5)

20 . (36) Предел безопасности получения минимального интервала между двумя импульсами химически активных паров может быть обеспечен добавлением времени задержки импульса 16 к времени В

Анализы, сделанные для условий формирования диффузионных барьеров в газофазовой среде, были исполь- 39 зованы применительно к вариантам устройств, показанным на фиг.2,3, 10 и 11. Кроме того, сделан анализ, непосредственно относящийся к случаю, представленному на фиг.8 и 9, З5 и легко изменяемый для приложения к случаю на фиг. 13 и 14.

Пример 1. Вариант устройства, изображенный на фиг.10 и 11, имеет следующие параметры: зона ре- 4

40 акции — длина L =40 см, площадь поперечного сечения основного тела

A<=14 14 см, свободная площадь

2 поперечного сечения A=150 СМ, скорость откачивающего насоса

&60 мг/ч; источник (фиг.12) — объем С=210 см, отверстие источника ф

0,7 10 см, g., =1400 см/мбар с, соединительный патрубок (12)Р1,1 10 см,, $,=8800 см /мбар с, выпускной патруЯ бокф,=100 cM /мбар. с.

S0

Эксплуатационные параметры (типичные): давление в зоне реакции .P = 2 мбар, давление откачивающего насоса Р8 =0,4 мбар, поток газофаэовой среды (аргон) источника 1о =

=5500 мбар cM3/c, давление импульса в источнике Р =3 мбар.

Используя данные параметры, мож,но вычислить следующие величины:

60 ф =1208 см /мбар с, P =2,07 мбар, b=1,067,532 =89 мбар см /c (соответствУет изобаРе PPM/Р /Ро =10 в Центре диффузионного барьера), =0,.030 с =0,05 с, 41) =0,74 с. 65

55 р 5. Изготовление пленки А 2 О, Способ аналогичен способу в

2 примере 2 только Та СВ заменяет а

А С81, при 95 С. Процесс, включающий

2800 циклов, позволяет получить тон/2ф" Pcn . (29) — g2/(1+ ф 2g ); (30)

Давление Р2 (фиг. 7) имеет величи

=Ио бг с.1 Э) y) j(фг Кз)

Диффузионный барьер в трубке получают при 2=(,(р - с))

133) фо g,(P„-.Pî )((gгig ) A)2 (44) Время наРастания t> диффузионного барьера, равное задержке выхода импульсов из источника, может быть определено по формулам (34) и (26) и составляет

Beэопасный временной интервал между импульсами равен примерно

4,=0,8 с. На практике использовали величину (; =- 1 с.

Пример 2. Изготовление тоь. кой пленки из соединения Та„05 с использованием параметров ойределенных в примере 1.

Подложки (б шт.) — плавленное стекло размером 0,3 1.0 20 см о температура в зоне реакции Т=-300 С, парообразные вещества: Та, C0 из источника (фиг.12) при 140 C %. =0,2 с;

НО иэ источника, показанного на фиг. 5 (,, (Н20) =0,2 с, Т (Н20) =15 С, Выращивание за 2500 циклов позволяет получить тонкую пленку из Та20 толщиной 1000 А на подложках.

Пример 3. Изготовление тонких пленок из п5 с примесью марганца N)) . Вариант устройства согласно примеру 1. Подложки, как и в примере 2, или предпочтительно гранулированное стекло 7059. Температура в зоне реакции 450ОС.

Пары химически активных веществ:

ZnC0 и NnC02 иэ источников на

2 о фиг. 12 при 380 и 510 С соответственно. Импульсы ZnCE2 и NnC)) < из источников подают одновременно при t =

=0,2 с. Иэ источника на фиг.5 подают сульфидирующее вещество Н,25

4 (H25) =-0,2 с.

Выращивание за 4500 циклов позволяет получить пленку из 7 рб(Ми) толщиной 4000 А на подложках.

П р е р 4. Тонкие пленки из Та205+ в9 (Nn) +Та205 изготавливают в соответствии с примерами 2 и 3 на стеклянных подложках, покрытых тонкой пленкой проводящего прозрачного слоя индия — окиси олова, и тонкую пленку покрывают контактным слоем из алюминия, обеспечивая получение электролюминесцентной структуры, показанной на фиг.15. Подложка

58 покрыта прозрачным проводящим слоем индия — окиси олова 59, который в свою очередь покрыт первым изолирующим слоем 60 из Та 0 плен кой 61 из Zn5(Nn), вторым йзолирующим слоем б 2 из Та О и алюминиевым электродом б 3, позволяющим прилагать электрическое поле к слоистой структуре, заключенной между слоями 59 и 63. При возбуждении 2 крц с синусоидальной волной характеристики яркости и светоотдачи структуры представлены на фиг.16. Кривая В показывает яркость в зависимости от напряжения возбуждения, кривая е — светоотдачи.

14

108551 0

1З кую пленку из АР, О толщиной 2200 А о при температуре в зоне реакции 250 С.

Были измерены электрические характеристики пленки иэ окиси алюминия в многослойной структуре, в которой слой А8>О образует изолятор пластинчатого конденсатора между электродами из алюминиевой тонкой пленки, имеющий активную площадь 5> 5 мм.

На фиг, 17 кривая С показывает измеренную емкость в зависимости от частоты, кривая †диэлектрическ потери. ояь." о ри б с й, 40

Щч. 8

1 () 8 > 10

--,77

Риг. У г

tpua f0

108 510 р, 1f

pus. Y

1085510 фиг, 1д

100

10855 ) 0

100 / л/g фсп. f7

Заказ 2049/56 Тираж 469

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель В.Безбородова

Редактор И.Николайчук Техред С.Легеза

Корректор О.Билак