Сегнетоэлектрический керамический материал

 

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, содержащий BaTiO Се02 или его концен трат, .о тличающийс я тем, что, с целью увеличения диэлектрической проницаемости и уменьшения тангенса угла диэлектрических потерь, он дополнительно содержит МпО при следующем соотношении исходных компонентов, мае.% 93,6-97,5 BaTiO Nb,0 0,6-2,0 или его концентрат СеО-, 0,3-1,5 0,3-1,6 въгОэ Ti02 0,2-2,0 0,1-0,3 МпО S (Л с

СОЮЗ СОЕЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

3(51) С 04 В 35 46

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТ0РСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

0,3-1,5

0,3-1,6

0,2-2,0

0,1-0,3

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3442206/29-33 (22) 21.05.82 (46) 15.04.84. Бюл.У 14 (72) Н.A.Андреева, Т.A.Балакишиева, В.И.Жуковский, Г.Н.Макарова, Б.А.Ротенберг, Д.А.Андреев, О.В.Константинов, Л.А.Голубцова, В.С.Костомаров и Л.A.Cîëoâüåâà (53) 666.655(088.8) (56) 1. Вопросы радиоэлектроники, сер,3, вып.5, 196?, с.21-26.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 471616, кл. Н 01 0 3/09, 1973 (прототип) ° (54)(57) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, содержащий

„„Я0„„ ЯДОЯ А

Ba Ti O>, Nt С, Се".< или era концентрат, БЬ О,отличающий с я тем, что, с целью увеличения диэлектрической проницаемости и уменьшения тангенса угла диэлектрических потерь, он дополнительно содержит

Т О и Мпо при следующем соотношении исходных компонентов, мас.Ъ

BaTiOq 93,6-97, 5 иь, о 0,6-2,0 или его концентрат

О аког

"b2O3

Т1О

Мпо

1085964

Изобретение относится к радиоэлектронной -,åõíèêå и может быть использовано в производстве многослойных монолитных керамических конденсаторов с палладиевыми электродами.

Б настоящее время как н отечествен-5 ном, так и в -арубежном конденсаторостроении для изготовления сегнетокерамических конденсаторов используют преимущественно материал на основе титана бария. Б СССР для изготовления10 монолитных керамических низкочастотных конденсаторов на рабочую температуру до 125» C широко используют в протпаленности сегнетокерамический материал Т-1000, разработанный на ос-15 ,нове титаната бария,титаната висмута с добавками титаната стронция и пятиокиси ниобия (lj .

Величина диэлектрической проницаемости материала 7-1000 равна 15001700. Удельное обьемное сопротивление при 125 С равно 10 См см. Тангенс угла диэлектрических потерь (,рд=

0,015+0,025 при 20 C. Монолитные конденсаторы с платиновыми электрода— ми, изготовленные из материала Т-100025 имеют стабильность емкости, отвечающую группе НЗО, т.е. изменение емкости в интервале температур от -60 до

+ 125 С по отношению к емкости при а

20 С не превышает +ЗОЪ. Для раэвива- 30 ющейся промышленности необходимо иметь монолитные конденсаторы с большей удельной емкостью, болсе низким тангенсом угла диэлектрических потерь, для которых в качестве электродов можно использовать палладий вместо деФицитной платины.

Наиболее близким к изобретению техническим решением является сегнетоэлектрический керамический матери»ал следукщаго состана, мас. Ъ:

"82 0,3 — 3,0

0,3-3,0 " г" 0,4-4,0 г» :. - . о э Остальное данный материал pìåår величину ди-45

О электрической проницаемос fè F /Е

2300-?700, а изменение Г в интервале те »ператур от -60 до +125" С не превы— мает +20Ъ, тангенс угла диэлектрических потерь О, 01 2 вЂ, 018 (2f . 50

Однако этот материал не обеспе— чинает получения величины диэлектри - есной и роницае ости Е / ;, более

2600, а также тангенса угла диэлектрических потерь менее О, 012, что 55 является его существенным недocrdr ком.

Пель изобретения — увеличение ди-:лектрической проницаемости и уменьtr!oHèo танге;-Ic а угла диэлектрических потерь.

Указанная цель дос гиг ется тем, что известный сегнетоэлектрический керамический латериал, содержащий

PaTiO9, Jb2o<, С».»02 или его концентрат, ."Ь2OЭ, ДогоЛнительно ссдержит

Тi02 ; ИпО при следующем соотношении исходных компонентов, мас.Ъ:

BaTiО> 93,6-97»5

ЦЬ2 О б 0,6 — 2,0

Ое02или его концентрат 0,3-1,5 "2 Оэ 0,3-1,6

Т1 02 0,2 — 2,0

Ипо 0,1-0,3

П р е р 1, Для получения состава, содержащего мас.Ъ: НаТьбэ

93,6; ЕЬ20 1,0; (OZ 1,5, НН»9 1,6;

Т102 2,0; Мп0 0,3 загружают в вибромельницу в виде йорошков следующие вещества, мас.Ъ; титанат бария

93,5; оксиды ниобия 1,0; церия или его концентрат 1,5; сурьмы 1,6, титана 2,0 и углекислый марганец 0,4.

Характеристики этого материала следующие: диэлектрическая проницаемость при 20 С Е /Е, = 2900; тангенс угла диэлектрических потерь при 20 С t-0 = 0,006.

Свойства материала в зависимости от составов приведены в таблице.

Компоненты для получения материала перемешивают в вибромельпице в течение 2-3 ч, в результате чего f!o лучают тонкоизмельченн IA порошок, к которому добавляют попивиниловый спирт либо раствор каучука, а затем получают образць» либо грессованием дисков, либо отливкой через фильеру пленки, на которую наносят палладиевь1е электроды. Образцы обжигают при

1320-1400пC н течение 2 — 4 ч и получают дисковые или монолитные заготов ки конденсаторов из предлагаемого сегнетокерамического материала. Пред— лагаемый материал имеет величину диэлектрической проницаемости при 20 С

2660 †29, тангенс угла диэлектрических потерь при 20 С я»» 0,006—

0,01. конденсаторы, изготовленные из этого материала, име.пт высокую стабильность емкости по группе Н20 в интервале температур от -60 до +125 С.

Предлагаемое изобретение позволяет получать качественные конденсато ры с большей удельной емкостью и более низким значением rv>

Технико-экономическая э4»Фектинность прецлагаемого материала cocrîиr в использовании палладиевых электродов вместо дорогостояших платино— вых при одновременном y íó÷a!åíии характеристик материала.

10Р5964

Показатели

Состав, мас.Ъ

5 2

Е/Я„при !.yg

20 ОС

2 3 2

МпО

ВаТ!.О>

2900

0,3

2,0

1,6

1,5

1,0

93,6

2600

0,1

0,2

0,3

0,3

1.6

97,5

2760

0,2

1,5

0,5

1,0

0,6

96,2

2620

0,1

0,2

0,3

0,3

2,0

92,1

Составитель Н.Фельдман

Редактор Т.Колб Техред А.Бабинец Корректор Г.Огар

Заказ 21. 64/23 Тираж 606 Подписное

PHHHf!H Государственного комитета СССР по делам иэобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.,д.4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул,Проектная,4

0,006

0,010

0,008

0,009

Сегнетоэлектрический керамический материал Сегнетоэлектрический керамический материал Сегнетоэлектрический керамический материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к керамическим однородным суспензиям керамического порошка и способу их приготовления

Изобретение относится к керамической полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления полупроводниковой керамики на основе титаната бария, а также полупроводниковой керамики с позисторным эффектом

Изобретение относится к материалам для электронной техники, которые могут быть использованы для изготовления изделий СВЧ-техники и микроволновой техники
Изобретение относится к керамическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектронике, и может быть применено для изготовления приемных и передающих устройств, зондов для диагностики полупроводящих сред, а также для получения сверхтонких пленок для микроэлектротехники

Изобретение относится к созданию материалов на основе титаната бария

Изобретение относится к производству материалов для электронной техники и может быть использовано в технологии производства изделий микроволновой и СВЧ-техники
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к составам и способам получения керамических резистивных материалов
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способу изготовления нагревательных терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления

Изобретение относится к области электроники, более конкретно к пироэлектрическим материалам для неохлаждаемых приемников инфракрасного излучения диапазона 8-14 мкм

Изобретение относится к низкотемпературным стеклокерамическим материалам и может быть использовано в электронной технике СВЧ
Наверх