Ртутный зонд

 

РТУТНЫЙ ЗОНД, содержащий корпус , камеру для размещения ртути, капилляр и механизм для перемещения ртути , отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений Ьутем обеспечения очистки капли ртути , в корпусе выполнена дополнительная камера с двумя каналами, один из которых снабжен клапаном и соединен с основной камерой, а другой соединен с капилляром.

СОЮЭ СОВЕТСНИХ

РЕСПУБЛИН

ОЮ (И) 3(ц Н 01 L 21/66

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТН-1ИЙ И ОТНРЪГПЙ (21) 3389476/18-? 1, 351?211/21 (22) 01.0?.82 (46) 30.07.84. Бюл. N - 28 (72) И.А. Фомин, Н.М. Анненко и А.И. Варламова (53) 621.382.2(088,8) (56) 1. Авторское. свидетельство СССР

N- 721729, кл. Г 01 N 27/02, 1978.

2. R.S. Nachmanson, P.P. Dobrovolsku "Phys. stat, sol" (а), 1970, 19, 225-241 (прототип). (54) (57) РТУТНЫЙ:ЗОНД, содержащий корпус, камеру для размещения ртути, капилляр и механизм для перемещения рту. ти, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений йутем обеспечения очистки капли ртути, в корпусе выполнена дополнительная камера с двумя каналами, один из которых снабжен клапаном и соединен с основной камерой, а другой соединен с капилляром.

1105963 2 пусу 1 посредством оправы 1Р, накидт- ной гайки 11 и шайбы 12, штоки 13 и

14, коромысла с грузиками 15 и 16.

Устройство работает следующим образом.

Ртутный зонд устаналивают на поверхность измеряемого образца (на чертеже не показан), плавно опускают коромысло 15, при этом шток 13 переме- 10 щается вниз и прогибает мембрану 9, которая выталкивает ртуть из камеры

2 в капилляр 3. В это время клапан 8 в канале 7 препятствует перемещению ртути в дополнительную камеру 5. В процессе капилляра 3 ртутью, при еще неполном заполнении, отпускают коромысло с грузиком 16, под действием которого шток 14 перемещается вниз и прогибает мембрану 9 над дополнительной камерой 5, из которой по каналу 7 часть ртути поступает в основной резервуар, при этом капилляр заполняется ртутью полностью до соприкосновения ее с поверхностью изме25 ряемого образца. После проведения: измерений электрофизических параметров образца освобождается шток 14 от воздействия коромысла с грузиком

16, при этом канал 7 запирается шариком, и ртуть по каналу 6 отсасывается из капилляра 3 в дополнительную камеру 5, затем освобождается шток

13 от воздействия коромысла с грузиком 15, при этом шарик открывает канал 7 и ртуть из дополнительной

35 камеры поступает в основную камеру 2.

Изобретение относится к электронной промьппленности, в частности к ус ройствам для контроля электрофизичес ких параметров полупроводниковых с труктур .

Известен ртутный зонд, содержащий корпус, камеры с каналом для подвода ртути к измеряемому образцу и устрой ство для перемещения ртути 1.1 .

Недостатком этого устройства явля ется низкая разрешающая способность из-за нестабильности площади контакта ртуть-образец, Известен ртутный зонд, содержащий корпус, камеру для размещения ртути, капилляр и механизм для перемещения ртути 21.

Использование капилляра для созда ния контакта ртуть-образец позволяет повысить разрешающую способность устройства, однако постоянное загряз нение приводит к появлению погрешности измерений из-за нестабильности реальной площади контакта ртуть-образ< ц.

1(ель изобретения — повышение точности измерений путем обеспечения очистки капли ртути..

Поставленная цель достигается тем что в устройстве, содержащем корпус, камеру для размещения ртути, капилляр и механизм для перемещения ртути в корпусе выполнена дополнительная камера с двумя каналами, один из которых снабжен клапаном и соединен с основной камерой, а другой соединен с капилляром.

На чертеже изображен ртутный зонд, Ртутный зонд содержит корпус 1, выполненный из электроизоляционного материала, внутри которого имеется камера 2 с капилляром 3. Для подключения внешней электрической схемы камера 2 снабжена контактом 4. В корпусе 1 выполнена дополнительная камера 7, в

45 верхней части которого выполнен клапан Я н виде плавающего шарика.

Устройство для подачи ртути содержит мембрану 9, прижатую к корПри повторении операций происходит постоянное обновление ртути в капилляре — загрязненная поступает в нижнюю часть дополнительной камеры, а чистая ртуть в основной камере пополняется из верхней части дополнительной, что обеспечивает при многократных измерениях контактирование с поверхностью образца только чистой ртути, вследствие чего повышается точ- ность измерений из-за уменьшения колебаний площади контакта ртуть-образец.

1105963

Составитель Н. Сменов

Техред M. Гергель Корректор А. Фоври

Редактор Т. Парфенова

Заказ 5607/42

Тираж 683 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113Г35, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Ртутный зонд Ртутный зонд Ртутный зонд 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх