Способ нагрева структур полупроводниковых приборов

 

СПОСОБ НАГРЕВА СТРУЩУР ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий подачу на структуру импульсов греющей мощности и измерение температуры перегрева структуры в пазах между ними, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности нагрева, на выборку структур подают два импульса одинаковой , греющей мощности и определяют разность температур перегрева после воздействия первого и второго импульсов, после чего для всех остальных структур подают импульс греющей мощности, мощность которого рассчитывают по формуле:. р р 1:гваг-1на11 , t где Р. мощность импульса, подаваемого на выборку структур,определяемая из условия Р Р/п; максимально допустимая мощность , определяемая по области безопасной работы приборов данного типа для выбранной длительности греющего импульса; разброс значений теплового п сопротивления приборов данного типа, равный отношению максимального сопротивления к минимальному; At, температура перегрева структуры относительно начальной температуры структуры, измеряемая после подачи первоЕО импульса Р ; заданная температура нагре309 жл ва; начальная температура корНОЧ пуса структуры; разность температур перегре00 CD ва после воздействия первого и второго импульсов одиЧ 00 наковой ГреющеД мощности.

„,$0„, 1 7898

QOO3 ССЮЕТСНИХ

COUN ! ЕСПУБЛИН

А1 (Si)S С 01 R 31/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ASTOPCHCNVIY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3498172/24 (22) 30,09,82 (46) 15.08.91. Вюл. К 30 (72) Е.З. Рыскин (53) 621.3!7 (088.8) где Р;

ЗОВ кач

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯМ

llPH ГКНТ СССР (56) Авторское свидетельство СССР

В 286313, кл. С 01 Я 25/70, 1970.

l0.Ñ. Карп, И.А. Лейман "Упрощенное измерение параметров полупроводниковых приборов при повышенной тем пературе..Автоматика и вычислительная техника, 1971, !! 1, с. 89-90. (54)(57) СПОСОБ НАГРЕВА СТРУКТУР

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий подачу на структуру импульсов греющей мощности и измерение температуры перегрева структуры в пазах между ниии, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности нагрева, на выборку структур подают два импульса одинаковой греющей мощности и определяют разность температур перегрева после воздействия первого и второго импульсов, после чего для всех остальных структур подают импульс греющей мощности, мощность которого рассчитывают по формуле:

Изобретение относится к полупро)водниковой электронике и может быть использовано для нагрева структур теплоемких полупроводниковых приборов (например диодов или транзисторов), при измерении их .параметров при повьппенной температуре в условиях массового производства.

Татаа Ткач- С

P = Р 1 ) д — мощность импульса, подаваемого на выборку структур, определяемая иэ условия

Р Р/п;

- максимально допустима я мощность, определяемая по области безопасной работы приборов данного типа для выбранной длительности греющего импульса; — разброс значений теплового сопротивления приборов данного типа, равный отношению максимального сопротивления к минимальному: температура перегрева струк- Фр туры относительно начальной температуры структуры, изме- ( ряемая после подачи первово импульса P заданная температура нагрева; начальная температура корпуса структуры; — разность температур перегрева после воздействия первого и второго импульсов оди-, .наковой греющей мощности.

Известен способ нагрева структур полупроводниковых приборов, не имеющих теплоотвода, заключающийся в подаче на переход импульса греющей мощности определенной формы и длительности, Недостатком этого способа является невозможность использования егo

1137898 где Р— мощность импульса, подавае-,. мого на выборку структур определяемая из условия

P/n — максимально допустимая мощность, определяемая по области безопасной работы приборов данного типа для выбранной длительности греющего импульса;

- разброс значений теплового для нагрева структур теплоемких полупров одниковых приборов, обусловленная тем, что у теплоемких приборов одного типа, имеющих разброс теплового сопротивления, импульс греющей

5 мощности определенной формы и длительности будет вызывать различный нагрев.

Наиболее близким по своей технической сущности является способ нагрева структур теплоемких полупрово1 никовых приборов, заключающийся в подаче на прибор серНН импульсов постоянной мощности с контролем вели- 15 чины нагрева структуры в паузах между импульсами и прекращение подачи импульсов в момент достижения температурой нагрева структуры заданной величины.

Недостатком этого способа являет-. ся низкая производительность нагрева, т.к. при нагреве структур полупроводниковых приборов импульсами постоянной мощности, нагрев приборов одного типа, имеющих различные тепловые пережодные характеристики корпусов происходит за разное время.

Целью изобретения является новы». шение производительности нагрева.

Поставленная цель достигаетсятем, что в способе нагрева структур полупроводниковых приборов, включающем подачу на структуру импульсов греющей мощности и измерение температуры перегрева структуры в паузах между ними, на выборку структур подают два импульса одинаковой греющей мощности и определяют разность . температур перегрева после воздейст-, вия первого и второго импульсов, после чего для всех остальных структур подают импульс: греющей мощности, мощность которого рассчитывают по . формуле: 45 р р Т)дя Тн@ч С

2 gt сопротивления приборов данного типа, равный отношению максимального сопротивления к минимальному; — температура .перегрева структуры относительно с ."начальной температуры, измеряемая после подачи перво-го импульса Р

Т вЂ” заданная температура нагрева;.

Т„ — начальная температура корпуса структуры .

С - разность температур перегрева после воздействия первого и второго импульсов одинаковой греющей мощности.

Для получения необходимой точности нагрева время измерения (t, > )

4 температуры перегрева должно быть значительно меньше длительности времени импульса нагрева (.,), т.е.

50. .иэм -1;

Например, для нагрева транзисторов типа МП25 до температуры T

70 С необходимо выдерживать следу4 ющий режим работы: мощность импульса. греющей мощности, подаваемая на выборку структур P = l,,5 Вт при длительности, = 50 мсек лри U к

=15Вэ 16=100 А, де Ul и Хк соответственно напряжение и ток поданные на коллектор испытуемого транзистора. Мощность импульса Р ассчитывается с учетом, что С = 7 С

I1 )Ì .-,„ = 1 мс, Ь 4 = 36 С для приборов

Cl с высоким значением теплового сопро тивления. Мощность Р регулировалась током коллектора.

Дпя контроля температуры нагрева

t y и Д t ttttp используется измери- тель $U БЭ МФМ2,652.010.

Погрешность нагрева структуры тран зисторов типа ИП25 составила Ф1 УС.

Способ может использоваться для нагрева структур полупроводниковых приборбв с целью дальнейшего измерения параметров .при повышенной температуре.

Экономическая .эффективность способа по сравнению с прототипом достигается за счет регулирования мощности в процессе нагрева, что:позволяет в 2-3 раза лодноять .цроизводительность нагрева структуры полупроводникового црибора до заданной температуры

Способ нагрева структур полупроводниковых приборов Способ нагрева структур полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах
Наверх