Низковольтный опорный элемент

 

НИЗКОВОЛЬТНЬП ОПОРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ , содержащий резистор, полевой транзистор и биполярный транзистор, коллектор и эмиттер которого соединены с первым и вторым выводами элемента , отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона опорных напряжений, канал полевого транзистора и резистор включены соответственно параллельно базо-эмиттерному и базо-коллекторному переходам биполярного транзистора, коллектор которого соединен с затвором полевого транзистора.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

09) (11) 4(51 G 05F 3 20

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3538749/24-07 (22) 10. 01 ° 83 (46) 07.02.85. Бюл. Ф 5 (72) Г.С. Сергеев

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (53) 621.316.722. 1(088.8) (56) 1. Патент США Р 4.012.684, кл. G 05 F 1/00, 1977.

2. Патент Японии Р 55-228!О, кл. G 05 F 1/56, 1980. (54) (57) НИЗКОВОЛЬТНЬЙ ОПОР НЫИ ЭЛЕМЕНТ, содержаций резистор, полевой транзистор и биполярный транзистор, коллектор и эмиттер которого соединены с первым и вторым выводами элемента, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью расширения диапазона опорных напряжений, канал полевого транзистора и резистор включены соответственно параллельно базо-эмиттерному и базо-коллекторному переходам биполярного транзистора, коллектор которого соединен с затвором полевого транзистора.

1138797 2

Составитель В. Есин

Редактор В. Данко Техред Л.Мартяшова КорректорЕ. Сирохман

Заказ 10688/37 Тираж 863 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к электрогехнике и может использоваться в качестве гпгэковольгного опорного стабилитрона.

Известны низковольтные опорные элементы, выполненные на биполярном и полевом транзисторах 1) и $2) .

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является низковольтный 10 опорный элемент, содержащий биполярный и полевой транзисторы и резистор, причем параллельно базо-коллекторному и базо- миттерному переходам биполярного транзистора включены канал полевого транзистора с. закороченными затвором и стоком и резистор P2).

Недостатком 11звестно1 о устройства является ограниченный диапазон формируемых опорных напряжений. 20

Целью изобретения является расширение диапазона опорных напряжений элемента.

Г(оставленная цель достигается тем, что в низковольтном опорном 25 элементе, содержащем резистор, нолевой транзистор,и биполярный транзистор коллектор и эмиттер которого соединены с первым и вторым выводами элемента, канал полевого транзистора и резистор вклк>чены соответственно параллельно базе-эмиттерному и баэоколлекторному переходам биполярного транзистора, коллектор которого соединен с затвором полевого транзис35 тора.

На чертеже предс.тавлена принципиальная электрическая схема опорного элемента.

Устройство содержит полевой тран40 зистор 1 с р-п переходом и р-каналом, резистор 2 и биполярный транзистор 3 и-р-п типа, коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с первым 4 и вторым 5 выводами устройства.

Затвор полевого транзистора 1 соеди- нен с коллектором биполярного транзистора 3, канал полевого транзистора включен между базой и эмиттером биполярного транзистора 3, резистор

2 включен между коллектором и базой биполярного транзистора 3.

Опорный элемент работает следующим образом.

Рабочий ток втекает в устройство и протекает по цепи: первый вывод 4 устройства — резистор 2 — канал полевого транзистора 1 — второй вывод

5 устройства. При весьма малом токе падение напряжения на резисторе 2 мало, поэтому потенциал затвора полевого транзистора 1 относительно его истока мал и меньше напряжения отсечки полевого транзистора 1, вследствие чего канал последнего открыт и замыкает базу биполярного транзистора 3 с его эмиттером. Биполярный транзистор 3 заперт и не препятствует росту напряжения между выводами устройства. При увеличении рабочего тока напряжение на резисторе 2 также увеличивается. Если это напряжение, увеличиваясь, достигает напряжения отсечки полевого транзистора 1, то сопротивление канала последнего резко возрастает, вследствие чего ток, протекающий через резистор 2, переключается из канала полевого транзистора 1 в базу биполярного транзистора 3, который входит в активный режим регулирования формируемого опорного напряжения. При этом дальнейший рост рабочего тока через устройство не приводит к росту напряжения на устройстве, и это напряжение стабилизируется на уровне напряжения отсечки полевого транзистора 1 (0,4-7В для полевых транзисторов КП10ЗЕ, КП10ЗЖ...КП103М).

Предлагаемое техническое решение позволяет расширить диапазон формируемых опорных напряжений в сторону меньших значений (7-0,4В) по сравнению с известным (от 5В до 4В).