Способ выделения дихлорсилана из парогазовой смеси

 

1. Способ выделения дихлорсилана из парогазовой смеси производства полупроводникового кремния путем двухступенчатой низкотемпературной конденсации хлорсиланов при температуре на первой ступени -65 oC -70oC с выводом целевого продукта с второй ступени, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения дихлорсилана в конденсируемый продукт и повышения в нем концентрации дихлорсилана, парогазовую смесь предварительно барботируют через смесь жидких хлорсиланов, состав которой соответствует соотношению хлорсиланов в исходной парогазовой смеси, причем температуру на второй ступени поддерживают равной -75,5 oC -115oC.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что вывод целевого продукта начинают при конденсации хлорсиланов из парогазовой смеси, в которой концентрация дихлорсилана соответствует состоянию насыщения при температуре -70 oC -75oC, а заканчивают при конденсации парогазовой смеси, в которой концентрация дихлорсилана равна исходной.

3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что барботирование парогазовой смеси через смесь жидких хлорсиланов ведут при -40 oC -50oC.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу получения моносилана высокой степени чистоты, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика)

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано при получении кремния

Изобретение относится к области химической технологии, в частности к получению силанов, и может быть использовано в производстве поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии

Изобретение относится к химической промышленности, в частности к устройствам для проведения гетерогенных процессов между твердым телом и газом
Изобретение относится к технологии получения моносилана, который может быть использован при получении особо чистого полупроводникового кремния
Изобретение относится к способу получения силана, применяемого в полупроводниковой промышленности
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике

Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения
Наверх