Способ формирования диффузионных областей и контактов к ним

 

1. Способ формирования диффузионных областей и контактов к ним, включающий нанесение диэлектрической пленки на кремниевую подложку, осаждение первого слоя поликремния, вскрытие окон в поликремнии и диэлектрике, осаждение второго слоя поликремния, термообработку, формирование поликремниевой разводки и металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки диффузионных областей и повышения процента выхода годных структур, после осаждения первого слоя поликремния легируют его примесью типа, противоположного типу проводимости подложки, после вскрытия окон в поликремнии и диэлектрике подтравливают диэлектрическую пленку под поликремнием, а термообработку проводят с прокислением второго слоя поликремния, затем вскрывают контактные окна в образовавшемся окисле.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что термообработку проводят последовательно в инертной, затем в окислительной атмосфере.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к электронике, преимущественно к технологии изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д
Наверх