Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов

 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ СЧИТЫВАНИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, содержащее магнитоодноосную пленк на поверхности которой нанесен ма нитный расширитель цилиндрических магнитных доменов в ввде колонок шевронных аппликаций из ферромагнитного материала, магнитосвязанный с тонкопленочным магниторезистивным датчиком в виде прямоугольной полоски, расположенной между смежными колонками шевронных аппликаций перпендикулярно оси доменопродвиганщего канала , отличающееся тем, что, с целью повьшения отношения сигнал/помеха при считывании накопленной информации, концы шевронных аппликаций расширителя цилиндрических магнитных доменов, примыкающие к магниторезистивному датчику, электрически развязаны от магнитореэистивного датчика.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)+ С 11 С 7/00 л

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н flATEHTY фиг.!

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2167377/18-24 (22) 25.08.75 (31) P 2440997.0 (32) 27.08.74 (33) (0Е) (46) 23.09.85. Бюл. Е 35 (72) Арнульф Лилл (AT) (71) Сименс АГ (DE) (53) 681,327,66(088,8) (56) J. Арр1, Phys., 1971, v, 42, 9 4, р, 1268,.

Патент США Р 3713117, кл. 340-1741 опублик. 1973 (прототип) . (54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ

ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, содержащее магнитоодноосную пленку, на поверхности которой нанесен маг„„SU „„1181570 А нитный расширитель цилиндрических магнитных доменов в виде колонок шевронных аппликаций из ферромагнитного материала, магнитосвяэанный с тонкопленочным магниторезистивным датчиком в виде прямоугольной полоски, расположенной между смежными колонками шевронных аппликаций перпендикулярно оси доменопродвигающего канала, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения отношения сигнал/помеха при считывании накопленной информации, концы шевронных апплнкаций расширителя цилиндрических магнитных доменов, примыкающие к магниторезистивному датчику, элект- I рически развязаны от магниторезистивного датчика.

1181570

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении накопителей для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). 5

Известно устройство для считывания ЦМД, содержащее магнитоодноосную пластину, на которой расположен магниторезистивный датчик, магнито" связанный с ферромагнитными апплика- 10 циями канала!, продвижения ЦМД. Если в этом устройстве магниторезистивный датчик не подвергается воздействию магнитного поля рассеяния ЦМД, то вектор намагниченности датчика рас- 15 положен параллельно направлению тока, протекающего при работе накопителя через pàò÷èê. Если же ЦМД проходит вблизи датчика, то в результате воздействия era поля рассеяния 20 на датчик вектор намагниченности последнего поворачивается по отношению к направлению тока на угол 8 . В результате сопротивление датчика изменяется на величину BR, Это измене- 25 ние сопротивления вызывает падение напряжения hU = i dR(9 ), которое далее используется в качестве выходного сигнала. При данном, токе датчика

i считывающий сигнал тем больше, чем З0 больше изменение сопротивления дК датчика, обусловленное ЦМД. Величина

ЬК зависит от удельного изменения магнитосопротивления материала датчика, Это изменение сначала линейно растет с магнитной напряженностью поля, а затем стремится к значению насыщения, Чтобы датчики находились в состоянии насыщения от поля рассеяния Н ЦМД, это поле рассеяния » должно быть больше, чем сумма поля аниэотропии Н датчика, в качестве которого служйт обычно ферромагнитный Nil - Fe -сплав, и размагничивающего поля Н датчика 1j.

Недостатком этого устройства для считывания 1ЩЦ является низкий уровень выходного сигнала, l

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является уст- 50 ройство для считывания ЦМД, которое содержит магнитоодноосную пленку, на поверхности которой нанесен магнитный расширитель цилиндрических магнитных доменов в виде колонок шевронных ап- 55 пликаций иэ ферромагнитного материала, магнитосвязанный с тонкопленочным магниторезистивным датчиком в виде прямоугольной полоски, расположенной между смежными колонками шевронных аппликаций перпендикулярно оси доменопродвигающего канала, В результате растяжения домена, продвигающегося в расширителе, его поле рассеяния захватывает большую площадь и воздействует на магниторезистивный датчик, выполненный в виде полоски, расположенной между соседними группами шевронных аппликаций и гальванически связанной с ними 2 j.

В известном устройстве для считывания ЦМД в результате наличия галь« ванического контакта между датчиком и аппликациями расширителя ЦМД значение насыщения относительного изменения магнитосопротивления датчика лежит ниже значения насыщения материала датчика, так что для обнаружения сигнала магниторезистивные свойства используются только частично и, следовательно, сигналы считывания принимают относительно небольшие значения на фане помех. .Цель изобретения — повышение отношения сигнал/помеха при считывании накопленной информации.

Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для считывания цилиндрических магнитных доменов, содержащем магнитоодноосную пленку, на поверхности которой нанесен магнитный расширитель цилиндрических магнитных доменов в виде колонок шевронных аппликаций из ферромагнитного материала, магнитосвязанный с тонкопленочным магниторезистивным датчиком в виде прямоугольной полоски, расположенной между смежными колонками шевронных аппликаций перпендикулярно оси доменопродвигающего канала, концы шевронных аппликаций расширителя цилиндрических магнитных доменов, примыкающие к магниторезистивному датчику, электрически развязаны от магниторезистивного датчика.

На фиг. 1 приведена принципиальная схема предлагаемого устройства для считывания ЦМД; на фиг. 2 и 3 - соответственно зависимость относительного изменения магнитосопротивления дК/R от величины поля управления Н и зависимость выходного сигнала Пщ,» от тока датчика для известного (кривые а) и предлагаемого (кривые б) устройств для считывания IQg, з 1181

Устройство для считывания ЦМД содержит магннтоодноосную пленку 1, на которой расположены магнитосвязанные расширитель 2 ЦМД из ферромагнитных аппликаций 3 шевронной формы и магии- > торезистивный датчик 4, подключенный с помощью токоподводящих шин 5 и 6 к усилителю считывания (не показан).

Аппликации 7 используются для вывода домена в накопитель (не показан) 1р после считывания.

Как следует из фиг. 2, для предлагаемого устройства значение насыщения изменения магнитосопротивления примерно на 50Х выше, чем для из- 1 вестного устройства. Кроме того, 570 4 несмотря на уменьшенную ширину датчика и связанное с этим повышение раэмагничивающего поля Н, необходимое для насыщения датчика магнитное поле .не увеличивается. В соответствии с более высоким изменением магнитосопротивления должен быть больше снимаемый сигнал от:домена.

Как следует иэ фиг. 3, чувствительность предлагаемого устройства для считывания ЦИД примерно в три раза больше, чем чувствительность известного устройства, что обеспечивает повышение отношения сигнал/помеха при считывании информации.

1181570

uuulmvJ

Г с фв

Составитель А. Ожередов

Техред Ж.Кастелевич

Редактор Н. Яцола

Корректор И. Эрдейи

Тираж 583

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, И 35, Раушская наб., д, 4/5

Заказ 5958/64

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4