Легирование полупроводников имеет важное практическое значение, так как GHo позволяет получать матери I;Ill с заданными электрическими своиствами. Основными легиру!Ощиъ1и добавками 40HopHQI Î типа к антимониду алюминия являются сслен и те:!лур. Онн применяются, главным образом, для !создания в антимониде алюминия р-ивЂ” переходов. Нелегированный антимонид алюминия обычно имеет р-тип проводимости. Добавка селена и теллура несколько увеличивасг сопротивление аптимонида алюминия.

В описываемом способе предлагается регулировать со ротивлсние и тип проводимости антимонида алюминия, применяемого в качестве точечных диодов, путем легирования его cepoi», которую вводят в определенном количестве в качестве донорной примеси. Введение серы в большем количестве позволяет получать антимонид алюминия 22-типа.

Введением серы в антимонид алюминия можно регулировать его сопрoTквление в интервале 1 вЂ” 104 ом. см., причем материал fl-Tèïà имеет высо oe сопротивление в широком интервале концеитрации серы, На образцах, полученных из расплава с содержанием серы, 0,5 атп при помощи точечного зонда может быпгь достигнуто обратное напряжени= более 130 в. Эти образцы обладают высокой прозрач!!о тью г, инфракрасной части спектра.

Образцы, легированные серой, могут быть рекозлсндованы к применению в качестве точечных диодов и инфракрасных фильтров.

Предмет изобретения

Способ регулирования типа проводимости и элсктросопротивления антимопида алюминия путем легировання его донорными примесями, отл и ч а ю шийся тем, что, с целью эффективного изменения величины электросспротивления без нарушения прозрачности образца для инфракра"ных лучей, в качестве донор !ой примеси применяют серу.

Способ регулирования типа проводимости и электросопротивления антимоната алюминия

Изобретение относится к получению полупроводниковых соединений А3В5, используемых для изготовления подложек GaN, GaAs, GaP и др

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений типа а3b5 // 2327824

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений для получения объемных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры

Способ получения монокристаллов антимонида индия, легированного оловом // 2344209

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений АIIIВV

Способ получения монокристаллических пластин арсенида индия // 2344211

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений типа AIIIBV

Способ получения монокристаллов a3b5 // 2400574

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений А3В 5 методом Чохральского, в частности при выращивании монокристаллов фосфидов галлия и индия и арсенида галлия из-под слоя борного ангидрида

Способ получения монокристаллов фосфида индия // 2462541

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа

Способ получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений // 2064541

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм

Способ выращивания полупроводниковых соединений // 2023770

Изобретение относится к технологии производства материалов электронной техники и может найти широкое применение в технологии получения полупроводниковых соединений, преимущественно группы А3В5

Способ получения широкозонного окна в лазерной гетероструктуре на основе соединений a3b5 и их твердых растворов // 2032776

Изобретение относится к технологии п/п приборов

Магнитный полупроводниковый материал // 2465378

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем и цинком антимонидам индия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнито-оптоэлектронных приборов

Способ введения лигатуры в расплав при получении берилла // 2147049

Изобретение относится к области производства синтетических драгоценных камней

Способ получения интеркалированных соединений и соединения, полученные этим способом // 2156329

Изобретение относится к области технологии получения и легирования неорганических веществ и может быть использовано в микроэлектронике, полупроводниковом приборостроении

Способ получения легированных ультрадисперсных алмазов // 2202514

Изобретение относится к технологии получения сверхтвердых материалов, а именно искусственных алмазов, при непосредственном использовании высоких давлений и температур, развивающихся при детонации конденсированных взрывчатых веществ (ВВ)

Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия // 146049

Способ окрашивания ювелирно-поделочных минералов // 867946

Способ получения квазимонокристаллов соединения внедрения в графит // 1699176

Изобретение относится к технологии получения соединений внедрения в графит (СВГ), в частности к получению квазимонокристаллов СВГ интеркалята: интергалоидов, хлоридов металла или галогенов акцепторного типа низких ступеней с высокой электропроводностью и различными периодами идентичности

Кристаллический материал для активных элементов перестраиваемых лазеров на основе селенида цинка, легированного хромом // 2531401

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов и может быть использовано в лазерном приборостроении, в частности, для изготовления активных элементов перестраиваемых лазеров среднего инфракрасного (ИК) диапазона, основным применением которых является медицина, спектроскопические исследования, а также контроль загрязнения окружающей среды. Материал для активных элементов перестраиваемых лазеров на основе селенида цинка, легированного хромом, дополнительно содержит примесь магния в концентрации 0,13<х<0,6 и образует твердый раствор замещения Zn1-xMgxSe:Cr2+. Материал характеризуется высоким значением ширины запрещенной зоны ΔEg=(2,85-3,15) эВ. Максимум полосы люминесценции ZnMgSe:Cr2+ наблюдается на длине волны 2,480-2,485 мкм. 1 табл., 1 ил.

Осаждение на большой площади и легирование графена и содержащие его продукты // 2567949

Изобретение относится к технологии осаждения на больших площадях тонких пленок графена, которые могут быть легированы, для использования их в качестве прозрачного проводящего покрытия. Согласно одному из вариантов промежуточную легированную тонкую пленку графена гетероэпитаксиально выращивают на тонкой пленке катализатора с моноориентированной крупнозернистой кристаллической структурой, расположенного на целевой приемной подложке, включающей твердотельные легирующие добавки, которые включены в нее посредством процесса плавления, после чего осуществляют легирование промежуточной тонкой пленки графена примесями n- или p-типа с обеспечением возможности мигрирования твердотельных легирующих добавок из целевой приемной подложки в промежуточную тонкую пленку графена путем термической диффузии. Тонкие пленки графена, после того как они были сформированы, могут быть отделены от несущих их подложек и перенесены на принимающие подложки, например, для включения в промежуточный или готовый продукт. Выращенный, отделенный и перенесенный графен может в результате обладать низким поверхностным сопротивлением слоя (например, менее 150 Ом на единицу площади и ниже, в случае легирования) и высокими значениями пропускания света (по меньшей мере, например, в видимой и инфракрасной области). 5 н. и 9 з.п. ф-лы, 15 ил., 1 табл.

Способ формирования сверхлегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния // 2646644

Настоящее изобретение относится к способу формирования сильнолегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния, который может быть использован в солнечной энергетике, оптоэлектронике, приборах ночного и тепловидения. Способ заключается в размещении поверхности кремния под химически активной жидкой средой серосодержащего соединения и облучении поверхности кремния импульсами сфокусированного лазерного излучения наносекундной длительности инфракрасного диапазона, при этом задают плотность энергии лазерного излучения достаточной для проникновения этим излучением через жидкую среду к поверхности кремния с разложением молекул серосодержащего соединения до выделения атомов серы и для нагрева поверхности кремния до температуры, при которой происходит диффузия в нее атомов серы вместе с ее абляционным микроструктурированием и отжигом. Технический результат изобретения состоит в многократном расширении области и величины высокой поглощательной способности (в том числе высокого коэффициента поглощения) поверхностного слоя кремния в процессе сверхлегирования атомами серы под действием лазерного облучения с сохранением его кристаллического характера. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.