Криостат

 

(19)SU(11)1217214(13)A1(51)  МПК 5    H01L39/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина:

(54) КРИОСТАТ

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при конструировании сверхпроводящих магнитных систем. Целью изобретения является повышение точности и надежности измерения уровня жидкого гелия в криостате. На чертеже изображен предлагаемый криостат. Криостат содержит металлический гелиевый сосуд 1, коаксиальный с ним металлический экран 2, образующие конденсатор, изолирующие прокладки 3, фиксирующие зазор между гелиевым сосудом и металлическим экраном, и электрические вводы 4, два из которых подсоединены к гелиевому сосуду, а два к металлическому экрану. В зависимости от уровня жидкого гелия в зазоре между гелиевым сосудом 1 и металлическим экраном 2 меняется емкость конденсатора, образованного ими. Причем газообразный гелий и жидкий гелий играют роль диэлектриков с диэлектрической проницаемостью соответственно 1,0491 и 1,000074. Изменение емкости фиксируется измерительным прибором (не показан) подсоединенным к вводам 4. Предлагаемый криостат по сравнению с известным имеет следующие преимущества: можно непрерывно измерять уровень жидкого гелия по всей высоте криостата, повышается точность и надежность измерения уровня, так как за счет увеличения площади обкладок конденсатора снижается влияние паразитной емкости подводов измерительной аппаратуры. (56) Кейлин В.В. Криостаты нового типа для сверхпроводящих соленоидов. Препринт. ИАЭ, ГКАЭ, М., 1966. Efferson K. R. Advances in Cryogenic Engineering, Plenum Press, N.-Y., 1970, vol. 15, p. 124.

Формула изобретения

КРИОСТАТ, содержащий металлический гелиевый сосуд, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности измерения в криостате уровня жидкого гелия, в гелиевый сосуд введен коаксиальный с ним металлический экран, электроизолированный от него прокладками в верхней и нижней части, кроме того, к гелиевому сосуду и к металлическому экрану подсоединены по два электрических ввода.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ротору криогенной электрической машины, имеющему сверхпроводящую обмотку

Изобретение относится к электромашиностроению и может быть использовано при проектировании систем электропривода с реверсивным режимом, с быстрой остановкой или разгоном приводного механизма

Криостат // 669433

Изобретение относится к области электротехники, к разделу роторов криогенных электрических машин, имеющих сверхпроводящую или гиперпроводниковую вращающуюся обмотку возбуждения, преимущественно к генераторам различной мощности

Изобретение относится к устройствам для регистрации отдельных фотонов и может быть использовано в системах оптической волоконной связи, для телекоммуникационных технологий в системах защиты передаваемой информации, диагностике и тестировании больших интегральных схем, в спектроскопии одиночных молекул, астрономии, медицине

Изобретение относится к устройствам для регистрации излучения видимого и инфракрасного диапазонов излучения в режиме счета отдельных фотонов

Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано в высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) схемах

Изобретение относится к области высокотемпературных сверхпроводников

Изобретение относится к способам, позволяющим производить совмещение фотонных детекторов относительно оптического излучения. Способ прецизионного позиционирования чувствительного элемента фотонного детектора относительно амплитудно-модулированного оптического излучения включает смещение чувствительного элемента фотонного детектора постоянным током с последующей регистрацией электрического сигнала, возникающего на контактах детектора на частоте модуляции излучения. Полученный при этом сигнал используют как параметр, определяющий качество позиционирования. Обеспечивается повышение технико-эксплуатационных характеристик детектора.

Изобретение относится к способам уменьшения интенсивности фонового излучения инфракрасного диапазона. Способ фильтрации фонового излучения инфракрасного диапазона, падающего на сверхпроводниковый однофотонный детектор, включает передачу излучения инфракрасного диапазона с длиной волны 0,4-1,8 микрометров на сверхпроводниковый однофотонный детектор при помощи одномодового волокна, частично находящегося при температуре 4,0-4,4 К. При этом длина охлаждаемого участка одномодового волокна составляет 0,2-3,5 м. Технический результат заключается в повышении надежности работы фотонных детекторов. 2 з.п. ф-лы.
Наверх