Способ изготовления полупроводниковых структур

Авторы патента:

Гершинский А.Е.

Черепов Е.И.

H01L21/18 - приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения A_IIIB_V с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками

Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путем термообработки нихромовых плавких перемычек в окислительной атмосфере при температуре 300 - 450^oC.

Способ изготовления полевых транзисторов // 1085437

Устройство для изготовления светодиодов // 972616

Способ изготовления полупроводниковых приборов с полевым эффектом // 862742

Способ изготовления диодов шоттки // 818372

Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур // 745297

Способ изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей из монокристаллического кремния // 695418

Изобретение относится к электронике, преимущественно к технологии изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей

Способ получения светодиодов на арсениде галлия // 680085

Геттер для уменьшения уровня шумов // 668502

Способ изготовления омического соединения // 667007

Способ изготовления тиристоров // 2106038

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров

Микроэлектронная структура на основе "кремний-диэлектрик" для изготовления полупроводниковых приборов и способ ее получения // 2193255

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2303314

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2303315

Способ изготовления магнитодиода // 2304322

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации

Ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура // 2305723

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием

Способ изготовления датчика скорости потока газа и жидкости // 2353998

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине

Способ изготовления мдп-структур на inas для многоэлементных фотоприемников // 2367055

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников

Способ получения гетерогенного p-n перехода на основе наностержней оксида цинка // 2396634

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 1265894

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия