Шихта для изготовления терморезисторов

 

Изобретение относится к области электронной техники, к термочувствительным резистивным материалам. Позволяет расширить диапазон сопротивления в сторону меньших значений и снизить температуру спекания. Включает компоненты, мас.%; LaaOg 48,5-63,5; NiO 2,3-20,3; ZrOa 14,2- 36,0; BiaOs 2,0-13,0. 1 табл. to со 00 Qi

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3775467/29-33 (22) 13.07.84 (46) 15.06.86. Бюл. № 22 (71) Научно-исследовательский институт физико-химических проблем Белорусского государственного университета им. В. И. Ленина (72) Л. В. Махнач и И. Ф. Кононюк (53) 666.638 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 890443, кл. Н 01 В 1/08, 1981.

Патент Японии № 48-40395, кл. 20(3) с 13, 1973.

„„SU„„1238167 А1 (5D 4 Н 01 В 3 12 С 04 В 35 50 (54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ (57) Изобретение относится к области электронной техники, к термочувствительным резистивным материалам. Позволяет расширить диапазон сопротивления в сторону меньших значений и снизить температуру спекания. Включает компоненты, мас. 0:

1 а2ОЭ 48,5 — 63,5; NiO 2,3 — 20,3; ZrOz 14,2—

36,0; В403 2,0 — 13,0. 1 табл.

1238167

Состав, вес.Ж

2 3

Ьа., Оз Из О 2г02

2 .10 1800 1250

6 10 2100 1250

20,3

2,0

14,2

63,5

55,4

18,6

17,0

9,0

9,0

21,5

13,0

56,5

3 ° 10 2600

2 .10з 2700

3 ° 10 2900

1250

13,0

32,3

6,2

48,5

1250

36,0

9,0

2,3

52,7

1250

Формула изобретения

Составитель В. Соколова

Редактор А. Гулько Техред И. Верес Корректор М. Самборская

Заказ 3299/54 Тираж 643 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал IlfIII «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к электронной технике, в частности к термочувствительным резистивным материалам, и может быть использовано при изготовлении терморезисторов.

Цель изобретения — расширение диапазона сопротивления в сторону меньших значений и снижение температуры спекания.

Пример (приготовление конкретного состава шихты и изготовление из нее заготовок терморезисторов в виде дисков и бусинок) .

Для получения 5 r шихты состава 3 (таблица) брали 7,503 г La(NO> ). 6НвО (2,825 г 1 а20з), 2,522 г Ni(NO3) з 6Н О

" (0,65 г NiO) и 2,33 г ZrO (NOz) q 2Н20 (1,075 г

ZrO2). Сме@ь нитратов нагревают до 850 С и выдерживают при этой температуре 4 ч.

Полученный порошок частично прореагироДля получения бусинок в исходную шихту вводили загустители в виде 10%-ного раствора этилцеллюлозы в воде и из полученной пасты формовали бусинки на электродах из платиновой проволоки Я 0,3 мм, длиной 2 — 5 см. Заготовки бусинковых терморезисторов подсушивали и спекали при

1350 С 4 ч на воздухе. Сопротивление полученных образцов измеряли в интервале температур от — 60 до 600 С. При 25 С сопротивление заготовок бусинковых терморезисторов составляло 3 10 Ом, постоянная В найдена равной 2600 К, т. е. такой же, как и для дисковых образцов. вавших оксидов 1.а20з, %0 и ZrO перетирают в агатовой ступке и дополнительно обжигают 2 ч при 1250 С. После этого в шихту добавляют 0,450 г В120з и снова тщательно перетирают. Полученную шихту делили на 2 части. Одну часть использовали для получения заготовок терморезисторов в виде дисков О 5 мм, толщиной 2,0 — 2,5 мм, другую— для получения бусинок О 1 — 2 мм. Диски формировали путем гидравлического прессования и спекали на воздухе при 1250 С в течение 2 ч. Для получения электродов на торцовые поверхности дисков наносилась серебряная паста и вжигалась при 820 C в течение 20 мин. Далее измеряли сопротивление дисковых терморезисторов в области температур от — 60 до 400 С и определяли постоянную В. Найденные значения удельного сопротивления при 25 С и постоянной В приведены в таблице.

Р Ом.см В, К Температу— ра спека— ния, оС

40 Шихта для изготовления терморезисторов, включающая 1 а20з и NiO, отличающаяся тем, что, с целью расширения диапазона сопротивления в сторону меньших значений и снижения температуры, спекания, она дополнительно содержит ZrO и В40з при следующем соотношении компонентов, мас %:

1.а20з 48,5 — 63,5

NiO 2,3 — 20,3

Zr02 14,2 — 36,0

В40з 2,0 — 13,0

Шихта для изготовления терморезисторов Шихта для изготовления терморезисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области радио- и электронной технике в частности к материалам твердотельной микроэлектроники
Наверх