Запоминающий транспарант
Запоминающий транспарант, содержащий сегнетоэлектрическую керамическую пластину, общий электрод, изолирующие параллельные слои, нанесенные на поверхность сегнетоэлектрической керамической пластины, адресные электроды, нанесенные на изолирующие слои, отличающийся тем, что, с целью увеличения контрастности изображения транспаранта, в него введены дополнительные изолирующие слои, нанесенные изолированно один от другого на поверхность сегнетоэлектрической пластины в направлении, перпендикулярном направлению изолирующих слоев, а общий электрод нанесен на дополнительные изолирующие слои и поверхность сегнетоэлектрической пластины.
Похожие патенты:
Сегнетоэлектрическое запоминающее устройство // 1187218
Сегнетоэлектрический элемент памяти // 1057987
Сегнетоэлектрический накопитель информации // 1043745
Запоминающее устройство // 1042083
Сегнетоэлектрический накопитель информации // 1030853
Сегнетоэлектрический накопитель информации // 1024986
Сегнетоэлектрический накопитель информации // 1014034
Запоминающее устройство // 983753
Способ создания трехмерной оптической памяти // 2143752
Изобретение относится к средствам создания оптической памяти и может быть использовано для осуществления в оптической среде
Изобретение относится к устройствам обработки и/или хранения данных с активной или пассивной электрической адресацией
Изобретение относится к способу выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией, образованной набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, и к устройству для осуществления указанного способа
Адресация матричной памяти // 2239889
Изобретение относится к способу управления набором ячеек памяти или дисплеем с пассивной матричной адресацией, содержащими электрически поляризуемый материал, обладающий гистерезисом, преимущественно ферроэлектрический материал
Изобретение относится к запоминающему устройству на основе энергонезависимой матричной памяти
Изобретение относится к способу определения логического состояния ячейки памяти в запоминающем устройстве, к устройствам для сопоставления фаз, к неразрушающему считыванию содержимого ячеек памяти, содержащих поляризуемый материал
Изобретение относится к Ферроэлектрическому запоминающему контуру и способу его изготовления
Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости
Трехмерное запоминающее устройство // 2274913
Изобретение относится к устройствам хранения и/или обработки данных, основанным на использовании тонких ферроэлектрических пленок, в частности к ферроэлектрическому или электретному трехмерному запоминающему устройству