Полупроводниковый преобразователь

 

Полупроводниковый преобразователь на основе полевого транзистора, содержащий полупроводниковую подложку одного типа проводимости с областями истока и стока противоположного типа проводимости, между которыми расположен канал, электрод затвора, выполненный в виде металлизированной полупроводниковой мембраны и установленный над каналом с зазором, отличающийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона и повышения надежности, электрод затвора жестко закреплен между двумя слоями диэлектрика, которые расположены на подложке за областями стока и истока, в слоях диэлектрика над каналами выполнены отверстия, на верхнем слое диэлектрика параллельно электроду затвора установлен дополнительный электрод, выполненный в виде электропроводящей мембраны с электрическим выводом.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в частности при создании датчиков слабых переменных сил

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в схемах управления в качестве программируемого источника ограничительного напряжения

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к функциональным элементам оптических интегральных схем, и может быть использовано в системах обработки оптической информации, а также в измерительной, вычислительной и усилительной технике

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано в системах обработки оптической информации

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано в системах обработки оптической информации

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и предназначено для предпроцессорной обработки фотосигналов

Изобретение относится к прибору с резким ПМИ (переходом металл-изолятор) с параллельными проводящими слоями

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем памяти с элементами нанометровых размеров
Наверх