Солнечный элемент

Авторы патента:

СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, включающий подложку из полупроводникового материала и металлические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования, на поверхность подложки нанесена легированная редкоземельными элементами текстурированная пленка сегнетоэлектрика, ось текстуры которой перпендикулярна поверхности подложки.

Изобретение относится к полупроводниковым преобразователям солнечного излучения, которые могут быть использованы при создании фотоэлектрических генераторов наземного применения. Целью изобретения является повышение эффективности преобразования солнечного излучения и снижение трудоемкости изготовления. На чертеже изображен солнечный элемент. Солнечный элемент содержит подложку 1 из полупроводникового материала, например кремния р-типа проводимости, на которую нанесена текстурированная и легированная редкоземельными элементами, например титаном или церием, пленка 2 сегнетоэлектрика, например титаната висмута или титаната бария. На поверхности пленки 2 создан решетчатый электрод 3, а на тыльной стороне подложки 1 сплошной электрод 4. П р и м е р. На кремниевую подложку после стандартной химической очистки нанесена в вакууме методом реактивного ионно-плазменного распыления в планарной магнетронной системе при давлении 5^.10^-2 мм рт.ст. текстурированная легированная пленка сегнетоэлектрика, титаната висмута. В этом случае в качестве мишени необходимо использовать сегнетоэлектрическую керамику с предварительным введением в нее 0,1-0,3% мол микродобавки редкоземельных элементов, например лантана. Это обеспечивает автоматическое легирование растущего сегнетоэлектрического слоя, не требуя повышенных температур для создания необходимой проводимости. Решетчатый токосъемный электрод создан методом вакуум-термического напыления металла, например алюминия с последующим приведением фотолитографии. Нижний электрод также наносят методом вакуум-термического напыления, например, алюминия. Затем проводят отжиг структурны при температуре порядка 450^оС в течение 10 мин в атмосфере водорода. Предложенная конструкция солнечного элемента позволяет повысить коэффициент эффективности преобразования солнечного излучения на 3-4%

Формула изобретения

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000

Похожие патенты:

Полупроводниковый прибор // 367805

Солнечный элемент с просветляющим покрытием с градиентным слоем, включающим смесь оксида титана и оксида кремния // 2390074

Изобретение относится к покрытому изделию, которое включает в себя просветляющее (AR, от англ

Стеклянный компонент солнечного элемента, имеющий оптимизирующее светопропускание покрытие, и способ его изготовления // 2404485

Лицевой контакт с промежуточным слоем (слоями), смежным(и) с ним для использования в фотоэлектрических устройствах, и способ его производства // 2423755

Способ изготовления солнечного элемента с просветляющим покрытием с использованием химического осаждения из газовой фазы при сжигании (ccvd) и соответствующее изделие // 2439008

Изобретение относится к солнечным элементам с просветляющим покрытием

Оптоэлектронное устройство для высокоскоростной передачи данных, основанное на сдвиге края стоп-зоны распределенного брэгговского отражателя за счет электрооптического эффекта // 2452067

Изобретение относится к области полупроводниковых устройств

Проводящие пасты с металлоорганическими модификаторами // 2499810

Изобретение относится к проводящим пастам, применяемым для формирования металлических контактов на поверхности субстратов в фотогальванических элементах. Проводящая паста содержит стеклянную фритту, проводящий материал, органическую среду и один или более металлоорганических компонентов, которые образуют оксиды металлов при обжиге. Металлоорганические компоненты выбраны из группы, включающей карбоксилат металла и алкоксид металла, где металл - бор, алюминий, кремний, висмут, цинк или ванадий. При нанесении на просветляющее покрытие на субстрате проводящая паста способна проникать через покрытие с формированием омического контакта с субстратом. Описан также фотогальванический элемент, содержащий полупроводниковый субстрат, просветляющее покрытие и линии проводящей сетки, сформированные из указанной проводящей пасты. Предложенная проводящая паста обеспечивает повышение эффективности фотогальванического элемента, улучшает адгезию и омический контакт между металлическими элементами и субстратом через просветляющие покрытия. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 пр.

Кремниевый тонкопленочный солнечный элемент, обладающий усовершенствованной дымчатостью, и способы его изготовления // 2526298

Использование: для изготовления тонкопленочного солнечного элемента. Сущность изобретения заключается в том, что при изготовлении тонкопленочного солнечного элемента, имеющего верхний слой и подстилающий слой, осуществляют осаждение подстилающего слоя, имеющего шероховатую поверхность, и осаждение верхнего слоя поверх подстилающего слоя с помощью химического осаждения из газовой фазы, так чтобы верхний слой имел более шероховатую поверхность, чем подстилающий слой, где подстилающий слой содержит смесь оксидов по меньшей мере двух материалов, выбранных из кремния, титана, циркония, олова, алюминия, фосфора и их смесей, или где подстилающий слой содержит оксид титана в анатазной модификации с толщиной в диапазоне от 20 нм до 25 нм. Технический результат: обеспечение возможности создания солнечного элемента, обладающего усовершенствованными характеристиками светорассеяния. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 4 табл., 1 ил.

Способ нанесения эмиссионного слоя // 2547383

Изобретение относится к способам получения эмиссионных слоев, в частности для органических светоизлучающих диодов. Способ нанесения эмиссионного слоя органического светоизлучающего диода на подложку из стекла или полимера, покрытую слоем анода, включает получение раствора, содержащего люминофорсодержащее соединение и проводящий материал, и нанесение тонкой пленки из полученного раствора на упомянутую подложку. Упомянутую пленку подвергают термической обработке при температуре выше 100°C и ниже температуры стабильности эмиссионного слоя, при этом в качестве люминофорсодержащего соединения используют растворимое разнолигандное координационное соединение, которое при термической обработке разлагается на люминофор и нейтральный лиганд, полностью удаляемый из тонкой пленки, при этом термическую обработку упомянутой пленки проводят при температуре выше температуры удаления лиганда. С помощью указанного способа получают эмиссионный слой органического светоизлучающего диода, который содержит слой анода, эмиссионный слой и слой катода. В частных случаях осуществления изобретения используют растворимое разнолигандное координационное соединение в виде комплекса феноксибензоата тербия с ацетилацетонимином, или комплекса феноксибензоата тербия с моноглимом, или комплекса нафтоноата европия с моноглимом. При изготовлении упомянутого диода на слой анода дополнительно наносят слой дыркопроводящего и/или электронблокирующего материалов, а поверх эмиссионного слоя наносят электронпроводящий и/или дыркоблокирующий слой. В качестве дыркоблокирующего слоя используют 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин или 3-(4-бифенил)-4-фенил-5-трет-бутил-фенил-1,2,4-триазол. Обеспечивается улучшение характеристик эмиссионного слоя и получение эмиссионных слоев на основе нерастворимых и нелетучих соединений. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 1табл., 6 пр.

Гибкий солнечный элемент // 2552597

Изобретение относится к солнечным элементам и может использоваться в качестве преобразователя солнечной энергии в электрическую энергию в энергетике и в портативной электронике. Cолнечный элемент включает катод и анод, каждый из которых имеет внешний и внутренний гибкие слои, причем названные катод и анод расположены таким образом, что их внутренние слои находятся напротив друг друга с зазором, заполненным электролитом, при этом внешний слой катода выполнен из светопроницаемого полимерного материала, а его внутренний слой выполнен из углеродных нанотрубок, внешний слой анода выполнен из проводящего материала, а его внутренний слой выполнен из наночастиц полупроводникового материала, сенсибилизированного красителем. Изобретение обеспечивает упрощение технологии изготовления солнечных элементов и снижает их стоимость, также увеливает их гибкость. 10 з.п. ф-лы, 1 ил.