Терморезистивный материал

 

Изобретение относится к полупроводниковой термометрии. Предложено в качестве терморезистивного материала использовать поликристаллический эонноочищенный германий с концентрацией примеси менее 1 ,-5i 10 . В этом материале суммарная концентрация остаточной, примеси и центров обусловленных границами зерен мйкрокристаллов , не зависит от крдичества и размера зтих зерен. В зтом случае .электропроводность германия носит собственный характер, а еетемпературная зависимость в интервале 20... определяется шириной с: прещенной зоны германия. Терморезисторы на основе предложенного прликристаллического германия обладают высокой термочувствительностью, большим значением удельного Сопротивления и не требуют индивидуальной дуировки. Ь9

СОКИ СОВЕТСНИХ

СОЦ АЛИСТИ1ЕСНИК

РЕСПУБЛИН (SII 4 G 01 К 7/16 7/22

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ASTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПОДЕЛЛМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНЯТИЙ (21) 3689251/24-10 (22) 09.0!.84 (46) 15.10.86. Бюл. У 38 (71) Ордена Ленина физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе и Ленин.градСкнй институт ядерной физики им. Б.П.Константинова (72) М.Л.Кожух, Н.С,Липкина н Д.В.Тархин (53) 536. 53 (088. 8) (56) Патент ФРГ II 2407972, кл. С 01 К 7/22, опублик. 1981.

Зарубин Л;И. Рывкин С.М., ТарI ннн Д.В., Шлимак И.С. Полупроводниковые терморезнсторы,на базе германия с собственной проводимостью.—

ФТП, 1979, 13, У 11, с. 2290-2292.

ГОСТ 16154-80.

„.Я0„„264011 А 3 (54) ТЕРИОРЕЗИСТИВНЫИ ИАТЕРИАЛ (57) Изобретение относится к полупроводниковой термометрии. Предложено в качестве термореэистивного материала испольэовать поликристалли . ческий зонноочищенный германий с кон- центрацией примеси менее 1;5 .10 см

В этом материале суммарная концентрация остаточной, примеси и центров обусловленных границами зерен микрокристаллов, не зависит от каутичества и размера этих зерен. В этом случае электропроводность германия носит собственный хараКтер, à ее температурная зависимость в интервале

20...180 С определяется шириной saпрещенной эоны германия. Термореэисторы на основе предложенного поликристаллического германия обладают высокой термочувствительностью, большим значением удельного сопротивления и не требуют индивидуальной гра-. дуировки.

Изобретение относится к полупроводниковой термометрии и может быть использовано для измерения темпераь туры в диапазоне.20-180 C.

Цель изобретения — упрощение технологии изготовления терморезисторов.

Согласно изобретению в качестве терморезистквного материала предложено использовать поликристалличес1О кий эонноочищенный германий с концентрацией примеси менее 1,5 10 см .

В поликристаллическом германии, например, марки ГПЗ-I суммарная концентрация остаточной примеси и центров, обусловленных границами зерен микрокристаллов, не зависит or количества этих зерен и их размера и существенно ниже собственной концент13, рации носителей в германии (3:10 см )

В этом случае электропроводность носит собственный характер, а ее температурная зависимость в диапазоне температур 20-180 С определяется шириной запрещенной зоны германия.

25 (также как и монокристаллического германия) . При этом диапазон линейности вольтамперной характеристики расширяется и рабочие напряжения уве личиваются до 5 В. !

Применение поликристаллического германия значительно упрощает и удешевляет технологию изготовления тер-. ,морезисторов, так как не требует 35 выращивания монокристаллов .

Термореэисторы на основе предложенного поликристаллического германия обладают высокой термочувствительностью, большим значением удельного сопротивления (P65 — 90 Ом см при Т = 20 С ) и не требуют индивидуальной градуировки.

На фнг.1 приведены температурные зависимости сопротивлений для трех образцов термореэисторов, изготовленных нэ поликристаллического германия марки ГПЗ-1. Видно, что в

IQ масштабе In Е = й(--. ) все они имеют

Т одинаковый f с точностью лучше ЗХ ) наклон, равный 0,39 эВ, соответствующий как и в монокристаллическом германии области собственной проводимости. Отличия в абсолютной величине сонротивления связаны с различием в геометрии термореэисторов.

На фиг.2 приведена типичная вольтамперная характеристика терморезисторов, изготовленных из поликристаллического германия марки ГПЗ-I. Видно, что область линейности на данной характеристике более чем в 10 раэ превьавает аналогичные данные для прототипа, Формула изобретения

Применение поликристаллического зонноочищенного германия с концентрацией примеси менее 1,5 10. см в качестве терморезнстивного материала.

1 264011

Я(Ол гг гв ы аи лг м лл ю

47up t

v(g) Составитель В.Голубев

Текред И.Попович Кррректор В.Бутяга

Редактор В.Ковтун

Гаказ 5551/41 Тираж 778 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам йзобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная,4