Способ изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия. Цель изобретения - улучшение параметров приборов. При изготовлении полупроводниковых приборов на подложке антимонида индия р-типа проводимости проводят ионную имплантацию донорной примеси в локальные области подложки . На поверхности подложки формируют окисел разложением тетракарбонила никеля при 80-180°С в смеси паров воды, кислорода и азота при расходе последних 5-20 и 10-200 л/мин соответственно. Скорость роста NiO при указанной температуре составляет 1000 А/мин. После нанесения пленки толщиной 1500-2000 А напыляют слой алюминия толщиной 1 мкм. с
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК (51) 4 Н 01 1 29/78, 21/18
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К А ВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВЪГ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3884728/24-25 (22) 11.04.85 (46) 23.10.86. Бюл. № 39 (72) С. В. Белотелов, А. А. Патрацкий и В. Н. Петров (53) 621.382 (088.8) (56) Патент США № 4.286.277, кл. 357 — 31, опублик. 1981.
Патент Великобритании № 1488325, кл. Н 1 К, опублик. 1977. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУ:
ПРОВОДНИКОВЪ|Х ПРИБОРОВ (57) Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверх„„Я0„„1265894 А 1 быстродействующих схем на подложках из антимонида индия. Цель изобретения улучшение параметров приборов. При изготовлении полупроводниковых приборов на подложке антимонида индия р-типа проводимости проводят ионную имплантацию донорной примеси в локальные области подложки. На поверхности подложки формируют окисел разложением тетракарбонила никеля при 80 — 180 С в смеси паров воды, кислорода и азота при расходе последних 5 — 20 и 10 †2 л/мин соответственно. Скорость роста NiO при указанной температуре составляет 1000 А/мин. После нанесения пленки толщиной 1500 — 2000 А напыляют слой алюминия толщиной 1 мкм.
1265894
Формула изобретения
Составите ь М Дудаков еда кто р В. Данко Техред И. Верес
Заказ 5675/53 Тираж 643 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и оз крытий
113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП «Патент». г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия.
Цель изобретения — получение диэлектрических слоев на поверхности антимонида индия с отрицательным встроенным зарядом.
На границе раздела структуры N10—
InSb образуется отрицательный заряд, препятствующий возникновению инверсного слоя на поверхности антимонида индия. В результате этого устраняются паразитные токи утечки, неуправляемые электрическим полем, и тем самым обеспечивает расширение диапазона выходных токов в фотодиодах и МДП-транзисторах, содержащих структуру HiO — InSb.
Подложку антимонида индия р-типа проводимости марки ИСД-4 с концентрацией примеси Na = (1 — 2) ° 10" см и ориентацией (111) химически полируют в бо-ном растворе брома в диметилформамиде при
Т = 65 С в течение 40 мин, после чего ее помещают в реакционную камеру установки
ЕТМ.2.030.015 и нагревают до 100 С. Затем производят продувку камеры потоками кислорода и азота, насыщенного водными парами, с расходом газов 5 — 20 л/мин и
10 †2 л/мин, соответственно, в течение
5 мин. Подают поток азота, проходящий через барбатер с терракарбонилом никеля
Ni (СО) 4, с расходом 150 — 250 мл/мин.
Скорость роста Ni О при указанной температуре составляет 1000 А/мин. После нанесения пленки толщиной 1500 — 2000 А напы1О ляют слой алюминия толщиной 1 мкм.
Способ изготовления полупроводниковых приборов на подложке антимонида р-типа проводимости, включающий проведение ионной имплантации донорной примеси в локальные области подложки, формирование на ее поверхностях окисла, омических контактов к областям п-типа проводимости и подложке и металлического электрода на поверхности
20 окисла, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборов, формирование окисла осуществляют разложением тетракарбонила никеля при 80 †1 С в смеси паров воды, кислорода и азота при рас2S ходе последних 5 — 20 и 10 — 200 л/мин соответственно.
