Шихта для получения керамического диэлектрического материала

 

Изобретение относится к составам для производства керамического дизлектрического материала для изготовления силовых малогабаритных конденсаторов . С целью повьшения ди-.. электрической ттроницаемости и снижения температуры синтеза материала и температуры обжига изделий шихта для получения керамического дизлектрического материала, содержащая, мас.%: углекислый барий 61,07-62,38; оксид титана 23,67-26,54; оксид кальция 2,62-2,73; оксид циркония 0,55-0,58; оксид олова 6,37-6,64; оксид висмута 0,20-0,21; оксид самария 0,10-0,1, дополнительно содержит 2,54-3,96 мас.% хлорида бария. ,2 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ . СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (58 4 С 04 В 35/00 35/46

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ(СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3837457/29-33 (22) 28.11.84 (46) 07.11.86. Бюл. У 41 (71) Всесоюзный научно-исследовательский и проектно-технологический институт электрокерамики (72) В.В.Колчин, Н.К.Михайлова, Е.M.Áàëàøîâà и И.С.Сазонова (53) 666.638(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

В 438628, кл. С 04 В 35/00, 1972. (54) ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКОГО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА (57) Изобретение относится к составам для производства керамического

ÄÄSUÄÄ 1268544 А1 диэлектрического материала для изготовления силовых малогабаритных конденсаторов. С целью повышения ди-.. электрической проницаемости и снижения температуры синтеза материала и температуры обжига изделий шихта для получения керамического диэлектрического материала, содержащая, мас.%: углекислый барий 61,07-62,38; оксид титана 23,67-26,54; оксид кальция 2,62-2,73; оксид циркония

0,55-0,58; оксид олова 6,37-6,64; оксид висмута 0,20-0,21; оксид самария О, 10-0, 1, дополнительн содержит 2,54-3,96 мас.% хлорида бария. ,2 табл. ф

1268544

61,07-62,38

23,67-26,54

2,62-2,73

0,55-0,58

6,37-6,64

0,20-0,21

0,10-0,11

2,54-3,96

Таблица 1

Содержание компонентов, мас.%

;в шихте состава

Компоненты шихты

1 2 3 4 5

62,38 61,07 61,07

61,13

62,21

ВаСО, Вас1

2,54 2,54

3,96

2,69

25,24 26,54 24,70 23,67

2,73

2,62

2,62

2,70

2,64

СаО

0,58

0,55

0,55

0,58

0,56

Zr0

6,38

6,37 6,37 6,64

6,62

$пО

0,21

Bi<0>

Sm Оэ

0,20

0,20

0,20

0i20

0,10 ° 0,11

0,11 0 10

Изобретение относится к составам для производства керамических диэлектрических материалов на основе системы титанат бария — станнат кальция — цирконат кальция, пригодных для изготовления силовых малогабаритных конденсаторов, .Цель изобретения — повышение диэлектрической проницаемости, снижение температуры синтеза материала и температуры обжига изделий.

Пример 1. Пихту готовят путем измельчения исходных компонентов с барийсодержащим компонентом, состоящим из 96% углекислого бария и 4% хлористого бария, в шаровой мельнице методом мокрого помола при соотношении материал : шары : вода

1 : 1 : 0,8, после чего полученную смесь сушат и синтезируют при

1260 С в течение 2 ч, Затем спек дробят и пластифицируют поливиниловым спиртом„ Из полученного пресс-порошка прессуют изделия, сушат их и обжигают при

1315 С в течение 2 ч.

Пример 2. Шихту готовят путем измельчения исходных компонен; тов с барийсодержащим компонентом, состоящим из 94% углекислого бария и 6% хлористого бария в шаровой

1 мельнице, Остальные технологические операции аналогичны примеру 1. Обжиг изделий ведут при 1315 С в течео ние 2 ч.

Пример 3. Шихту готовят путем измельчения исходных компонентов с барийсодержащим компонентом, состоящим из 95% углекислого бария и 5% хлористого бария. Все последующие технологические операции аналогичны приведенным в примере 1. Темо пература обжига изделий 1315 С.

В табл, 1 приведены составы пред10 лагаемой шихты.

В табл. ? приведены основные характеристики образцов, изготовленных из предлагаемой шихты.

15 Формула изобретения

Шихта для получения керамического диэлектрического материала, включающая углекислый барий, оксиды титана, 20 кальция, циркония, олова, висмута и самария, отличающаяся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости и снижения температуры синтеза материала и температуры обжига изделий, она дополнительно содержит хлорид бария при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Углекислый барий

30 Оксид титана

Оксид кальция

Оксид циркония

Оксид олова

Оксид висмута

35 0К< самария

Хлорид бария

1268544

Т а б л и ц а 2

Показатели для состава

2 J 3 4 свойства! 5

Диэлектрическая проницаемость 11000 11500

10500 13000

10000

Тангенс угла диэлектрических потерь 0,005 0,006

0,005 -; 0,006 0,008

Удельное объемное сопротивление, Ом м

<о

10 10

io

Температура

ОС синтеза 1260 1260

1260

1260

1260

1315

1315 1320

1320

1315 обжига

Составитель В. Соколова

Редактор Н, Гунько Техред В.Кадар Корректор М.Демчик

Заказ 5988/22 Тирж 640 Поднмсное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытнй

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4