Реверсивный магнитный регистр сдвига

 

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении устройств переработки и хранения информации на плоских магнитных доменах (ПМД).Целью изобретения является повьшение информационной плотности и упрощение ре .версивного магнитного регистра сдвига . Предложенный реверсивный магнитный регистр сдвига содержит высококоэрцитивную магнитную пленку с низкокоэрцитивньм каналом продвижения ПМД, который выполнен в виде последовательно расположенных участков удержания ПМД, соединенных между co6oii участками продвижения ПМД в направI лении оси трудного намагничивания магнитной пленки. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕС0УБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

Ilo делАм из06Ретений и ОткРытий (21) 3887328/24-24 (22) 22.04.85 (46) 15.01.87. Бюл. Ф 2 (72) С.Л.Добрынин, А.Г.Езупов и Г.А.Тарабанов (53) 681.327.66 (088.8) (56) Патент США У 3438016, кл. С 11 В 5/62, опублик. 1969.

Патент США К 3656126, кл. С 11 С 21/00, опублик. 1972. (54) РЕВЕРСИВНЬЙ МАГНИТНЫЙ РЕГИСТР

СДВИГА (57) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении устройств.„80„„1283855 А 1 (gg 4 G 11 С 19/00, G 11 С .11/14 переработки и хранения информации на плоских магнитных доменах (ПМД).Целью изобретения является повьппение информационной плотности и упрощение ре.версивного магнитного регистра сдвига. Предложенный реверсивный магнитный регистр сдвига содержит высококбэрцитивную магнитную пленку с низкокоэрцитивным каналом продвижения

ПМД, который выполнен в виде последовательно расположенных участков удержания ПМД, соединенных между собой участками продвижения ПМД в направ лении оси трудного намагничивания магнитной пленки. 2 ил.! 128385

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь-! зовано при построении устройств переработки и хранения информации на плоских магнитных доменах (ПМД) .

Цель изобретения — повышение информационной плотности и упрощение реверсивного магнитного регистра сдвига.

На фиг. 1 изображена принципиаль- !О ная схема предлагаемого регистра с продвижением информации вдоль оси легкого намагничивания магнитной пленки; на фиг. 2 — принципиальная схема возможного варианта выполнения регистра с продвижением информации вдоль оси трудного намагничивания магнитной пленки, Реверсивный магнитный регистр сдвига содержит высококоэрцитивную магнитную пленку 1 с низкокоэрцитивным каналом 2 продвижения плоских магнитных доменов 3 в виде последовательно расположенных участков 4-6

25 удержания плоских магнитных доменов

3, токовые шины 7-10 управления, расположенные на магнитной пленке 1, и источник 11 импульсов магнитного поля в направлении оси легкого намагничивания 12 магнитной пленки i.

Участки 4-6 удержания плоских маг- нитных доменов 3 соединены между собой участками 13 и 14 продвижения плоских магнитных доменов 3 в направлении оси 15 трудного намагничивания 35 магнитной пленки 1.

Токовые шины 7 и 9 управления расположены над участками 4-6, а токовые шины 8 и 10 управления расположены над участками 13 и 14. Токовые шины 40

7. и 9 управления могут быть соединены последовательно в токовую цепь зигзагообразной формы, аналогичную цепь могут образовывать и токовые шины 8 и 10 управления.

Реверсивный магнитный регистр сдвига работает следующим образом, Под действием импульсных магнитных полей, создаваемых током, протекающим по шинам 7 — 10 управления и импульсного магнитного поля, создаваемого источником 11 ПМД 3 последовательно продвигаются по низкокоэрцитивному каналу 2. При этом токовые шины 8 и 10 управления служат для продвижения ПМД 3 по участкам

i3 и 14 в направлении оси 15 во время действия создаваемых источником

5 2

11. импульсов магнитного поля, направленного в сторону намагничивания ПМД

3, и задают направление распространения дометов по низкскоэрцитивному каналу 2, а токовые шины 7 и 9 управления служат для удержания ПМД 3 на участках 4-6 во время действия создаваемых источником ii импульсов магнитного поля, направленного противоположно намагниченности ПМД 3.

Предположим, что ПМД 3 находится на участке 4. В первом такте продвижения под действием импульса магнитного поля соответствующей полярности создаваемого источником 11, ПМД 3 продвигается в участок 4, а при подаче импульса тока соответствующей полярности в шину 8 продвигается по участку 13, после чего переходит на участок 5, не продвигаясь по участку

14. Последующее одновременное действие создаваемого источником 11 импульса магнитного поля, направленного противоположно намагниченности

ПМД 3, и импульса магнитного поля встречного направления,, создаваемого импульсом тока в шине 9, приводит к тому, что ПМД 3 удерживается на участке 5.

В следующем такте продвижения под действием импульсов магнитного поля, создаваемого источником 11, при подаче импульсов тока соответствующей полярности в шины 10 и 6 ПМД 3 продвигается в участок 5, переходит на участок 14 и удерживается на участке 6 °

Таким образом осуществляется про- движение информации в регистре на один разряд. Реверсирование информации осуществляется сменой очередности подачи импульсов тока в шины

8и 10.

Формула изобретения

Реверсивный магнитный регистр сдвига, содержащий высококоэрцитивную магнитную пленку с низкокоэрцитинным каналом продвижения плоских магнитных доменов и расположенные на поверхности пленки токовые шины управления, о т л и ч а ю щ и й— с я тем, что, с целью повышения информационной плотности и упрощения реверсивного магнитного регистра сдвига, низкокозрцитивный канал продвижения плоских магнитных доменов выполнен в виде последовательно

1283855 расположенных участков удержания плоских магнитных доменов, расположенных вдоль оси легкого намагничивания магнитной пленки и соединенных между собой участками продвижения плоских магнитных доменов в направлении оси трудного намагничивания магнитной пленки.

Составитель Ю.Розенталь

Редактор А.Ревин Техред А.Кравчук Корректор М. Максимишинец

Заказ 7450/52 Тираж 589 Подписное

ВНИИПИ- Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Реверсивный магнитный регистр сдвига Реверсивный магнитный регистр сдвига Реверсивный магнитный регистр сдвига Реверсивный магнитный регистр сдвига 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области вычислительной техники и быть использовано в устройствах хранения и обработки информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств и цилиндрических магнитных доменов (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦВД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации,Целью изобретения является повышение отказоустойчивости накопителя для запо

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть 1спользовано при построении запоми1ающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть 63У пользовано при построении запоминаюпщх устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Сумматор // 1275428
Изобретение относится к области вычислительной техники, может быть использовано при построении интегральных операционных устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации на цилиндрических магнитных доменах (ЩЩ)

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (№Щ)

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах
Наверх