Способ выращивания монокристаллов иодата лития
Способ выращивания монокристаллов иодата лития путем изотермического испарения водного раствора, содержащего добавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности и лучевой стойкости монокристаллов, в качестве добавки берут трилон Б в количестве 0,1-0,5 мас.%.
Похожие патенты:
Патент 353469 // 353469
Патент 429838 // 429838
Патент 402506 // 402506
Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)
Изобретение относится к области материаловедения, в частности к способам получения исходных веществ для композиционных материалов и конструкционной керамики
