Способ получения проводящего слоя на поверхности керамики из двуокиси титана

 

№ 130556

Класс 21с, 54яз

21с, 55oi

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Л3 91

А. М. Родин, А. А. Родина, Е. H. Ланина и В. М. Курсацова

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОВОДЯЩЕГО СЛОЯ НА

ПОВЕРХНОСТИ КЕРАМИКИ ИЗ ДВУОКИСИ ТИТАНА

Заявлено 23 октября 1959 r. за М 641980j24 в 1(омитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» No 15 за !960 г.

Настоящее изобретение относится к способам получения проводящего слоя на поверхности керам1кп из двуокиси титана путем восстановления последней в атмосфере водорода.

Предлагаемый способ отличаегся от известных тем, что восстано»ление двуокиси титана осуществляют путем бомбардировки поверхности керамики ионами водорода или его изотопов в газовом разряде. (акой способ обеспечивает получение слоев с повышенной проводимостью.

При получении проводящего слоя на поверхности частично восстановленной керамики, обладающей объемной проводимостью, эта поверх ность подвергается указанной обработке непосредственно путем введения керамики в качестве катода в установку, создающую затрудненный электрический разряд в сильном магнитном поле или тлеющий разряд в атмосфере водорода или его изотопов. В случае создания такого слоя на непроводящей керамике на поверхность ее накладывают редкую сетку из тонкой проволоки (диаметр проволоки 0,1 н.н; размер ячейки—

ЗхЗ мл;), которая служит для частичного отвода зарядов, образующихся на поверхности керамики при поступлении на нее ионов. Примененпе такой сетки способстьует ускорению процесса образования проводящего слоя и обеспечивает большую его однородность. Сетка должна быть из готовлена из материала, который подвергается минимальному распылению в условиях газового разряда (наприме1з из молибдена). В результате такой обработки на поверхност;t керамики образуется слой толщиной менее 1 111с, обладающии значительной электропровод»остью, Слой имеет бархатисточерный цвет и состоит преимущественно пз гидридов титана.

Толщина проводящего слоя может регулироваться изменением условий разряда. При малых плотностях тока разряда и холодных катодах

До 1ЗЯ56 получается тонкий резко ограниченный слой. При больших плотностях тока или искусственном подогреве обрабатываемой керамики получается оолее толстый слой вследствие диффузии водорода вглубь керамики.

Предмет изобретения

1. Способ получения проводящего слоя на поверхности керамики из двуокиси титана путем восстановления последней в атмосфере водорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности получения слоев, обладающих повышенной проводимостью, указанное восстановление осуществляют путем бомбардировки поверхности керамики ионами водорода или его изотопов в газовом разряде.

2. Прием осуществления способа по п. 1, отлич а ю щи йся тем, что в случае получения проводящего слоя на непроводящей керамике на ее поверхность в период обработки накладывают редкую проволочную сетку, служащую для отвода зарядов и способствующую ускорению процесса образования однородного проводящего слоя.

Рсдакто: В. М. Парнес Техред А. A. Камышникова Корректор Л. Ф. Федянина

Зак. 7!99 Цена 25 коп. Тирани 1050

i1одп. к печ. 24Х111-60 г. Формат бум. 70;к,108 /и Объем 0,17 п. л

Ин форм апионно-издателвскиЙ отдел Когмитета no pe,i a t изоорстений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/б

Типография Комитета по делам Ifçîáðåòåíèé и открытий при Совете Министров СССР

"москва, Петровка, 14.

Способ получения проводящего слоя на поверхности керамики из двуокиси титана Способ получения проводящего слоя на поверхности керамики из двуокиси титана 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области изготовления тонкопленочных материалов и может быть использовано для создания полупроводниковых приборов, в частности тепловых приемников. Способ включает термовакуумное напыление ванадия на подложку при комнатной температуре с последующим окислением на воздухе до образования оксидной пленки. Напыление ванадия, толщиной 30≤d≤40 нм, легированного примесями W, Si, Al, производят из испарителя, расположенного внутри вакуумной установки при выполнении следующего соотношения: , где Н=60 мм - определяющий линейный размер подложки, - расстояние между испарителем и подложкой, при скорости напыления 0.5-1 нм/с. Затем осуществляют окисление на воздухе при температуре 300-480°С до формирования оксидной пленки ванадия на подложке с контролем величины удельного поверхностного сопротивления в интервале 1-2,4⋅106 Ом/см2. Изобретение позволяет получить петлю термического гистерезиса шириной 22-24°С, сдвинутую на ~10°С в сторону комнатных температур, со скачком сопротивления внутри петли до полутора порядков величины, что при термостатировании обеспечивает режим внутренней памяти. 5 ил., 1 пр., 2 табл.
Наверх