Устройство для регулирования ширины расплавленной зоны в процессе зонной плавки полупроводниковых материалов

 

Х» 134430

Класс 4Qd 1зз

ceca

OllMCAHHE I4306PETEHli1R

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа М 161

УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГУЛИРОВАНИЯ ШИРИНЫ

РАСПЛАВЛЕННОЙ ЗОНЫ В ПРОЦЕССЕ ЗОННОЙ ПЛАВКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Б. И, Голубь и А. Е, Волпянский

Заявлено 16 гиги 1960 г. за X 667015, 22 в Когаитет по делам изойретеиий и открытий при Совете ."11ииистров СССР

Опуоли.(оваио в «Бюлпете е изооре еиий» ."Ге 24 за 1 "30 г.

Предлагаемое устройство для регулирования ширины расплавленной зоны при зонной плавке полупроводниковых материалов позволя«т создать пропорциональное положению края зоны электрическое напряжение, используемое для управления органами, регулирующими температуру расплава. Для этого оно выполнено в виде оптической систем.1 с синхронно-вращающимся диском с двумя отверстиями и фотодподом, 1 становленным на линии оптической оси.

На чертеже показана схема регулятора нп1рины расплавленной

3OHI»l.

Для наведения прибора на расплавленную зону применена оптическая система 1. Изображение зоны через вращающийся диск 2 с дву.— мя отверстиями 8 передается на фотодиод 4. Возникающие при этом фотоэлектрические импульсы усиливаются усилителем 5, Между отверстиями 3 в диске 2 находятся магниты 6, которые, проходя в поле катушки 7, индуцируют магнитные импульсы, распределяющиеся по врмени между фотоэлектрическими импульсами. Магнитные импульсы, будучи усилены усилителем 8, подаются -на вибропреобразователь

Фотоэлектрические импульсы из усилителя 5 попадают на ограничитель амплитуды по нижнему уровню 10, затем в усилитель 11 и далее на логарифмический а мплитудо-временной преобр азовате пь 12. Вибропреобразователь 9, замыкаясь попеременно на контакты 18 и 14, снимает поочередно фотоэлектрические и экспонецциальные магнитные импульсы. С вибропреобразователя 9 импульсы поступают на ограничитель амплитуды 15, принимая прямоугольную форму. Вибропрсобразователь

16 сортирует различные по ширине прямоугольные фотоэлектри loci(lli и магнитный импульсы. Подключенный к чему фильтр пропускает высокие гармоники и образует среднюю вели шну постоянного тока, нсредавасмз Io H2 Ilol(азы в ающий при оор 1 7 El ppl j 1 IIp) IQIIIW ю высокочастотного нагрева. № 134430

Предмет изобретения

Устройство для регулирования ширины расплавленной зоны в проrrecce зонной плавки полупроводниковых материалов, о тл и ч а ю щ е всяя тем, что, с целью регулирования жидкой зоны, оно выполнено в вид" оптической системы, наведенной на расплавленную зону, снабженной синхронно-вращающимся диском с двумя круглыми отверстиями и фотодиодом, установленным на линии оптической оси.

0u üñêò

© 6 илтрения / .

Техред А. Л. Сосина Корректор Л. Комарова

Редактор H. Jh. Леонтьева

Формат бум. 70+108 /,6

Тираж 650

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6

Типограф я ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.

Объем 0,17 усл, п, л.

Цена 3 коп.

Поди. к печ. 21.11-61 г

Зак. 1262

Устройство для регулирования ширины расплавленной зоны в процессе зонной плавки полупроводниковых материалов Устройство для регулирования ширины расплавленной зоны в процессе зонной плавки полупроводниковых материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава зонной плавкой при температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, находящегося в контакте с расплавленной зоной, форма которой управляется, а подпитка осуществляется с помощью механизма для перемещения загрузки

 // 279598

 // 327942
Наверх