Способ выращивания монокристаллов карбида кремния

 

)»,о (Класс 121, Б

+2 -2— № 136328

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ4ЕТЕЯЬСТВУ

Подписные группы ММ 45; 39

lO. M. Шашков и Н, Я, Шушлебина

СПОСОБ ВЫРАШИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

КАРБИДА КРЕМН ИЯ

Заявлено 24 мая 1960 г. за № 667742/23 в Когиитет по делам изобретени и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Б1оллетене изобретений» № 5 за 196! г.

Известен способ выращивания монокристал1013 карбида кремния в атмосфере аргона посредством их кристаллизации из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщении кремния карбидом кремния, за счет уменьшения температуры расплава, С целью получения более чистых и совершенных монокрпсталлоз карбида кремния предлагается способ пх выращивания из расплав;1 кремния, насыщенного углеродом при пересыщенпи расплава карбида кремния, за счет преимущественного испарения кремния в вакууме при постоянной температуре расплава 1600 (вместо 2500 в известном способе). Для осуществления процесса бекетовский монокристаллическ1гй кремний загружают в графитовый тигель, покрытый пироуглеродом и помещают последний в герметичнуlо камеру снабженную танталовым нагревателем.

Затем в камере создают вакуум и включают обогрев. При нагрезе расплава до 1600 и диаметре тигля 20 л1л одна треть кремния испаряется за два часа. Охлаждение расплава после выдержки при 1600 производят быстро со скоростью 100 — 200 в минуту. Полученные таким способом кристаллы карбида кремния яьляются более совершенными и чистыми, .ем при плавке в атмосфере аргона.

Предмет изобретения

Сносоо 13blp3llIIIBkl HHSI мои ок1>иста, I 1013 ка 1>бида1 к1>емни я из pklcTI30II II углерода в расплавленном кремнии, о т л и I а 1о шийся тем, что, с целью упрощения процесса, его осуществляют под вакуумом, обеспечивающим необходимое для роста монокристаллов карбида кремния пересыщение раствора.

Способ выращивания монокристаллов карбида кремния 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу и устройству для изготовления монокристаллов карбида кремния

Изобретение относится к синтетическим драгоценным камням из полупрозрачного монокристаллического карбида кремния и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к монокристаллическому карбиду кремния SiC и способу его получения, в частности к монокристаллическому SiC, используемому в качестве полупроводниковой подложки для светоизлучающего диода и электронного устройства или т.п., и к способу его получения

Изобретение относится к монокристаллу SiC и способу его получения, в частности монокристаллу SiC, который используется как субстратный тонкий слой для высокотемпературного полупроводникового электронного элемента, например, светопроводящего диода, ULSI (схемы с ультраширокими возможностями), выпрямительного элемента, усилительного элемента и оптического чувствительного элемента, и к способу его получения

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава
Изобретение относится к области получения монокристаллов калий титанил арсената KTiOAsO4 (КТА), используемых в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов, используемых в лазерной технике, в частности в преобразователях частоты лазерного излучения, и может быть использовано для получения нелинейно-оптического монокристалла трибората лития LiB3 О5 (LBO)

Изобретение относится к объемному монокристаллу нитрида, в частности предназначенному для использования в качестве подложки для эпитаксии, пригодной для использования в оптоэлектронике для производства оптоэлектронных полупроводниковых устройств на основе нитридов, в частности для изготовления полупроводниковых лазерных диодов и лазерных устройств

Изобретение относится к новым высокотемпературным сверхпроводникам (ВТСП) и может найти применение в областях техники, использующих сверхпроводники

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников YВа2С3О7-б из высокотемпературных растворов, включающий нагрев исходной смеси оксидов Y2О3, ВаО2 и СuО до плавления, гомогенизацию раствора-расплава, охлаждение до температуры роста и выращивание при постоянной температуре

Изобретение относится к области получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников, в частности Bi2Sr2CaCu2O8 для использования в качестве активных элементов СВЧ- техники, работающих на основе эффекта Джозефсона

Изобретение относится к области получения высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов, в частности YBa2Cu3O7 - , которые могут быть использованы в электронной промышленности для изготовления приборов, работающих при температуре жидкого азота

Изобретение относится к металлургии высокотемпературных сверхпроводников
Наверх