Способ защиты кристаллов кремния

Авторы патента:

Дубровский Л.А.

Мельник В.Г.

Одинец Л.Л.

H01L21/316 - из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов

C30B7/12 - электролизом

Класс 12h, 1

121, 38 № 137893

СССР

f,»1 иг

Т Хп11™

° 1) / .i1

БИБ 1ИОТЫд

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписные группы ММ 43 и 4а

В. Г. Мельник, Л, А. Дубровский и Л. Л. Одинец

СПОСОБ ЗАЩИТЫ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Заявлено 17 иктня 1960 г ва,Л" 670386 23 в Комитет по делам изобретений и открытий ири Совете Министров СССР

Опубликовано в «Б|оллетене изобретений» М 9 ва 1961 г.

Известен способ защиты кристаллов кремния от внешних химических воздействий созданием на их поверхности оксидного защитного слоя. С этой целью кристаллы кремния подверга1от электрохимпческом окислению в растворах солей, кислот или основанп11. Однако вследствие того, что при электрохимическом окислении слой окисла содержит H себе элементы, входящие в состав электролита, данный способ непригоден для получения чистых окпсных пленок, необходимы.; для защиты кристаллов кремния полупроводниковых приборов. Кроме того, применение мHîãîкомпонентных электрохиMè÷åñêèх растворов связано со сложной задачей предварительной очистки исходных реактивов.

B отличие от известного, предлагаемый способ предусматривает элекртохимическое окисление кремния в чистой обессоленной воде с применением кремниевого катода. Спосоо обеспечивает необходимую чистоту и достаточну|о толщину оксидного покрытия.

Практическое осуществление способа заключается в следующем. На дне сосуда из органического стекла монтируют кремниевый катод высокой степени чистоты, после чего параллельно ему на расстоянии 5 вЂ” 10 лл в специальной ячейке закрепляют кремппевып анод, подлежащий покрытию оксидной пленкой. Вода, используемая для электролиза, предварительно очищается ионнообменным способом и имеет удельное сопротивление 1 вЂ” 1,5 лгол. сл, После того как электрохимическая ячейка собрана и залита водой, на электроды подают ток напряжением 20 вЂ” 30 в. В процессе оксидпро№ 137893 вания ток непрерывно падает (особенно сильно в начальный период> до достижения насыщения, что соответствует толщине оксидной пленки порядка 2000 А. Толщину пленки определяют емкостным методом, предполагая, что диэлектрическая проницаемость пленки равна диэлектрической проницаемости кварца. Тангенс угла диэлектрических потерь для окисленного кристалла равен 0,1.

Предмет изо бр етения

Редактор С. А, Барсуков Техрсл А. А. Камыгиникоза Корректор Ю. Рябцова

Формат бум 70Х 108 /ig

Тираж 650

ПЬТИ прп Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, И Черкасский пер., д, 2/6

Объем 0,17 усл. п, л.

Цена 3 коп

Полн, к печати 18/3 --61

1055

Киржа нская гипография отдела издательств и полиграфической промышленности

Владимирского областного Управления культуры.

Способ защиты кристаллов кремния, например, полупроводниковых приборов, от внешних химических воздействий путем создания оксидной пленки электрохимическим окислением, отличающийся тем, что, с целью упрощения окисления, его проводят в чистой, например, обессоленной воде, и используют в качестве катода кремний.

Изобретение относится к области гальваностегии и может быть применено для выращивания нитевидных кристаллов путем электроосаждения металлов из электролита

Способ получения монокристаллов не растворимых в воде солей // 2350698

Изобретение относится к материаловедению, а именно к методам получения монокристаллов для кристаллографии, оптики и электроники

Способ выращивания игольчатых кристаллов // 2430200

Изобретение относится к области гальванопластики и может быть применено для изготовления деталей устройств нанотехнологического оборудования, использующих метод сканирующего зонда, например, кантилеверов

Способ получения монокристаллов электролизом расплавленных солей // 774285

Способ получения электрода // 815090

Способ получения кристаллов из раствора // 1438279

Изобретение относится к электрохимии и может быть использовано для 1фисталлизэдии редких и дорогостоящих вещеста белкоа пептидов биоорганичес а« соединений

Способ получения пленок бактериородопсина // 1678919

Изобретение относится к оптоэлектронике , в частности к созданию элементов интегральной оптики и запоминающих устройств Обеспечивает исключение разрушающего воздействия воды, увеличение степени ориентации молекул в пленке, регулирование ее толщины и увеличение производи гельности процесса Используют метод электрофореза Осаждение ведут из водной суспензии бактериородопсина на вертикально установленную подвижную подложку при напряженности электрическою поля между подложкой и электродом 20-40 В/см и вытягивании подложки со скоростью 60- 720 мм/ч Возможно получение однородных пленок толщиной от 5 до 120 мкм и большой площади

Способ получения медьсодержащих нанокатализаторов с развитой поверхностью // 2611620

Изобретение относится к способу получения медьсодержащих нанокатализаторов с развитой поверхностью, который заключается в том, что сначала из раствора электролита на металлический носитель методом электроосаждения наносят медь, затем носитель с нанесенным активным металлом подвергают термообработке. Процесс электроосаждения ведут так, чтобы на металлической подложке с коэффициентом теплопроводности меньше 20 Вт/(м⋅K) вырастить монослой икосаэдрических малых частиц из меди, имеющих микронные размеры от 5 до 15 мкм и обладающих 6-ю осями симметрии пятого порядка, или слои микрокристаллов с дефектами дисклинационного типа в кристаллической решетке, затем проводят их отжиг в воздушной атмосфере при температурах 300-400°C и времени выдержки 4 часа до формирования у малых частиц развитой поверхности в виде нановискеров или при температурах 500-600°C и времени выдержки 2-3 часа до формирования у малых частиц развитой поверхности в виде нанопор, или внутренних полостей, или гофрированного рельефа. Технический результат заключается в получении нанокатализатора с высокой удельной поверхностью, хорошей адгезией к носителю, высокой механической прочностью и низким гидродинамическим сопротивлением. 2 з.п. ф-лы, 8 ил.

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ получения пленки диоксида кремния на подложке // 2116686

Способ химического осаждения тонких пленок диоксида кремния // 2119692

Способ изготовления структур кремний - пленка диоксида кремния // 2128382

Способ получения борсодержащих пленок // 2129321

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов

Способ получения борофосфорсиликатных пленок // 2173912

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов

Способ получения защитных пленок // 2176421

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Ta2O5)

Способ химической обработки пластин кремния // 2228563

Пленка гидрированного кремний-оксикарбида (sico:h) и способ ее получения // 2264675

Способ создания диэлектрического слоя // 2274926

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи