Устройство для получения монокристаллов кремния

Авторы патента:

Бамунер А.В.

Васильев А.С.

Дудин А.Г.

Моргун В.В.

Петров Ю.Б.

C30B29/06 - кремний

C30B13/28 - управление или регулирование (управление или регулирование вообще G05)

Устройство для получения монокристаллов кремния

Способ плавления кремния и устройство для его осуществления // 113874

Способ получения монокристаллов германия и кремния с заданным содержанием примесей // 107450

Способ управления процессом кристаллизации и устройство для его осуществления // 2163943

Изобретение относится к выращиванию кристаллов

Способ управления процессом выращивания кристаллов и устройство для управления процессом выращивания кристаллов // 2203351

Изобретение относится к области автоматизации управления технологическими процессами получения полупроводниковых материалов и может использоваться для выращивания кристаллов в космических условиях при отсутствии оператора

Способ выращивания монокристаллов германия методом отф // 2330127

Способ управления процессом выращивания кристаллов из расплава // 2357023

Изобретение относится к технике выращивания монокристаллов из расплава в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплавленную зону

Способ выращивания монокристаллов германия диаметром до 150 мм методом отф // 2381305

Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав, в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ

Холодильник к печи для зонной очистки металлов // 151474

Аппарат для очистки жидкостей методом низкотемпературной зонной плавки // 184812

Телевизионное устройство для автоматического регулирования и стабилизации // 347073

Устройство для исследования направленной кристаллизации // 1624065

Способ автоматического управления процессом выращивания кристаллов методом бестигельной зонной плавки // 1818363

Абразивная суспензия // 2102543

Способ зонной перекристаллизации градиентом температуры кремниевых пластин на основе алюминиевых зон // 2107117

Способ получения регулярных нитевидных кристаллов кремния // 2117081

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Способ изготовления исходного поликристаллического кремния в виде пластин с большой площадью поверхности и камера для осаждения кремния // 2158324

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Способ получения мульти- и монокристаллического кремния // 2173738

Изобретение относится к химической технологии

Способ выращивания монокристаллов кремния // 2177513

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, получаемого для этих целей методом Чохральского

Способ обработки выращенных слитков монокристалла кремния // 2186887

Изобретение относится к способам обработки выращенных слитков монокристалла кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин солнечных элементов фотовольтаических модулей

Способ получения монокристаллов кремния при нарушении монокристаллического роста // 2189407

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского