Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала
Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов . Целью является увеличение диэлектрической проницаемости. Цель достигается за счет введения в материал на основе титаната бария добавки ZnO при следующем соотношении компонентов материала, мас.%: BaTiOg 85,7-89,8; CaZrOg 8-10; SrCO., 0,65- 1,3; ZrO-z. 0,,0; 0,50-1,0; ZnO 0,50-1,0. При заявляемом соотношении компонентов возрастает до 14000. Материал и изделия получают по традиционной технологии. 2 табл. 00 О 00 (У1 со 00
СОЮЗ СОВЕТСКИХ.
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (19) (11) (51) 4 С 04 В 35/46 H 01 С 4/12
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
* К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3980089/29-33 (22) 26, 11. 85 (46) 07. 05. 87. Бюл. № 17 (72) Э.И.Мамчиц, И.Г.Бертош, 3.И.Давыдова и В.Ф.Ларичева (53) .666 ° 638(088,8) (56) Заявка ФРГ № 2930634, кл. С 04 В 35/00, опублик. 1980.
Авторское свидетельство СССР
¹ 689990, кл. С 04 В 35/46, 1979. (54) ШИХТА СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА (57) Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Целью является увеличение диэлектрической проницаемости. Цель достигается за счет введения в материал на основе титаната бария добавки Zn0 при следующем соотношении компонентов материала, мас,7: BaTiO>
85,7-89,8; CaZrO> 8-10; SrCO> 0,651,3; ZrO< 0,55-1,0; Nb О 0,50-1,0;
Zn0 0,50-1,0. При заявляемом соотношении компонентов E возрастает до
14000. Материал и изделия получают по традиционной технологии. 2 табл.
1308598
Таблица 1
Содержание компонентов, мас.%, в составе
Компоненты
1 2 3
BaTiO
CaZrO
ЯгСО»
89,8
87,7 85,7
9,0 10,0
1 0 1,3
8,0
0,65
0,55
0,8
1,0
Nbã0
0,5
0,75
1,0
ZnO
0,5
0,75
1,0
Таблица 2
tg5 10 Т к, С Т об С
Состав
Предлагаемый
14000
1 330230
1310<30
1310+30
13000
0,8
11000
0,6
5900-7800
Известный
1360+20
ВНИИПИ Заказ 1771/20
Тираж 588
Подписное
Произв-полигр. пр-тие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов.
Цель изобретения — повышение диэлектрической проницаемости сегнетокерамического материала.
Шихту получают следующим образом.
Предварительно известным в керамическом производстве способом при температуре синтеза 1220-1300 С поо лучают спеки BaTiO и CaZrO которые затем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см /г.
Измельченные спеки BaTi0» CaZrO>и SrCo» Nb<0<, ZrOz и ZrO, взятые в
=.àäàëHoì соотношении, смешивают любым из известных способов, например, в вибромельнице и измельчают до удельной поверхности 5000-7000 см /г.
Полученную таким образом шихту сегнетокерамического материала используют для получения диэлектрика конденсаторов по принятой пленочной технологии путем разлива керамического шликера. Полученные из керамической пленки заготовки конденсаторов обжигают при 1280-1360 С, а затем выполняют сборочные операции известным способом.
Составы предлагаемой шихты приведены в табл. 1.
Свойства сегнетокерамического материала для низкочастотных конденсаторов из предлагаемой шихты приведены в табл. 2. г
Формула из обре те ния
Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала, включающая
ВаТ: 0>, CaZr0>, SrCO>, ZrO<, Nb+0< и. добавку, отличающаяся тем, что, с целью увеличения диэлектрической проницаемости, она содержит в качестве добавки ZnO при следующем соотношении компонентов, мас.%:
BaTiOq 85,7-89,8
CaZrOý 8,0-10,0
ЯгСОз О, 65-1,3
ZrO 0,55-1,0 1 Р 0,5- I,O
ZnO 0,5-1,0
