Способ выращивания кристаллов -liio3

 

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной технике. Цель изобретения - повышение производительности способа и снижение себестоимости выращенных кристаллов. Способ включает испарение растворителя из исходного раствора LiIO3 и HIO3, приготовленного при температуре t0, которая связана с кислотностью исходного раствора pH t0 следующим соотношением: pHto 1,5+0,007 (t-to)pHto выбирают из интервала 0,8 - 2,0; t - из интервала 40 - 102oС. Скорость роста кристаллов 3,4 мм/сут. Кристаллы используют как элементы в нелинейной оптике.

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано для получения кристаллов йодата лития -модификации (-LiIO3) больших сечений. Целью изобретения является повышение производительности способа и снижение себестоимости выращенных кристаллов. П р и м е р. Рабочий раствор готовят вымешиванием до насыщения в воде при 20оС соли LiIO3 квалификации ОСЧ и йодноватой кислоты HIO3 ОСЧ в количестве 150-160 г/л. Измеренная кислотность рHto раствора равна 1,71. После вымешивания раствор фильтруют через фильтр пористости. При той же температуре раствор заливают в стакан и вводят в него затравку. Последняя представляет собой пластину Z-среза от естественного кристалла с поперечным размером 10 мм. После зарядки кристаллизатора в нем постепенно, в несколько этапов, температуру повышают до рабочей, равной 70оС. Такую температуру в течение всего процесса выращивания поддерживают с помощью контактного термометра и нагревателя. Кристалл растет из затравки за счет испарения воды. Скорости роста его при этом следующие: в направлении Z скорость Vz равна 3,4 мм/сут, в направлении Х скорость Vx 1,7 мм/сут. При таких скоростях роста кристалл с поперечным размером 40 мм вырастает за 11-12 сут. Из выращенного кристалла изготавливают элементы для нелинейной оптики.

Формула изобретения

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ -LiIO3, основанный на методе испарения, включающий испарение растворителя из исходного раствора LiIO3 и HIO3, приготовленного при температуре t0, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и снижения себестоимости кристаллов, рост кристаллов проводят при температуре t, связанной с кислотностью исходного раствора соотношением 1,5 - 0,007 (t - t0), где - кислотность раствора при температуре t0, при этом кислотность выбирают из интервала 0,8 - 2,0, а температуру t - из интервала 40 - 102oС.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей

Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п

Изобретение относится к способам получения оптического кальцита (исландского шпата)

Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе
Наверх