Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов

 

Изобретение .относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запо.минающих устройств на цилиндрических .магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является новышение быстродействия устройства. Устройство для считывания ЦМД содержит .магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой расположены элементы растяжения ЦМД 3 и 4 в виде смежных столбцов 5 шевронных магнитомягких аппликаций 6, два активных 7 и два пассивных 8 магниторезисторных датчика, включенные в смежные плечи мостовой с.хемы 9 и разделенные разрушающим слоем 10, 1-образные магнитомягкие аппликации основной группы II, V-образные магнитомягкие аппликации 12, 1-образные магнитомягкие аппликации первой 13 и второй 14 дополнительных групп, первые 15, вторые 16 и третьи 17 столбцы шевронных -магнитомягких аппликаций элементов растяжения ЦД1Д 3 и 4, причем в первом элементе растяжения ЦМД 3 V-образные аппликации 12 гальванически связаны с пере. каждой нечетной апп,;1икации 6 первого столбца 15 и смежной перемычкой , соответствующей нечетной аппликации 6 второго столбца, 1-образные аппли (С (Л со ю ел сл ел

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (5и 4 11 С 7/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4036646/24-24 (22) 17.03.86 (46) 23.07.87. Бюл. № 27 (71) Омский политехнический институт (72) Г. Ф. Нестерук, В. Ф. Нестерук, В. Т. Гиль и С. В. Воротинцев (53) 681.327.6 (088.8) (56) Электроника. 1979, № 23, с. 32.

Bubble memory design Handbook one

megabit Intel magnetics 1пс. 1979. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ

ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ. ДОМЕНОВ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является повышение быстродействия устройства. Устройство для считы вания ЦМД содержит м агнитоодно„,SU„, 1325557 А1 осную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой расположены элементы растяжения

ЦМД 3 а 4 в виде смежных столбцов 5 шевронных магнитомягких аппликаций 6, два активных 7 и два пассивных 8 магниторезисторных датчика, включенные в смежные плечи мостовой схемы 9 и разделенные разрушающим слоем 10, I-образные магнитомягкие аппликации основной группы 11, \ -образные магнитом ягкие аппликации 12, 1-образные магнитомягкие аппликации первой 13 и второй 14 дополнительных групп, первые 15, вторые 16 и третьи 17 столбцы шевронных магнитомягких аппликаций элементов растяжения ЦМД 3 и 4, причем в первом элементе растяжения ЦМД 3 V-образные аппликации 12 гальванически связаны с перемычкой каждой нечетной аппликации 6 первого столбца 15 и смежной иерем ь1 чкой, соответствующей нечетной а и ил икации 6 второго столбца, I-образные аппли1325557 кации 13 гальванически связаны с перемычками каждой (2k+3)-й и (2k+5)-й шевронных аппликаций 6 (k=0,. 2, 4...) второго столбца, а 1-образные аппликации 14 гальванически связаны во втором столбце с вершиной каждой (2k+3)-й шевронной аппликации 6 и перемычкой соответствующей (2k+ 2)-й шевронной аппликации 6, в первом 3 и втором 4 элементах растяжения ЦМД

1-образные аппликации 11 гальвани1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является повышение быстродействия устройства.

На чертеже изображена конструкция п ре дл а га ем о го у стро йств а.

Устройство для считывания ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой расположены элементы 3 и 4 растяжения ЦМД в виде смежных столбцов 5 шевропных магнитомягких аппликаций 6, два активных 7 и два пассивных 8 магниторезисторных датчика, включенных в смежные плечи мостовой схемы 9 и разделенных разрушающим слоем 10, 1-образные магнитомягкие аппликации 11 осйовной группы, V-образные магнитомягкие аппликации 12, 1-образные магнитомягкие аппликации первой 13 и второй 14 дополнительных групп, первые 15, вторые 16 и третьи 17 столбцы шевронных магнитомяг1 ких аппликаций элементов 3 и 4 растяжения ЦМД, причем в первом элементе 3 растяжения ЦМД V-образные аппликации 12 гальванически связаны с перемычкой каж- 25 дой нечетной аппликации 6 первого столбца 15 и смежной перемычкой соответствующей нечетной аппликации 6 второго столбца, 1-образные аппликации 13 гальванически связаны с перемычками каждой (2k+3) -й и (2k+5) -й шевронных аппликаций 6 30 (k = 0,2,4...) второго столбца, а 1-образные аппликации 14 гальванически связаны во втором столбце с вершиной каждой (2k+3)-й шевронной аппликации 6 и перемычкой соответствующей (k+2) -й шевронной аппликации 6, в первом 3 и втором 4 элементах растяжения ЦМД I-образные апликации 11 гальванически связаны с одноименными перемычками каждой (2k+!)-й и (k+3)-й шевронных аппликаций 6 в первых и третьих столбцах, а в третьем столбце 17 первого 40 элемента 3 растяжения ЦМД. в первом !5 и третьем !7 второго элемента растяжения чески связаны с одноименными перемычками каждой (2k+1)-й и (2k+3)-й шевронных аппликаций 6 в первых и третьих столбцах, а в третьем столбце первого элемента растяжения ЦМД 3, в первом 15 и третьем 17 второго элемента растяжения

ЦМД 4 1-образные аппликации 11 гальванически связаны с одноименными перемычками каждой (2k+3)-й и (2k+5)-й шевронных аппликаций 6. 1 ил.

ЦМД 4 1-образные аппликации 11 гальванически связаны с одноименными перемычками каждой (2k+3)-й и (2k+5)-й шевронных аппликаиий 6.

Устройство работает следующим образом.

ЦМД, поступающие на элементы растяжения, увеличиваются в поперечном направлении при движении от столбца к столбцу, образованных шевронными аппликациями 6.

В первый 3 и второй 4 элементы растяжения засылаются первая и вторая последовательности ЦМД, содержащие информацию в каждой битовой позиции. Одноименные биты названных последовательностей одновременно достигают шевронных аппликаций первых столбцов 15 в первом и втором элементах растяжения ЦМД. Однако информационный бит во втором элементе растяжения ЦМД поступает под активный датчик 7 на 0,5 периода изменения поля управления Н„ раньше (вектор Н„находится в положении 1), чем соответствующий бит в первом элементе растяжения, который оказывается под активным магниторезистором 7 при повороте вектора Н в положении III. Причем к моменту поступления ЦМД первой информационной последовательности к активному датчику 7 первого элемента растяжения одноименный ЦМД из второй информационной последовательности уже покидает активный датчик 7 второго элемента растяжения ЦМД, что исключает компенсацию выходного сигнала, вызванного разбалансом мостовой схемы 9 считывания информации за счет последовательного во времени изменения электрического сопротивления активных датчиков 7 второго 4 и первого 3 элементов растяжения ЦМД.

При повороте вектора поля управления из положения IV в положение 1 растянутый

ЦМД, находящийся п, д активным датчиком 7 первого элемента 3 растяжения, последовательно притягивается вначале полюсами, наведенными на концах 1-образных

1325557

Формула изобретения

Составитель Ю. Розеита.lь

Редактор Н. Лазаренко Техред И. Верее Корректор I!. Король

Заказ 3! !4!48 Тираж 589 !одписнос

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изо<;ретений II открытий !! 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская нап...l. 4, 5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород. i,л. !1роектная. 4

3 аппликаций 14, затем полюсами на вершинах шевронных аппликаций 16 второго столбца, что способствует быстрому выводу домена из-под активного датчика 7 первого элемента растяжения при поступлении ЦМД из первой информационной последовательности под активный датчик 7 первого элемента 3 растяжения.

Исключение возможности одновременного нахождения ЦМД под обоими активными магниторезисторами сводит к минимуму взамное влияние считываемых информационных последовательностей.

Дальнейшее вращение вектора поля управления вызывает перемещение растянутых ЦМД через вторые столбцы 16 первого и второго элементов растяжения LIMB, к разрушающему слою 10.

П ассивные датчики 8, находящиеся в третьих солбцах 17 элементов растяжения

ЦМД и включенные в мостовую схему 9 считывания, предназначены для компенсации влияния вращающегося поля управления на выходной сигнал мостовой схемы и защищены от воздействия информационных

ЦМД разрушающим слоем 10.

Таким образом, в предложенном устройстве достигается локализация действия

ЦМД на каждый из активных датчиков только в промежуток времени, не превышающий 0,5 периода изменения поля управления, что дает возможность осуществлять считывание двух битов информации в течение каждого периода изменения магнитного поля управления.

Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов, содержащее магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены элементы растяжения цилиндрических магнитных доменов в виде смежных столбцов шевронных магнитомягких аппликаций, два активных и два пассивных магниторезисторных датчика, включенные в смежные плечи мостовой схемы и выполненные в виде перемычек шевронных магнитомягких аппликаций соответствующих столбцов, соединенных последовательно с помощью 1-образных магнитомягких аппликаций основной группы, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия устройства, оно содержит V-образные магнитомягкие аппликации, дополнительные группы

1-образных магнитомягких аппликаций, в первом элементе растяжения цилиндрических магнитных доменов V-образные магнитомягкие аппликации гальванически связаны с перемычкой каждой нечетной шевронной аппликации первого столбца и смежной перемычкой соответствующей нечетной шевронной аппликации второго столбца, 1-образ15 ные магнитомягкие аппликации первой дополнительной группы гальванически связаны с перемычками каждой (2k+3)-й и (2k+

+5)-й шевронных аппликаций (k=0,2,4...) второго столбца, а 1-образные магнитомягкие аппликации второй дополнительной груп пы гальванически связаны во втором столбце с вершиной каждой (2k+3)-й шевронной аппликации и перемычкой соответствующей (2k+2)-й шевронной аппликации, в первом и втором элементах растяжения цилиндри25 ческих магнитных доменов 1-образные магнитомягкие аппликации основной группы гальванически связаны с одноименными перемычками каждой (2k+!)-й и (2k+3)-й шевронных аппликаций в первых и третьих столбцах, а в третьем столбце первого элеЗ0 мента растяжения цилиндрических магнитных доменов. в первом и третьем столбцах второго элемента растяжения цилиндрических магнитных доменов 1-образные магнитомягкие аппликации основной группы гальванически связаны с одноименными перемычками каждой (21 +3)-й и (2k+5)-й шевронных аппликаций, причем 1-образные магнитомягкие аппликации основной группы в третьем столбце первого элемента растяжения цилиндрических х!агнитных доменов, нервом и третьем столбцах второго элемента растяжения цилиндрических магнитных доменов расположены от вершин соответствующих шевронных аппликаций на расстоянии, не превышающем четверти периода следования шевронных аппликаций.