Оптоэлектронный прибор

Авторы патента:

H01L31/12 - связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света (полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним поверхностным или потенциальным барьером, приспособленные для излучения света H01L 33/00; электролюминесцентные элементы и фотоэлементы H03F 17/00; электролюминесцентные источники света как таковые H05B 33/00)

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к монолитным оптоэлектронным приборам, и может быть использовано в вычислительной технике, устройствах автоматики, системах оптической связи. Цель изобретения расширение функциональных возможностей оптрона. На фиг. 1 и 2 показан предлагаемый оптоэлектронный прибор. Прибор содержит излучающий 1 и фотопреобразующий 2 р-n-переходы, сформированные в монокристалле полупроводника 3, а также омические контакты к р- и n-областям 4 7 и оптическую среду 8 между ними, канал 9 из полупроводника n-типа и МДП управляющий затвор 10. Прибор работает следующим образом. При приложении к р-n-переходам напряжений соответствующей полярности и величины (в конкретном случае арсенидогаллиевого оптрона с компенсацией примесей в оптической среде за счет легирования кремнием на входной излучающий р-n-переход подавалось прямое смещение 1,5 В, на выходной фотопреобразующей р-n-переход обратное смещение 1,5 В) и подаче на управляющий затвор управляющего напряжения отрицательной полярности (в конкретном случае в качестве диэлектрика затвора применяли пленку двуокиси кремния толщиной 0,07 - 0,1 мкм) минус 40 50 В в выходной цепи регистрируется ток, равный 2 мА. Максимальная величина управляющего напряжения обусловлена опасностью электрического пробоя диэлектрика затвора. При снижении величины управляющего напряжения в диапазоне 40 50 В происходит изменение тока в выходной цепи оптоэлектронного прибора до 0,02 мА. Тем самым расширяются его функциональные возможности. Эффективность управления током в выходной цепи зависит от материала, толщины канала, диэлектрика затвора и величины прикладываемого управляющего напряжения. Работа прибора обусловлена следующими физическими процессами. Приложение отрицательного смещения к затвору приводит к появлению эффекта поля уменьшению поверхностной проводимости полупроводника под действием электрического поля, приложенного перпендикулярно поверхности. При этом отсутствует или сводится к минимальной гальваническая связь между входом и выходом оптрона, а ток в выходной цепи оптоэлектронного прибора определяется характером свечения входного излучающего р-n-перехода. При снижении величины отрицательного смещения область канала насыщается основными носителями заряда электронами, проводимость канала повышается и появляется гальваническая обратная связь между излучающими и фотопреобразующими р-n-переходами. В результате этого нарушаются условия излучательной рекомбинации входного р-n-перехода и ток в выходной цепи оптоэлектронного прибора уменьшается. При этом характер изменения выходного тока зависит от величины обратной связи, обусловленной величиной приложенного к затвору управляющего напряжения. Работа прибора, изображенного на фиг. 2, аналогична работе прибора, изображенного на фиг. 1. При этом полярность управляющего напряжения обратная.

Формула изобретения

Оптоэлектронный прибор, содержащий излучающий и фотопреобразующий р-n-переходы, оптическую среду между ними и омические контакты к р- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, р- или n-область излучающего и фотопреобразующего p-п-переходов соединены каналом из полупроводника одноименного типа проводимости, что и соединяемые области, при этом на поверхности канала выполнен МДП управляющий затвор.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2

Оптрон // 551730

Оптоэлектронный прибор // 434873

Патент 329602 // 329602

Преобразователь изображения // 298080

Полностью оптический регенератор // 2105389

Изобретение относится к области обработки информации, представленной оптическими сигналами, в частности к устройствам регенерации, усиления, коммутации оптических сигналов (ОС) полупроводниковыми структурами

Многофункциональный индикаторный оптрон // 2174269

Изобретение относится к оптоэлектронному приборостроению и может быть использовано для создания оптоэлектронных преобразователей и информационных матричных дисплеев

Светодиодное устройство // 2258979

Изобретение относится к конструктивным элементам полупроводниковых приборов, по меньшей мере, с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенных для светового излучения, в частности, к железнодорожным светодиодным светофорам

Фотолюминесцентный излучатель, полупроводниковый фотоэлемент и оптрон на их основе // 2261502

Полупроводниковый диод для инфракрасного диапазона спектра // 2286618

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно к диодным источникам и приемникам, излучающим и принимающим излучение с поверхности в инфракрасном (ИК) диапазоне спектра, и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, в системах обнаружения и связи

Фотоприемник // 2462742

Изобретение относится к фотоприемникам и предназначено для селективной регистрации оптических сигналов в оптоэлектронных устройствах

Гибридное интегральное вакуумное микрополосковое устройство // 2073936

Оптоэлектронное устройство // 1787297

Термоотверждающаяся композиция эпоксидной смолы и полупроводниковое устройство // 2528849

Изобретение относится к термоотверждающейся композиции на основе эпоксидной смолы и полупроводниковому устройству, полученному с использованием ее. Композиция содержит (А) реакционную смесь триазинпроизводной эпоксидной смолы и ангидрида кислоты при отношении эквивалента эпоксидной группы к эквиваленту ангидрида кислоты 0,6-2,0; (В) внутренний агент высвобождения из формы; (С) отражающий материал; (D) неорганический наполнитель; и (Е) катализатор отверждения. Внутренний агент высвобождения из формы компонента (В) содержит сложный карбоксилатный эфир, представленный следующей общей формулой (1): в которой R11 и R12 представляют собой CnH2n+1, где n представляет собой число от 1 до 30, и соединение, представленное следующей общей формулой (2): в которой R1, R2 и R3 независимо выбраны из Н, -ОН, -OR и -OCOCaHb при условии, что, по меньшей мере, один из R1, R2 и R3 включает в себя -OCOCaHb; R представляет собой CnH2n+1 (в которой n представляет собой целое число от 1 до 30), а составляет от 10 до 30, и b составляет от 17 до 61. Полупроводниковое устройство содержит полупроводниковый элемент, капсулированный отвержденным вышеуказанным продуктом термоотверждающейся композицией на основе эпоксидной смолы. Изобретение позволяет получить гомогенный продукт, сохраняющий белизну, теплостойкость, светостойкость в течение длительного времени с пониженным пожелтением.3 н. и 5 з.п. ф-лы, 12 ил., 4 табл.

Оптопара с катадиоптрической линзой // 2627565

Изобретение предназначено для преобразования световой энергии в электрическую. Оптопара содержит источник света в виде шаровой ксеноновой лампы, фотопреобразователь в виде батареи солнечных элементов и корпус в виде трубы из диэлектрического материала, на внешней боковой поверхности которого имеются распределители потенциала. В оптопару дополнительно включены сферическое зеркало и линза с катадиоптрической насадкой. Сферическое зеркало, линза с катадиоптрической насадкой и батарея солнечных элементов расположены на одной оптической оси, совпадающей с осью корпуса, выполненного в виде трубы, в одном торце трубы расположена линза с катадиоптрической насадкой, сферическое зеркало и шаровая ксеноновая лампа, расположенная между сферическим зеркалом и линзой с катадиоптрической насадкой. Во втором торце расположена батарея солнечных элементов. Технический результат - расширение технологических возможностей оптопары путем увеличения ее мощности и электрической прочности. 1 ил.