Электрофотографический материал

 

Изобретение относится к электрографии и позволяет повысить качество материала за счет улучшения его электрофизических характеристик. Электропроводящую подложку из дюралюминиевого сплава обезжиривают и помещают в ванну с фосфатирующим раствором, где проводят фосфатирование в течение 1,2-2 мин, при этом на подложке образуется фосфатная пленка толщиной 0,05-0,1 мкм. Затем подложку высушивают и помещают в вакуумную камеру . для нанесения на фосфатную пленку . сплава селен (Se) - фосфор (Р) - теллур (Те) при их соотношении, ат.%: Se 88,5-94,5; Р О,5-1,5; Те 5,0-10,0. После напьшения слоя Se-P-Te его поверхностный слой легируют путем пропускания .в камеру воздуха или кислорода и, поддерживая температуру материала 60-80 С, вьщерживают слой. 10 мин и затем охлаждают, Солщина легированного слоя составляет.1,5- 1,8 мкм. 1 з.п. ф-лы, 4 табл. (Л 00 со 4.

„„SU„„1 4101 А 1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИ ЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (gg 4 G 03 G 5/08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОНИТЕТ СССР

AO ДЕЛАН ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3971961/23-12 (22) 10 11 ° 85 (46) 30.08.87. Бюл. 9 32 (72) А-.Ф. Шелкова, О.Г. Глухачева, Г.З. Виноградова, И.П. Вараняцкас, И.-Д.Б. Сидаравичюс, Л.М. Клейнова и Ю.К. Ракаускас (53) 772.93(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 1183938, кл. G 03 G 5/08, 1983. (54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ (57) Изобретение относится к электрографии и позволяет повысить качество материала за счет улучшения его электрофизических характеристик. Электропроводящую подложку из дюралюминиевого сплава обезжиривают и помещают в ванну с фосфатирующим раствором, где проводят фосфатирование в течение

1,2-2 мин, при этом на подложке образуется фосфатная пленка толщиной

0,05-0,1 мкм. Затем подложку высушивают и помещают в вакуумную камеру для нанесения на фосфатную пленку сплава селен ($е) — фосфор (Р) — теллур (Те) при их соотношении, ат.Х:

Se 88,5-94,5; P 0,5-1,5; Те 5,0-10,0.

После напыления слоя Se-P-Te его поверхностный слой легируют путем пропускания в камеру воздуха или кислорода и, поддерживая температуру материала 60-80 С, выдерживают слой.

10 мин и затем охлаждают. Толщина легированного слоя составляет 1,51,8 мкм. 1 з.п. ф-лы, 4 табл.

1 13

Изобретение относится к электрофотографическим материалам, в частности к Промежуточным носителям информации, используемым в копировально-множительной аппаратуре, устройствах для регистрации выходных данных

ЭВМ, фотонаборных машинах, регистрирующих приборов.

Цель изобретения — повышение качества материала за счет улучшения его электрофизических характеристик.

Пример ы 1-4. Подложку из дюралюминиевого сплава протирают тампоном, смоченным, бензином, для удаления остатков полировальной пасты, затем обезжиривают в 207.-ном растворе поверхностно-активного средства.

"Прогресс" при 60 С. Контроль качества обезжиривания проводят по разрывности водяной пленки. После обезжиривания подложку помещают в ванну с фосфатирующим раствором, г/л: ,Н РО 45, Ст 0 5, NaF 3, и проводят фосфатирование в течение 1,5-2 мин.

Подложку высушивают и помещают в вакуумную камеру, Сплав Se-P-Те размельчают и в количестве, обеспечивающем при его испарении толщину слоя

20-60 мкм, загружают в гигель и устанавливают в вакуумную камеру.

Создают вакуум в 10" мм рт.ст., устанавливают температуру тигля 220

+10 С и напыляют слой. Температура о подложки 60-80 С. После напыления слоя

Se-Р-Те поверхностный его слой легиРуют - в- камеру сразу пускают воздух или кислород и, поддерживая температуру материала 60-80 С, выдерживают слой 10 мин,затем слой охлаждают закалкой в воду. Толщина легированного слоя составляет 1,5-1,8 мкм.

В табл. 1 представлены составы . слоя $е-P-Те и основные электрофотографические параметры предлагаемого материала.

Интегральную фоточувствительность, а также время полуспада потенциала

34101 2 в темноте измеряли при напряженности поля 20 В/мкм, Предлагаемый материал по сравнению с прототипом характеризуется более вы5 сокой фоточувствительностью к монохроматическому свету и более широкой спектральной областью фоточувствительности, что расширяет возможность применения материала в различных областях электрофотографической техники, например в аппаратуре цветного документирования, при регистрации информации с помощью лазера и др, (табл. 2),отсутствием остаточного потенциала, наличие которого ухудшает качество изображения из-за увеличения фона (табл„ 3), и значительно меньшей (более чем в 2 раза) (табл.4) скоростью спада темнового потенциала. Кроме того„ материал имеет большую адгезию фоточувствительного слоя к подложке.

Формула изобретения.

1. Электрофотографический материал, состоящий из электропроводящей подложки и нанесенных на нее после30 довательно промежуточного слоя и верхнего слоя на основе сплава селен— фосфор — теллур, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения качества материала за счет улучшения его

З электрофизических характеристик, поверхность .верхнего слоя электрофотографического материала легирована кислородом, нри этом сплав данного слоя содержит компоненты при следующем со40 отношении ат.7:

Селен 88,5-94,5

Фосфор 0,5-1,5

Теллур 5, 0-10,0, а в качестве промежуточного слоя—

4 фосфатную пленку толщиной 0,05-0,1 мкм.

2. Материал по и. 1, о т л и ч аю шийся тем, что толщина легированного кислородом слоя составляет

1,5-1,8 мкм.

1334101

Таблица 1

Злектрофотографические параметры — 1 с

1/2, S, мин лк

Е, В/мкм

0 7 60 .78

94,5

0 5 100 75

35

93,5

0,5 10

36

89,5. 60

1 ° 5 10

88,5

Таблица 2

Длина волны монохроматического света, нм

Фоточувствительность электрофотографического материала, м /Дж по прототипу предлагаемого

400

530

580

420

530

620

400

525

680

460

515

660

480

500

670

720

495

500

520

455

720

540

420

680

400

560

670

580

365

660

600

290

650

620

220

520

640

500

160

660

105

480

420

680

Состав слоя по примеру

Яе

Содержание, ат.7

Те

0 5 5

1,5 . 5

18074

1 5 0 72

Иикротвердость, кг/мм

1334101

Продолжение табл.2 предлагаемого по прототипу

220

700

100

720

20

740

760

780

Таблица- 3

Электрофотографический Электростатический Остаточный потенциал, материал контраст, В В

560

560

Таблица 4

Электрофотографический материал

Время полуспада потенциала. в темноте, с

По прототипу

Предлагаемый

Редактор А. Огар

Заказ 3960/43 Тираж 420

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Ръушская наб,, д, Подписное

4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Длина волны монохроматического .света, нм

По прототипу

Предлагаемый

Фоточувствительность злектрофотографического материала, м /Дж

Составитель В. 1циманская

Техред И.Попович Корректор M. Демчик