Способ палладирования поверхности полупроводниковых соединений типа aiiibv
Изобретение относится к области технологии полупроводникового производства и может быть использовано при палладировании поверхности полупроводниковых соединений типа А III B V в процессе изготовления, например, светодиодов, инжекционных лазеров, диодов Ганна и т.д. Цель изобретения - повышение качества металлизации и снижение расхода палладия. Согласно изобретению осаждение палладия на поверхность полупроводника проводят в водном растворе, содержащем 0,005 - 0,01 мас.% двуххлористого палладия и соляную кислоту в концентрации 1 - 1000 г/л при температуре от 293 до 298 К. Перед осаждением палладия поверхность полупроводника очищают от загрязнений органическим растворителем, а затем полирующим травителем. После осаждения палладия структуру промывают в деионизованной воде с сопротивлением не ниже 10 6 Ом и сушат. Металлизированная поверхность обладает хорошей адгезионной способностью к металлам и сплавам, используемым в качестве омических контактов и теплоотводов.
Изобретение относится к области технологии полупроводникового производства и может быть использовано при палладировании поверхности полупроводниковых соединений типа AIII BV в процессе изготовления, например, светодиодов, инжекционных лазеров, диодов Ганна и т.д. Цель изобретения повышение качества металлизации и снижение расхода палладия. П р и м е р 1. Проводят палладирование эпитаксиальных двойных гетероструктур типа n-GaAs-n-AlGaAs-p-GaAs-p-AlGaAs-p-GaAs в полосковых окнах шириной 15 мкм, выполненных в слое SiO 2 толщиной 0,2-0,3 мкм. Обезжиривание поверхности проводят в трихлорэтилене, после чего осуществляют химическую очистку полирующим травлением в травителе со следующим объемным соотношением компонентов: H 2 SO 4 H 2 O 2 H 2 O 18 1 1 Осаждение пленки палладия проводят в 0,005 мас.-ном водном растворе двуххлористого палладия при температуре 298 К. Содержание соляной кислоты в растворе составляет 1 кг/м 3, 100 кг/м 3 1000 кг/м 3 Осаждение пленки палладия толщиной (3-4) 
10 -8м осуществляют в течение 3-6 мин. После этого структуры промывают в деионизованной воде сопротивлением не менее 10 6 Ом и сушат путем центрифугирования. Качество металлизации в окнах оценивают по морфологии поверхности и сплошности пленки палладия с помощью оптического микроскопа. Количественно сплошность пленки определяют в долях площади, покрытой палладием, от общей площади окна. Расход палладия по сравнению с известными способами снижается примерно в 25 раз. Поверхность пленки палладия гладкая при всех концентрациях соляной кислоты в растворе. Сплошность пленки составляет 90-100% при концентрации соляной кислоты в растворе 1 кг/м 3 к 100% для остальных значений концентрации соляной кислоты. П р и м е р 2. Проводят палладирование структуры так же, как в примере 1, после чего отжигают ее в атмосфере водорода при 573 К. Затем вакуумным напылением наносят контактные пленки германия и серебра на сторону n-GaAs-структуры и хрома и серебра на сторону p-GaAs-структуры. Изготовленные таким образом лазерные диоды контролируют по величине падения напряжения при токе 100 мА. Этот параметр позволяет косвенно оценить качество палладирования. Результаты контроля показывают, что величина падения напряжения в среднем по партии составляет 1,76 В при выходе годных диодов 30% в то время как при использовании известного способа падение напряжения составляет 2,05 В при выходе годных диодов 19%
Формула изобретения
Способ палладирования поверхности полупроводниковых соединений типа AIIIBV, включающий очистку поверхности, осаждение палладия из водного раствора двуххлористого палладия, отмывку и сушку поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения качества метал- лизации и снижения расхода палладия, осаждение пленки палладия ведут из раствора с концентрацией двуххлористого палладия от 0,005 до 0,01 мас. содержащего 1-1000 кг/м3 соляной кислоты, при температуре 293-298 К.
