Высоковольтный транзисторный ключ
Изобретение может быть использовано во вторичных источниках электропитания с бестрансформаторным входом. Высоковольтный транзисторный ключ содержит транзисторы 1, 2, транзисторный регулятор 3 тока, дифференциальный усилитель 4, источник 5 напряжения смещения, резисторы 6, 7, диод 8, стабилитрон 9, пороговый элемент 10, выходную управляющую, общую шины 11, 12j 13 соответственно и шины 14, 15 управления. Изобретение повьпиает быстродействие путем повышения интенсивности регулирования степени насыщения транзисторного ключа. 1 ил. 1C (Л с со 00 о СП
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (19) (11) 5 А1 (51) 4 Н 03 К 17/60 (ОСУДАРС (ВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3933839/24-21 (22) 23.07.85 (46) 15.09.87. Бкл. N 34 (71) Ивановский энергетический институт им. В.И,Ленина (72) Е.Б,Герасимов, Ю.В,Зверев и В.И.Самонин (53) 62 1.382(088.8) (56) Патент США и 4360744, кл. Н 03 К 17/60, 1982.
Авторское свидетельство СССР
N 924863, кл. H 03 К 17/60, 1982. (54) ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ
„))ЮЧ (57) Изобретение может быть использовано во вторичных источниках электропитания с бестрансформаторным входом. Высоковольтный транзисторный ключ содержит транзисторы 1, 2, транзисторный регулятор 3 тока, дифференциальный усилитель 4, источник 5 напряжения смещения, резисторы 6, 7, диод 8, стабилитрон 9, пороговый элемент 10, выходную управляющую, общую шины 11, 12, 13 соответственно и шины 14, 15 управления. Изобретение повышает быстродействие путем повышения интенсивности регулирования р степени насыщения транзисторного ключа ° 1 ил, 1 13
Изобретение Относится к импульсной гехник(. и может быть испо !ьзовано Ro вторичных источниках электропитания с бестрансформаторш)м входом °
Цель изобретения — новыш<)ше t)blcTродc .Hñòâèÿ путем порышения интенсивности регулирования степени насыщеlIIt5t транзисторног0 к)!н>ча.
II>t
СОКС)ВО.II òHOÃÎ ТРаНЗИСтОРНОГО !СЛ!ОЧс), I> ьl Г < > i< () Б Ол ь Т l i bi t I Т р сl l I. 3 и С T O p l t bil t ключ сс цс ржит пс)рвый 1 и 13 горой 2 тран 311 с т О р ь) т р а н 3 > l c т О р E)blй р е 1 >< Jf Я т О р 3 тоt73, цlfôåðå нпиал E íbté усилитель 4, исто сник 5 напряжения сме)кения, перв! !й 6 и второй 7 резне торн), диод 8, с, а>би;и!трон 9 и !!<Ороговый .)лемепт
10, пр) . !ем колл ект<>р первого транзист<>ра 1 подключен к выходной шине 11, а б» 3а чсрс з 1!сточнш, 5 напрлжсш)я с Iei!;e!III)I соединена с инвертирующим вх»3дс<<;7и >ференпиального усилитеJIII 4, выхо l, которого подключен к входу тра i! зис TOp:)опo ре гулятора 3 т >ка, tiPPIjI>1й 13biX0
1) I;) i« Ill . Б1!)) ОД О)! Днфф<- Р Р Н ЦИКЛ ИНОГО 5 C i l J! И Т С . Л Я -) 7 P У Г О и Н И Т (110 Щ l )й Н 1>1 Б ОД к< т )рого пс>дк.паче)t кс !>торой шине 15 шт;>пил, выходнал шина 1 через псрвыи р зистор с> и диод 8, которые
J3 К. )< > < i С ". Lt Г а > сl J i! I < J 1 I > i 1 О, С () Е Д И Н Е 11 3 С неин)>с р.г))ру!<>!ци..l )<::.Одом дифферс н,иа.-)ь. но! »3 ;<. Ил! . T 0 <35! 4 и < >дним 131>! водо ..! с габилитpoit сЭ, другой вывод которог0 lfottt.!I!!>«ett к базе первс го транзист
Б!>!Соко)303)ьтный транзисторный ключ работает cледуюшим образом.
При 03сутствии отпирающсго напряжешьл на управляк>щей шине 12 транзисторы 1 и 2 закрыты. Напряжение на переходе коллектор — база транзистора
1 высокое. Оно приложено к резистору 6 и с габилитрону 9, диод S закрыт.
Напрлжсние стаб))литрона 9 больше напряжения !источника 5 смещения, но меньше напряжения источника питания дифферс нциаг)ьного усилителя 4. На38!!5(J 2
?О
?5
После окончания управляющ()го с.игнала на шине 12 гран 3истор 2 з(1пира-.-тсл. Силовым током ключа, прот« ка)<>щим через переход ко:IJI(ктnp — ба 3а иряжение источника "> смссс» ния ранна выб>ранному напряжени) II.7 I!< !)еx(>>7t к<>лл KòOp — база тpOII3H<. т< ра 1 B От.крытом с<>с Toянии. IIа !)ых<>д;lиффере нциальнс) го уси:)итс . !л 4 потс IHtèàë б 1и )ок к ИО eициа>!y HOJI<>;i
;кения черсз открытый р«! улятор переход база — эмиттер трап:3истора 2 пр<>те)сает ток, тра!)зистор 2 отпирается, после чего протекает ток от
IIIII»I>t 12 через резистор 7, пер< ход база — эмиттер транзистора 1, переход коллектор — 3;!Иттер открытог тр:)нзистара 2 к общеи шине 13. IIo ))epe отпиран )л трлн-.>ист<>ра 1 напряжение на сго переходе I,OJI-I< ктор — база уменьша«7сл. ! согда о! о с)аист меньше нацрлже-! ия источника 5 смеllle!н)я, !От«нциал
13 tx07;) дифференциального уси.н! с!5! !!риб»ш)жа ется к потс i!1),. t;tJ!у ш!)ILI 1 с )Ilp<>тигле!гие Tj);1!I:jl!(гOI >II<>I О рс1 улягора 3 возрастает, тс к базы тран:-ист )р;!,> ум«пытается. Диод 8 у f(.ньшает
13л )лние параз)!гнои емкос Ill на неин1) сртиру!Ящем входе дифференциального ус)слителя, г. е. п<7!3ь!1))ает ))ь!с гродс йстГ)f("xñ ìbt. Нанг>лж<>I!ие It!> к( 300 ти Г н с> т 3 н ачс )IIIII > б>!из lf o!
" 0 К 1!ац(>! !ИН> НЛПРЛЖР )IИЯ Нс) НОP O I 0 ВОМ .>лсменте 10. Пос it«то) <> н: ) 3y трлн 3 Ис ТОР а i СО С ТОР ОНЫ Уi>1> ) !015)!< .!)i<>) i i iif
I!bi 12 TOк Ite втекает, а начинас-тея рассасьп)ание заря;.)а перс хода ко.)лектор — база транзист(>ра 1 током, протекающим через названный пер«ход и пороговый элемент 10, который является током нагрузки. Т!ри эт»7) < 1)апр51х<ение на коллекторе трап;l!cтсрс) 1 возрастает до тех )!Ор, пока . . пр >жение на переходе колле!стор-ба за гранзистора 1 не станет близ сим к нацряжешгю источника з смещения. На!!ряжение на выходе дифференциальн< го усилителя 4 возрастает, опротивление регулятора 3 уменьшается, ток базы транзистора 2 возрастает.,!!елее Описанные процессы повгоряются многократно 12 интервале открытого состояния ключа. соковольтного транзисторного ключа выше, чем у известных, эа счет повьш ения еееетееесивееости регулирования степени его насыщения.
Ф о р м у л а и э о б р е т е н и я
Составитель Д, Иванов
Редактор А.Г!аковская Техред М.Xодaнич
Корректор С.Шекмар
Заказ 4144/55 Тираж 901
В!1ИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Г1осква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5!
1одпис Flol.
Проиэе«ес гвенно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. !!р r к гная, 4
3 1З транзистора 1 и пороговый элемент 10, рассасьевается заряд неосновных носителей в базовой области транзистора
1, и последний запирается.
Быстродействие предлагаемого выВысоковольтный транзисторный ключ, содержащий первый и второй транзисторы, транзисторныйе регулятор тока,дифференциале.ен!йе ус>елитсль и источник напряжения смешения, коллектор первого транзистора подключен I; в lxolflloff шине, а база через Ifcточник напряжения смещения cof,IIIII llà с иннертеерующим входом дифференциального усилителя, выход которогo подключен к входу транзисторного регулятора тока, пер38050 вый вьгход FfoTopol соедиееен с управляющей шиной, а второй III lao;i — с базой второго транзистора, эмиттер которого подключе II к об.еей шине, база
Б второго тра!еэистора соедеееееееа с первой шиной питания Il olf IIIIM пеетающеем выводом дифференциальногo усилителя, другой питающий вывод которого подключен к второй ши ее питания, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения быстродействия, введены первый и второй резисторы, диод
У стабилитрон и пороговый элемент, причем выходная шина через первый резистор и диод, которые включены параелельеео, соединена с неинвертирующим входом дифференциального усилителя и одним выводом стабилитрона, другой вывод которого подключен к базе первого траеезистора и через второй резистор к управляющей шине, база первого транзистора через пороговый элемент с.оединена с общей шиной.
