Сегнетоэлектрический накопитель информации

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин. Целью изобретения является повышение надежности накопителя при считывании информации и упрощение его конструкции. Устройство содержит пластину 1 сегнетоэлектрического материала, прижимной элемент в виде пластин 2 проводящего материала, демпфирующую прокладку 3 упругого диэлектрического материала, резистивный слой 4 проводящего материала , проволочные электроды 5 возбуждения , гибкую печатную плату 6 с проводниками 7, выполняющими функциюэлектродов записи-считывания. Пластины 2 соединены через стойки 8 винтами 9, Введение проволочных электродов возбуждения, соединенных с резистивным слоем в его крайних областях в отверстии пластины проводящего материала , обеспечивает реализацию способа считывания, основанного на разогревании сегнетоэлектрика под электродом нулевого потенциала с последующей индикацией фас м пироэлектрической ЭДС на электродах записи-считывания , что не приводит к искажению поляризации, а значии записанной информации. Это повышает надежность накопителя при многократном считывании информации. 2 ил. (Л с: оо 4 00 Х) Фс/г.;

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51) 4 G 11 С 11/22

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

4:ь

00 сО

Ю 3

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3955318/24-24 (22) 20,09,85 (46) 30,10,87,Бюл ° 1I) 40 (71) Институт электронных управляющих машин (72) В.В,Костин, Б.Д.Напольских, Н.Л.Прохоров, 10,Д.Овечкин и Л.А,Петрова (53) 681 .327 .6 (088 .8) (56) Авторское свидетельство СССР

И 501420, кл, G 11 С 11/22, 1976 °

Авторское свидетельство СССР

У 1283853, (54) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСК1Ф HAKOIIHTFËÚ

ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин. Целью изобретения является повышение надежности накопителя при считывании информации и упрощение его конструкции, Устройство содержит пластину i сегнетоэлектрического материала, прижимной

„„SU„„1348907 А 1 элемент в виде пластин 2 проводящего материала, демпфирующую прокладку 3 упругого диэлектрического материала, резистивный слой 4 проводящего материала, проволочные электроды 5 возбуждения> гибкую печатную плату 6 с проводниками 7, выполняющими функциюэлектродов записи-считывания. Пластины 2 соединены через стойки 8 винтами 9 ° Введение проволочных электродов возбуждения, соединенных с резистивным слоем в его крайних областях в отверстии пластины проводящего материала, обеспечивает реализацию способа считывания, основанного на разогревании сегнетоэлектрика под Р электродом нулевого потенциала с последующей индикацией фа.ы пироэлектрической ЭДС на электродах записи-счнтьиания, что не приводит к искаже- С чию поляризации, а значи и записанной информации, Это повышает надежность накопителя при многократном считывании информации. 2 ил.!

348907

30

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин °

Цель изобретения — повышение надежности накопителя при считывании информации и упрощение его конструкции, На фиг,! показан накопитель информации> общий вид; на фиг, 2 — то же, поперечное сечение °

Устройство содержит пластину 1 сегнетоэлектрического материала,прижимной элемент в виде двух пластин 2 проводящего материала, демпфирующую прокладку 3 упругого диэлектрического материала, резистивный слой 4 проводящего материала, проволочные электроды 5 возбуждения, гибкую печатную плату 6 с проводниками 7, выполняющими функцию электродов записи-считывания. Пластины 2 соединены через стойки 8 винтами 9, Толщину резистивного слоя выбирают таким образом, чтобы сопротивление слоя было больше суммарного сопротивления подводящих проводников и электродов 5 возбуждения, при этом энергия конденсатора выделяется в виде тепла в основном на резистивном слое, Сопротивление резистивного слоя определяет также величину сигнала считывания, зависящую от измельчения по объему температуры элемента сегнетоэлектрической пластины, Так как электроды записи-считывания могут быть. выполнены типовыми приемами фотопечати, то их выполнение проще, чем выполнение электродов записи-считывания известного устройст-ва, Изобретение может быть распространено и на случай матричной конструкции накопителя при исполнении электродов нулевого потенциала в виде полосообразных резистивных слоев проводящего материала на гибкой двусторонней печатной плате с переходными отверстиями для монтажа проволочных электродов возбуждения каждой строки. В устройство входит одна демпфирующая прокладка, а электрод нулевого потенциала, размещенный контактно с одной из проводящих пластин, выполняет дополнительную функцию экранирующего элемента совместно с корпусом, присоединенным к шине нулево35

55 го потенциала, что также упрощает устройство.

Введение проволочных электродов возбуждения, соединенных с резистивным слоем и его крайних областях в отверстии пластины проводящего материала, обеспечивает реализацию способа считывания, основанного на разогревании сегнетоэлектрика под электродом нулевого потенциала с последующей индикацией фазы пироэлектрической ЭДС на электродах записи-считывания, что не приводит к искажению поляризации, а значит и записанной информации, в результате чего надежность накопителя при многократном считывании информации существенно повышается °

Монтаж радиотехнических элементов может быть .осуществлен непосредственно на гибкой печатной плате, часть проводников которой является электродами записи-считывания> в отличие от известного устройства, в котором проволочные электроды записи-считывания должны быть присоединены к печатной плате, формула изобретения

Сегнетоэлектрический накопитель информации, содержащий носитель информации в виде сегнетоэлектрической пластины, прижимной элемент, выполненный иэ двух пластин проводящего материала с укрепленной на одной из пластин демпфирующей прокладкой упругого диэлектрического материала, электроды записи-считывания и электрод нулевого потенциала, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повьш ения надежности накопителя при считывании информации и упрощения конструкции, в накопитель введены проволочные электроды возбуждения, электрод нулевого потенциала выполнен в виде резистивного слоя проводящего материала и размещен на одной поверхности сегнетозлектрической пластины, электроды записи-считывания выполнены в виде проводников гибкой печатной платы, в другой пластине проводящего материала выполнено отверстие, подобное по форме сегнетоэлектрической пластине и меньшее по площади, сегнетоэлектрическая пластина размещена на крае отверстия

)348907

Составитель В,Гордонова

Техред М.Ходанич корректор М.Демчик

Редактор Т,Лаэоренко

Тираж 587 Подписное

ВНИИПИ Государс тв енно го комите та СССР по делам изобретений и открытий

ll3035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д,4/5

Заказ 5)96/52

Производственно-полиграфическое предприятие, г,ужгород, ул,Проектная, ная 4 другой проводящей пластины контактно с резистивным слоем, проводники гибкой печатной платы размещены на другой поверхности сегнетоэлектрической пластины и прижаты к ней через демпфирующую прокладку упругого диэлектрического материала одной пластиной проводящего материала и соединены с другой пластиной проводящего материала, а проволочные электроды возбуждения соединены с резистивным слоем в его крайних областях;

Сегнетоэлектрический накопитель информации Сегнетоэлектрический накопитель информации Сегнетоэлектрический накопитель информации 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычис, 1ительной технике и может быть использовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупостоянных запоминающих устройствах вычислительных машин

Изобретение относится к средствам создания оптической памяти и может быть использовано для осуществления в оптической среде

Изобретение относится к устройствам обработки и/или хранения данных с активной или пассивной электрической адресацией

Изобретение относится к способу выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией, образованной набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, и к устройству для осуществления указанного способа

Изобретение относится к способу управления набором ячеек памяти или дисплеем с пассивной матричной адресацией, содержащими электрически поляризуемый материал, обладающий гистерезисом, преимущественно ферроэлектрический материал

Изобретение относится к запоминающему устройству на основе энергонезависимой матричной памяти

Изобретение относится к способу определения логического состояния ячейки памяти в запоминающем устройстве, к устройствам для сопоставления фаз, к неразрушающему считыванию содержимого ячеек памяти, содержащих поляризуемый материал

Изобретение относится к Ферроэлектрическому запоминающему контуру и способу его изготовления

Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости

Изобретение относится к устройствам хранения и/или обработки данных, основанным на использовании тонких ферроэлектрических пленок, в частности к ферроэлектрическому или электретному трехмерному запоминающему устройству
Наверх