Инжекционный лазер

 

Изобретение относится к области устройств со стимулированным излучением , конкретно к полупроводниковым лазерам, и может быть использовано в интегрально-оптических устройствах. Целью изобретения является обеспечение селекции мод излучения. В полупроводниковом лазере, включающем плоский резонатор и активную волноводную область, один из отражателей выполнен в виде по крайней мере одного прерывистого паза, отдельные элемен та которого имеют длину в пределах 0,5-10 мкм, а период чередования равен 1-20 мкм: Изобретение обеспечивает одномодовую генерацию в пшроком диапазоне токов накачки. 1 ил (Л 00 ел СО оо со оо

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

COUHAËÈÑTÈ×ЕСНИХ

РЕСПУЬЛИН (gg 4 Н 01 $3/19

Й Ю

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3787341/24-25 (22) 20 ° 07,84 (46) 15 ° 12 ° 87, Бюл, У 46 (721 О.М,Грудин и М,Н,Заргарьянц (53) 621 ° 375,8(088 ° 8) (56) Goldrem L. et all. Etched mirror and groovecorpled GaInAsP/InP

laser devices for integrated optics.

IEEE Т. Quant. Electr. 1982,ч. ЦЕ-18, М 18, р, 1679 °

Shames М. et all. Monolithic integration of GaAS-(GaA1)As light mo:

dulators and DBR lasers. Appl. Phys.

Lett, 1978, v ° 32, У 5, р 314 °

„„SU„„359833 A1 (54) ИНЖЕКЦИОННЫИ ЛАЗЕР, (57) Изобретение относится к области устройств со стимулированным излучением, конкретно к полупроводниковым лазерам, и может быть использовано в интегрально-оптических устройствах, Целью изобретения является обеспече ние селекции мод излучения, В полу проводниковом лазере, включающем плоский резонатор и активную волноводную область, один иэ отражателей выпол нен в виде по крайней мере одного прерывистого паза, отдельные элемен ты которого имеют длину в пределах

0,5-10 мкм, а период чередования равен 1-20 мкм. Изобретение обеспечи- Я вает одномодовую генерацию в широком диапазоне токов накачки, 1 ил °

Составитель Ю,Маслобоев

Техред М.Дидык Корректор Л.Пилипенко

P ед ак тор Н, Сло б одя ник

Заказ 6158/52

Тираж 625

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

1 l3 .Изобретение относится к устройству со стимулированным излучением, конкретно к полупроводниковым лазерам, и может быть использовано в ин тегральнооптических устройствах.

Цель изобретения - обеспечение селекции мод излучения, На чертеже изображен предлагаемый лазер.

Лазер содержит волноводный 1 и активный 2 слои, отражательные элементы 3 прерывистого паза, Волноводный лой лазера пересекается отражателем в виде прерывистого. паза, перпендикулярного направлению распространения лазерного излучения, Зеркальные стенки отдельных отражательных элементов 3 пересекают волноводный слой 1, Длина отражательных элементов 6 и период d их чередования находятся в пределах 0 5 0 мкм и 1-20 мкм соответственно,Глу" бина паза должна обеспечивать пересе" чение волноводного слоя 1 и зависит от глубины залегания последнего.

Коэффициент прохождения через отражатель с элементами пазов с малой прозрачностью (при ширине паза более

2 мкм) определяется отношением длин отражательного элемента паза и и ин" а тервала d между пазами К = — и не и с1 и зависит от расстояния между зеркальными стенками паза, Очевидно что

59833 2 при КО коэффициент прохождения увеличивается до 100X., а эффективный коэффициент отражения уменьшается до нуля, Таким образом, достижение оп» тимальных для конкретного интеграпь но-оптического устройства коэффициен тов отражения и прохождения осуществ ляется выбором соответствующего зна чения К, а технологически реализует ся при проведении фотолитографии че рез шаблон с соответствующим рисунком

В предлагаемом ижекционном лазере можно использовать два и более пре рывистых пазов, расположенных параллельно, При этом достигается улучше ние селекции продольных мод излучения, Формула изобретения

Инжекционный лазер преимущественно для интегральнооптического устрой ства на многослойной гетероструктуре, включающий волноводный слой с отра25.жательным элементом, выполненным в виде йаза с зеркальными стенками, пе» ресекающими волноводный слой гетеро структуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения селекции

ЭО мод излучения, отражатель выполнен в виде по крайней мере одного преры вистого паза, отдельные элементы ко» торого имеют длину в пределах 0,5»

10 мкм, а период чередования равен

1 20 мкм, 1

Инжекционный лазер Инжекционный лазер 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области конструирования и применения полупроводниковых лазеров, в частности разработки излучателей на основе лазерных диодов, для сборки матриц лазерных диодов, используемых в качестве источника накачки мощных твердотельных лазеров

Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к конструкции полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком

Изобретение относится к области полупроводниковых лазеров и может быть использовано в волоконно-оптической связи, медицине, при обработке материалов

Изобретение относится к области полупроводниковых лазеров и может быть использовано в волоконно-оптической связи, медицине, при обработке материалов

Изобретение относится к полупроводниковым лазерам и может быть использовано в волоконно-оптической связи, медицине, при обработке материалов

Изобретение относится к способам изготовления инжекционных лазеров на основе гетероструктур

Изобретение относится к способам, обеспечивающим регулирование полосы лазерной модуляции эффективных высокомощных полупроводниковых инжекционных лазеров, в том числе с одномодовым, одночастотным излучением

Изобретение относится к твердотельной электронике, а именно к полупроводниковым приборам, используемым для выпрямления, усиления, генерирования или переключения электромагнитных колебаний, способным работать при повышенных уровнях мощности и температуре, а также для приема и генерирования видимого и ультрафиолетового диапазона длин волн

Изобретение относится к области устройств со стимулированным излучением, конкретно к полупроводниковым лазерам, и может быть использовано в интегрально-оптических устройствах

Наверх