Инжекционный лазер
Изобретение относится к области устройств со стимулированным излучением , конкретно к полупроводниковым лазерам, и может быть использовано в интегрально-оптических устройствах. Целью изобретения является обеспечение селекции мод излучения. В полупроводниковом лазере, включающем плоский резонатор и активную волноводную область, один из отражателей выполнен в виде по крайней мере одного прерывистого паза, отдельные элемен та которого имеют длину в пределах 0,5-10 мкм, а период чередования равен 1-20 мкм: Изобретение обеспечивает одномодовую генерацию в пшроком диапазоне токов накачки. 1 ил (Л 00 ел СО оо со оо
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
COUHAËÈÑTÈ×ЕСНИХ
РЕСПУЬЛИН (gg 4 Н 01 $3/19
Й Ю
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3787341/24-25 (22) 20 ° 07,84 (46) 15 ° 12 ° 87, Бюл, У 46 (721 О.М,Грудин и М,Н,Заргарьянц (53) 621 ° 375,8(088 ° 8) (56) Goldrem L. et all. Etched mirror and groovecorpled GaInAsP/InP
laser devices for integrated optics.
IEEE Т. Quant. Electr. 1982,ч. ЦЕ-18, М 18, р, 1679 °
Shames М. et all. Monolithic integration of GaAS-(GaA1)As light mo:
dulators and DBR lasers. Appl. Phys.
Lett, 1978, v ° 32, У 5, р 314 °
„„SU„„359833 A1 (54) ИНЖЕКЦИОННЫИ ЛАЗЕР, (57) Изобретение относится к области устройств со стимулированным излучением, конкретно к полупроводниковым лазерам, и может быть использовано в интегрально-оптических устройствах, Целью изобретения является обеспече ние селекции мод излучения, В полу проводниковом лазере, включающем плоский резонатор и активную волноводную область, один иэ отражателей выпол нен в виде по крайней мере одного прерывистого паза, отдельные элемен ты которого имеют длину в пределах
0,5-10 мкм, а период чередования равен 1-20 мкм. Изобретение обеспечи- Я вает одномодовую генерацию в широком диапазоне токов накачки, 1 ил °
Составитель Ю,Маслобоев
Техред М.Дидык Корректор Л.Пилипенко
P ед ак тор Н, Сло б одя ник
Заказ 6158/52
Тираж 625
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5
Подписное
Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
1 l3 .Изобретение относится к устройству со стимулированным излучением, конкретно к полупроводниковым лазерам, и может быть использовано в ин тегральнооптических устройствах.
Цель изобретения - обеспечение селекции мод излучения, На чертеже изображен предлагаемый лазер.
Лазер содержит волноводный 1 и активный 2 слои, отражательные элементы 3 прерывистого паза, Волноводный лой лазера пересекается отражателем в виде прерывистого. паза, перпендикулярного направлению распространения лазерного излучения, Зеркальные стенки отдельных отражательных элементов 3 пересекают волноводный слой 1, Длина отражательных элементов 6 и период d их чередования находятся в пределах 0 5 0 мкм и 1-20 мкм соответственно,Глу" бина паза должна обеспечивать пересе" чение волноводного слоя 1 и зависит от глубины залегания последнего.
Коэффициент прохождения через отражатель с элементами пазов с малой прозрачностью (при ширине паза более
2 мкм) определяется отношением длин отражательного элемента паза и и ин" а тервала d между пазами К = — и не и с1 и зависит от расстояния между зеркальными стенками паза, Очевидно что
59833 2 при КО коэффициент прохождения увеличивается до 100X., а эффективный коэффициент отражения уменьшается до нуля, Таким образом, достижение оп» тимальных для конкретного интеграпь но-оптического устройства коэффициен тов отражения и прохождения осуществ ляется выбором соответствующего зна чения К, а технологически реализует ся при проведении фотолитографии че рез шаблон с соответствующим рисунком
В предлагаемом ижекционном лазере можно использовать два и более пре рывистых пазов, расположенных параллельно, При этом достигается улучше ние селекции продольных мод излучения, Формула изобретения
Инжекционный лазер преимущественно для интегральнооптического устрой ства на многослойной гетероструктуре, включающий волноводный слой с отра25.жательным элементом, выполненным в виде йаза с зеркальными стенками, пе» ресекающими волноводный слой гетеро структуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения селекции
ЭО мод излучения, отражатель выполнен в виде по крайней мере одного преры вистого паза, отдельные элементы ко» торого имеют длину в пределах 0,5»
10 мкм, а период чередования равен
1 20 мкм, 1