Способ изготовления оснований корпусов микросхем

 

Изобретение относится к электронной технике. Цель - повышение качества и надежности корпусов микросхем , экономия дефицитных химических материалов. Способ изготовления оснований корпусов микросхем включает укладку отлитых оснований в заполненные окисью магния металлические лодочки и два этапа спекания оснований: низкотемпературное выжигание органической связки в воздушной среде конвейерной печи и высокотемпературное спекание. Второй этап спекания осуществляют в тех же металлических лодочках с окисью магния, что и на первом этапе, в защитно-восстановительной среде, в качестве которой используют смесь азота и водорода. Второй этап спекания производят при T,, (840±

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И) А1. (594 Н 01 L 23 02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3996037/24-25 (22) 14.11.85 (46) 23.01.88. Бюл. В 3 (72) В.П.Никитин, В.М.Молчанов, В.С.Клубкова и Г.С.Олехнович (53) 621.382.002(088.8) (56) Хаммер Д., Биггерс Дж. Технология толстопленочных гибридных интегральных схем, M.: Мир, 1975, с. 336-366.

Грибовский П!О. Твердые керамические схемы. N. Энергия, 1971, с. 90-254. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОСНОВАНИЙ

КОРПУСОВ МИКРОСХЕМ (57) Изобретение относится к электронной технике. Цель — повышение качества и надежности корпусов микросхем, экономия дефицитньм химических материалов. Способ изготовления оснований корпусов микросхем включает укладку отлитых оснований в заполненные окисью магния металлические лодочки и два этапа спекания оснований: низкотемпературное выжигание органической связки в воздушной среде конвейерной печи и высокотемпературное спекание. Второй этап спекания осуществляют в тех же металлических лодочках с окисью магния, что и на первом этапе, в защитно-восстановительной среде, в качестве которой используют смесь азота и водорода ° Второй этап спекания производят при Т„ „, =(840+ 10)-(860210) С с расходом азота (0,6- Я

2,0) м /ч, водорода 1,5-3,0 м /ч при скорости движения ленты конвейерной печи (8,3-9,7) 10 м/с. 2 з.п. ф-лы.

13689 риалов.

Основания корпусов, поступившие с операции выжигания связки, беэ перегрузки из окиси магния в металлических лодочках поступают в конвейерную печь с азотно-водородной средой, где расход азота составляет 0,6 — 2 м /ч и водорода 1,5-3 м /ч в зависимости 15 от типа печи. Температура в печи о, Т„ „, =860 С. Скорость движения конвейерной ленты печи (8,3- 11, 7) 10 м/с.

После второй стадии спекания основания корпусов просеивают и обдувают воздухом от окиси магния, затем отмывают в 27-ном растворе соляной кислоты и передают на дальнейшие операции.

Прочность и надежность оснований корпусов микросхем достигается за счет восстановления окисной пленки на металлической арматуре и исключения горячего травления и осветления в кислотах.

Механизм воздействия защитно-восстановительной среды совместно с адсорбентом (окисью магния) на металлическую арматуру основания таков, что водород, проходя через слой засыпки окиси магния, очищается от имеющейся влаги, восстанавливая окисную пленку, образованную в первой, второй и третьей зонах печи, не наводораживает металлическую арматуру, что приводит к повышению механической 40 прочности и надежности оснований, Режим второй стадии спекания подобран таким образом, что окисная пленка на метаЛлической арматуре оснований, полученная на режиме выжигания связки 45 при температуре Т„ „ =620 С, восстанавливается частично в г ервой, второй и третьей зонах, и оставшаяся тонкая окисная пленка надежно спаивается со стеклом без снижения прочности 5<

Использование предлагаемого способа позволит повысить качество и надеж30 ность корпусов микросхем и сэкономить дефицитные химические материалы (азотную, серную, соляную, лимонную кислоты).

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления корпусов микросхем.

Цель изобретения — повышение каче— ства и надежности корпусов микросхем, экономия дефицитных химических матеспая.

Пример. После литья основания корпусов укладывают в лодочки из нержавеющей стали и засыпают окисью магния. Затем лодочки с основаниями ставят на конвейерную ленту печи типа блок, где происходит выжигание связки по следующему режиму: Т,=170 +

20 С; Tt=270 + 20 С; Т =470 + 20 С;

33 2

Т =610 + 20 С. Скорость конвейерной ленты V=(3 3-3,7) ° 10 м/с. Газовая среда — воздух.

После выжигания связки лодочки с основаниями передают на вторую конвейерную печь типа блок, где происходит спекание оснований в газовой атмосфере (азот, водород) по следующему режиму: Т, =380 20 С; Т =630+ 20 С;

Т =830-10 С, Т =840-10 С. Скорость конвейерной ленты (8,3-9,7) 10 м/с °

Газовый режим: P-расход газа:

Левая завеса: Р,=4-6 м /ч азота, И ; Р =3-4 м /ч азота, И ; смесь азота с водородом P =0,2-0 8 м /ч (н in 1 I азот в муфеле Р, =0,6-1,2 м /ч.

Правая завеса: Р =4-5 м /ч азота

1

Р =5-6 м /ч азота, М ; водород в муфеле Рц =1,5-2, 1 м /ч; продувка

Р„ =0,62-0,66 м /ч.

Затем основания разгружают из лодочек, просеивают от окиси магния, обдувают воздухом и отмывают в 27.-ной соляной кислоте.

Формула и з обретения

1 ° Способ изготовления оснований корпусов микросхем, включающий укладку отлитых оснований в заполненные окисью магния металлические лодочки в два этапа спекания оснований: низкотемпературное выжигание органической связки в воздушной среде конвейерной печи и высокотемпературное спекание, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности корпусов микросхем, экономии дефицитных химических материалов, второй этап спекания осуществляют в тех же металлических лодочках с окисью магния, что и на первом этапе, в защитно-восстановительной среде.

2. Способ по п. 1, о т л и ч а юшийся тем, что в качестве защитно †восстановительн среды используют смесь азота и водорода.

3. Способ по пп, 1 и 2, о т л ич а ю шийся тем, что второй этап

1368933 4 дорода 1,5-3,0 м /ч при скорости двихения ленты конвейерной печи (8,39 7) 10 м/с. спекания оснований производят при температуре Т„ „ =(840+10) †(860+10) С с расходом азота (0,6-2,0) м /ч, воСоставитель С.Чиликин

Редактор А.Коэориз Техред Jl.Îëèéíûê Корректор М.Максимишинец

Заказ 309/53 Тирах 746 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ухгород, ул.Проектная, 4