Способ получения дихлорсилана

 

Изобретение относится к способам получения хлоридов кремния и позволяет повысить выход дихлорсилана Процесс осуществляют путем пропускания через кремнемедную массу последовательно хлора при 320°С, а затем смеси хлора и хлористого водорода при содержании хлора в смеси 22-28 об.% при 150-17Q Co Способ позволяет повысить выход дихлорсилана до 50 обо%о 1 табЛо

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (51)4 С 01 В 33/04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPGHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ. (21) 3973511/31-26 (22) 05 ° 11 ° 85 (46) 23.02.88. Бюл. ¹ 7 (71) Институт общей и неорганической химии им, Н,С.Курнакова (72) В.Ф.Попенко, Б,И.Козыркин, В.А.Федоров.,и A,М.Толмачев (53) 346.28 (088,8) (56) Белый А.П. и др, Механизм реак ции кремния с хлористым водородом.АФХ 1969, т, 43, № 5 с. 1144"1148.

Авторское свидетельство СССР № 865790, кл. С 01 В 33/04, 1980, „„SU„„1375563 А 1 (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИХЛОРСИЛАНА (57) Изобретение относится к способам получени я хлоридов кремния и позволяет повысить выход дихлорсилана. Процесс осуществляют путем пропускания через кремнемедную массу последовательно хлора при 320 С, а затем смеси хлора и хлористого водорода при содержании хлора в смеси

22-28 об,X при 150-17) С. Способ поз" воляет повысить выход дихлорсилана до 50 об.X. 1 табл.

1375563

Выход, Х

Содержание

Температура подачи на

2-й ста" дии, С

При( мер

SiH С1

S iHC1

SiC1 хлора в смеси с хлористым водородом, об,X

160

25

?0

160

155

55

40

43

150

42

170

30

155

63

20,25

180

25 39,2

60,8

220

Известный способ

BHHHI1H Заказ 728/21 ТиРаж 446 Подписное

Произв.-полигр. пр-тие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к получению хлоридов кремния.

Цель изобретения — повышение выхода дихлорсилана.

Пример. Порошкообразную крем5 немедную массу с 5 мас.% Си загружают в вертикальный кварцевый реак" тор (d 30 мм, h = 1500 мм) . Через кремнемедную массу пропускают хлор при 320 С со скоростью 9 г/л. Далее путем отключения нагрева снижают температуру до 160 С. Температура слоя в, реакторе контролируется двумя термопарами в карманах, погруженных до середины слоя кремнемедной массы с выводом на самописец пульта управления, После установления требуемой температуры проводят в смеси с хлором подачу хлористого водорода с рас- 20 ходом 24 л/ч в течение 1/2 ч, количество хлора в смеси 25 об.Х, В результате получают 50 об.X дихлорсилана и 50Х тетрахлорсилана, Примеры реализации приведены в таблице.

Таким образом, по сравнению с известным способом выход p хлорсилана увеличивается на 2-12Х, Формула и э о б р е т е н и я

Способ получения дихлорсилана, включающий последовательное пропускание хлора и хлористого водорода че реэ кремнемедную массу при повышенной температуре, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения выхода дихлорсилана, при пропускании хлористого водорода, в него дополнительно вводят хлор в количестве 22-28 об.Х и процесс на этой стадии ведут при 150-170 С.

Способ получения дихлорсилана Способ получения дихлорсилана 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу получения моносилана высокой степени чистоты, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика)

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано при получении кремния

Изобретение относится к области химической технологии, в частности к получению силанов, и может быть использовано в производстве поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии

Изобретение относится к химической промышленности, в частности к устройствам для проведения гетерогенных процессов между твердым телом и газом
Изобретение относится к технологии получения моносилана, который может быть использован при получении особо чистого полупроводникового кремния
Изобретение относится к способу получения силана, применяемого в полупроводниковой промышленности
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике

Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения
Наверх