Способ изготовления многослойных структур
Авторы патента:
1. Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого диэлектрика путем внедрения ионов кислорода с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур, в подложку дополнительно внедряют ионы азота при соотношении атомов внедренного кислорода и азота в пределах 0,5-2,5 и суммарной объемной концентрации внедренных атомов (0,8-3,0)1022 см-3.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что внедрение ионов азота проводят при энергии ионов на 80-100 кэВ меньшей, чем энергия ионов кислорода.
Похожие патенты:
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам изготовления интегральных схем высокой степени интеграции
Установка ионного легирования // 1292601
Способ изготовления тонких пластин кремния // 1282757
Изобретение относится к разделу технической физики и может быть использовано при имплантации ионов в различные материалы в технологии изготовления полупроводниковых приборов, например детекторов излучения, светодиодов, интегральных схем, а также для нанесения защитных покрытий на материалы и изделия
Способ изготовления диодов шоттки // 1217182
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем с пристеночными p-n-переходами
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов
Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении
Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками // 2164718
Изобретение относится к электронной и вакуумной технике
Изобретение относится к способам образования квазиодномерных твердых кремниевых наноструктур
Способ получения кремниевых наноструктур // 2192689
Способ ионного легирования твердых тел // 2193080
Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников
Способ ионно-лучевого легирования кристаллов // 2258977
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-5000 кэВ) энергий
Способ формирования высокосовершенных кремниевых эпитаксиальных структур со скрытыми n+-слоями // 2265912
Изобретение относится к области микроэлектроники
Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств