Способ легирования кремния бором

Авторы патента:

Коршунов А.Б.

Козлов П.В.

Павлов В.А.

C30B31/22 - ионным внедрением

C30B29/06 - кремний

1. Способ легирования кремния бором, включающий облучение кремниевой подложки пучком ионов бора и последующий отжиг одиночными импульсами лазерного излучения в режиме модулированной добротности на длинах волн в полосе собственного поглощения кремния с образованием линий скольжения в слое, отличающийся тем, что, с целью увеличения проводимости слоя, подвижности дырок в нем и коэффициента использования примеси, облучение ведут дозой 6,25 10¹⁵ D < 6,25 10¹⁶ см^-2 при средней плотности ионного тока пучка 2,0 < j < 3,0 мкА/см², а отжиг ведут до получения монокристаллического кремния в областях, ограниченных линиями скольжения.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плотность энергии в импульсе лазерного излучения при отжиге равна 1,6 - 22,5 Дж/см² для длин волн 0,53 - 1,06 мкм.

Способ получения высокоомного кремния // 1331140

Способ выращивания кристаллов кремния // 1258329

Способ получения легированного кремния // 1005511

Устройство для термического окисления кремниевых пластин // 716178

Способ получения полых кремниевых труб // 687654

Способ обработки кремния // 623298

Способ подогрева кремниевых стержней // 503463

Способ выращивания кристаллов кремния с двойниковыми границами по плоскостям {[11} // 418211

Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния // 396124

Патент 356873 // 356873

Абразивная суспензия // 2102543

Способ зонной перекристаллизации градиентом температуры кремниевых пластин на основе алюминиевых зон // 2107117

Способ получения регулярных нитевидных кристаллов кремния // 2117081

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Способ изготовления исходного поликристаллического кремния в виде пластин с большой площадью поверхности и камера для осаждения кремния // 2158324

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Способ получения мульти- и монокристаллического кремния // 2173738

Изобретение относится к химической технологии

Способ выращивания монокристаллов кремния // 2177513

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, получаемого для этих целей методом Чохральского

Способ обработки выращенных слитков монокристалла кремния // 2186887

Изобретение относится к способам обработки выращенных слитков монокристалла кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин солнечных элементов фотовольтаических модулей

Способ получения монокристаллов кремния при нарушении монокристаллического роста // 2189407

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского

Способ определения бездефектной зоны монокристалла кремния // 2189408

Изобретение относится к области определения структуры кристалла кремния и может быть использовано при определении бездефектной зоны монокристалла кремния при выращивании кристаллов по методу Чохральского

Способ получения монокристаллического кремния // 2193079

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского