Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия

Авторы патента:

Дашевский М.Я.

Лазарев В.Б.

Миргаловская М.С.

C30B31/04 - контактированием с диффузионным материалом в жидком состоянии

C30B29/40 - соединения типа A_IIIB_V

Класс 400, 1за

PPo 46О4 -1

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Л3 161

М. Я. Дашевский, В. Б. Лазарев и М. С. Миргаловская

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ

В ДЕНДРИТАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО АНТИМОНИДА

ИНДИЯ

Заявлено 7 апреля 1961 г. за Ха 725549/22-2 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» Ма 7 за 1962 г.

В настоящее время кристаллы соединения I17Sb нашли применение в полупроводниковой технике.

В кристаллах антимонида индия электронного (п) типа электронно-дырочные (p вЂ” и) переходы, как основная часть полупроводниковых приборов, создают выплавлением индия, слой которого перед выплавлением наносят на одну из плоскостей кристалла, а затем его отжигают.

Предложенный способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия состоит в том, что расплавленный индий наносят на свежевыращенную боковую поверхность дендрита в той же установке, где выращивают его и где потом его отжигают. Этот способ позволяет улучшить рабочие характеристики р вЂ” n lпlеeрpеeIхIоoд оolвl, сократить потери дорогостоящего антимонида индия за счет исключения операций резки, шлифовки, полировки и травления кристалла, а также получить электронно-дырочный переход на определенной глубине и нужной конфигурации.

На чертеже изображена схема установки для осуществления способа.

Процесс создания р вЂ” п переходов ведут следующим образом.

Индиевый стержень 1 помещают в печь 2 сопротивления (с регулируемым нагревом), температуру которой измеряют при помощи термопары 8 Конец индиевого стержня, обращенный к плоскости дендрита 4, плавится, IIpH 3TQM режим печи подбирают TBKHih BToohl I HO,7II индия удерживалась от падения силами поверхностного натяжения.

Для нанесения слоя индия на поверхность дендрита 4 стержень 1 может перемещаться в сторону дендрита и, касаясь его поверхности, смачивать ее.

Кроме того, индиевый стержень 1 и печь 2 могут перемещаться в вертикальной плоскости, что позволяет регулировать размеры н носимого слоя индия. Как показано на схеме, тигель 5 с расповерх№ 14б049 плавом 6, из которого выращива|от дендрит 4, имеет свой нагреватель 7. Вся установка помешена в рабочую камеру 8, в нижней части которой расположен патрубок 9 для впуска инертного газа.

Институт физики металлов Лкадемии наук СССР в своем заклк>чеHHH Отметил новизну !I полезность предлагаемого способа, Предмет изобретения

Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия путем наплавления индия на по;ерхнссть кристалла с последующим отжигом кристалла, отличающийся ся тем, что, с целью улучшения рабочих характеристик р вЂ” п переходов и снижения стоимости производства полупроводниковых кристаллов антимонида индия, расплавленный индий наносят в установке по выращиванию дендpHTAB на свежевыращенную боковую поверхность дендрита. (.ос авитель описания И. С. Щукин

Редактор Н. И. Мосин Техред А. А. Камышникова Корректор И. А. Шпынева

Поди. к печ. 12.Х-62 г. Формат бум. 70Х1081/,, Объем 0,18 изд. л.

Зак. 10307 Тираж 750 Цена 4 коп.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М, Черкасский пер., д. 2/б.

Типография ЦБТИ, Москва Петровка, 14.

Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия

Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов // 129338

Способ регулирования типа проводимости и электросопротивления антимоната алюминия // 126269

Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений а3в5 // 2311498

Изобретение относится к получению полупроводниковых соединений А3В5, используемых для изготовления подложек GaN, GaAs, GaP и др

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений типа а3b5 // 2327824

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений для получения объемных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры

Способ получения монокристаллов антимонида индия, легированного оловом // 2344209

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений АIIIВV

Способ получения монокристаллических пластин арсенида индия // 2344211

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений типа AIIIBV

Способ получения монокристаллов a3b5 // 2400574

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений А3В 5 методом Чохральского, в частности при выращивании монокристаллов фосфидов галлия и индия и арсенида галлия из-под слоя борного ангидрида

Способ получения монокристаллов фосфида индия // 2462541

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа

Способ получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений // 2064541

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм

Способ выращивания полупроводниковых соединений // 2023770

Изобретение относится к технологии производства материалов электронной техники и может найти широкое применение в технологии получения полупроводниковых соединений, преимущественно группы А3В5

Способ получения широкозонного окна в лазерной гетероструктуре на основе соединений a3b5 и их твердых растворов // 2032776

Изобретение относится к технологии п/п приборов

Магнитный полупроводниковый материал // 2465378

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем и цинком антимонидам индия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнито-оптоэлектронных приборов

Способ введения лигатуры в расплав при получении берилла // 2147049

Изобретение относится к области производства синтетических драгоценных камней

Способ получения интеркалированных соединений и соединения, полученные этим способом // 2156329

Изобретение относится к области технологии получения и легирования неорганических веществ и может быть использовано в микроэлектронике, полупроводниковом приборостроении

Способ получения легированных ультрадисперсных алмазов // 2202514

Изобретение относится к технологии получения сверхтвердых материалов, а именно искусственных алмазов, при непосредственном использовании высоких давлений и температур, развивающихся при детонации конденсированных взрывчатых веществ (ВВ)

Способ окрашивания ювелирно-поделочных минералов // 867946

Способ получения квазимонокристаллов соединения внедрения в графит // 1699176

Изобретение относится к технологии получения соединений внедрения в графит (СВГ), в частности к получению квазимонокристаллов СВГ интеркалята: интергалоидов, хлоридов металла или галогенов акцепторного типа низких ступеней с высокой электропроводностью и различными периодами идентичности

Кристаллический материал для активных элементов перестраиваемых лазеров на основе селенида цинка, легированного хромом // 2531401

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов и может быть использовано в лазерном приборостроении, в частности, для изготовления активных элементов перестраиваемых лазеров среднего инфракрасного (ИК) диапазона, основным применением которых является медицина, спектроскопические исследования, а также контроль загрязнения окружающей среды. Материал для активных элементов перестраиваемых лазеров на основе селенида цинка, легированного хромом, дополнительно содержит примесь магния в концентрации 0,13<х<0,6 и образует твердый раствор замещения Zn1-xMgxSe:Cr2+. Материал характеризуется высоким значением ширины запрещенной зоны ΔEg=(2,85-3,15) эВ. Максимум полосы люминесценции ZnMgSe:Cr2+ наблюдается на длине волны 2,480-2,485 мкм. 1 табл., 1 ил.

Осаждение на большой площади и легирование графена и содержащие его продукты // 2567949

Изобретение относится к технологии осаждения на больших площадях тонких пленок графена, которые могут быть легированы, для использования их в качестве прозрачного проводящего покрытия. Согласно одному из вариантов промежуточную легированную тонкую пленку графена гетероэпитаксиально выращивают на тонкой пленке катализатора с моноориентированной крупнозернистой кристаллической структурой, расположенного на целевой приемной подложке, включающей твердотельные легирующие добавки, которые включены в нее посредством процесса плавления, после чего осуществляют легирование промежуточной тонкой пленки графена примесями n- или p-типа с обеспечением возможности мигрирования твердотельных легирующих добавок из целевой приемной подложки в промежуточную тонкую пленку графена путем термической диффузии. Тонкие пленки графена, после того как они были сформированы, могут быть отделены от несущих их подложек и перенесены на принимающие подложки, например, для включения в промежуточный или готовый продукт. Выращенный, отделенный и перенесенный графен может в результате обладать низким поверхностным сопротивлением слоя (например, менее 150 Ом на единицу площади и ниже, в случае легирования) и высокими значениями пропускания света (по меньшей мере, например, в видимой и инфракрасной области). 5 н. и 9 з.п. ф-лы, 15 ил., 1 табл.

Способ формирования сверхлегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния // 2646644

Настоящее изобретение относится к способу формирования сильнолегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния, который может быть использован в солнечной энергетике, оптоэлектронике, приборах ночного и тепловидения. Способ заключается в размещении поверхности кремния под химически активной жидкой средой серосодержащего соединения и облучении поверхности кремния импульсами сфокусированного лазерного излучения наносекундной длительности инфракрасного диапазона, при этом задают плотность энергии лазерного излучения достаточной для проникновения этим излучением через жидкую среду к поверхности кремния с разложением молекул серосодержащего соединения до выделения атомов серы и для нагрева поверхности кремния до температуры, при которой происходит диффузия в нее атомов серы вместе с ее абляционным микроструктурированием и отжигом. Технический результат изобретения состоит в многократном расширении области и величины высокой поглощательной способности (в том числе высокого коэффициента поглощения) поверхностного слоя кремния в процессе сверхлегирования атомами серы под действием лазерного облучения с сохранением его кристаллического характера. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.