Способ получения моно- и поликристаллов

 

ОПИСА

ИЗОБРЕТ

Союз Советских

Социалистических

Респтблик

К АВТОРСКОМУ ТВИД

Зависимое от авт. свидетельс

12с, 2

12g, 17/18

Заявлено 23.1Х.1961 (№ 74565 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 13.xl.1967. Бкко1

В Old

ВОИ

548.55,66.065.5

Ксмитет пс делам изсбретений и сткрытий при Сввете Министров

СССР

Дата опубликования описани

Авторы изобретения

Б. М, Гольцман и Кун Гуан-Линь

Ваявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНО- И ПОЛИКРИСТАЛЛОВ

Известен способ получения моно- и поликристаллов окисляющихся или летучих веществ вытягиванием из расплава с применением вакуума или атмосферы инертного газа.

Предлагаемый способ получения моно- и поликристаллов отличается тем, что вытягивание моно- и поликристаллов производят на воздухе из расплава, залитого инертным по отношению к нему флюсом, который охлаж дают в центральной части с помощью петли из тонкой платиновой трубки, по которой протекает вода. Способ позволяет упростить технологию процесса выращивания кристаллов при допустимом содержании неконтролируемых примесей в образце порядка 0,01%.

На чертеже представлена схема, поясняющая предлагаемый способ.

На поверхности расплава, из которого выращивается образец, расположен графитовый поплавок 1, в центре которого имеется расширяющееся кверху отверстие с формой поперечного сечения, соответствующей форме сечения образца 2.

Расплав и графитовый поплавок залиты флюсом, инертным по отношению к расплаву. который защищает расплав от окисления и испарения и служит одновременно в качестве охлаждающей среды. Для охлаждения флюса в центральной части его слоя, отделенной кварцевой трубой 8, помещена петля 4 из тонкой платиновой трубки, по которой протекает вода, охлаждающая флюс в трубе 8. Трубка 4 обрастает слоем затвердевшего флюса 5.

Условия охлаждения управляются изменением температуры флюса и конструкцией образца.

10 Для уменьшения радиальной теплоотдачи и улучшения «направленности» зерен образца графитовый поплавок 1 имеет выступ б, окруженный теплоизолирующей кварцевой шайбой 7.

15 Предлагаемым методом были получены

«направленные» поликристаллы квадратного сечения из полупроводникового соединения

В12Тез и тройной сплав Bi — Те — Sb.

20 В качестве флюса применялся эвтектический сплав 40 /cLiC1+60% КС1 в котором не происходит взаиморастворения флюса и вытягиваемого поликристалла, а температура плавления флюса (350 С) ниже температуры

25 плавления Bi Тех (585 ), что дает возможность в области кристаллизации получить большой температурный градиент, обусловливающий хорошую «направленность» поликристаллов Образцы В1зТе используются в

ЗО качестве отрицательной ветви термопары. Их

149759

Предмет изобретения

Редактор В. П. Липатов Техред А. А. Камышникова Корректоры: М. П, Ромашова и Г. И. Плешакова

Заказ 52/2 Тираж 535 Подписное

ЦгИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 термоэлектрическая эффективность на 15—

2О7о превышает термоэлектрическую эффективность образцов того же состава, получаемых промышленным методом порошковой металлургии.

Образцы состава Bi — Те — Sb используются для положительной ветви термопары, термоэлектрическая эффективность которых выше получаемых методом порошковой металлургии.

Способ получения моно- и поликристаллов окисляющихся или летучих веществ опреде5 ленной формы методом вытягивания из расплава, отличающийся тем, что, с целью улучшения тепловых условий процесса, расплав заливают инертным по отношению к нему флюсом, который охлаждают в центральной

10 части с помощью петли из тонкой платиновой трубки, по которой протекает вода.

Способ получения моно- и поликристаллов Способ получения моно- и поликристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов тугоплавких оксидов для конструкционных узлов и изделий

Изобретение относится к выращиванию кристаллов заданной формы из расплава, в частности кристаллов тугоплавких соединений, например лейкосапфира, рубина, алюмоториевого граната и т.п., которые могут быть использованы в приборостроении, электронной и химической промышленности

Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов вытягиванием их из расплава с вращением с применением формообразователей и может быть использовано для получения монокристаллических труб и стержней с периодически изменяющимся содержанием примеси по длине кристалла

Изобретение относится к устройствам выращивания профилированных монокристаллов из расплавов на затравочном кристалле, например, сапфира, по методам Чохральского, Киропулоса

Изобретение относится к устройствам выращивания крупногабаритных объемных профилированных монокристаллов из расплавов, например, сапфира по методам Чохральского, Киропулоса

Изобретение относится к технологии выращивания калиброванных профилированных объемных монокристаллов из расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова

Изобретение относится к производству монокристаллов и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов из вязких расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова для получения объемных профилированных калиброванных монокристаллов больших диаметров с высокой степенью совершенства структуры

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира методом кристаллизации из расплава

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира и направлено на совершенствование тепловой защиты системы

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов хризоберилла и его разновидностей, в том числе его хромсодержащей разновидности - александрита, и может быть использовано для получения высококачественного ограночного сырья в ювелирной промышленности и для изготовления элементов квантовой электроники

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений А3В 5 методом Чохральского, в частности при выращивании монокристаллов фосфидов галлия и индия и арсенида галлия из-под слоя борного ангидрида

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа
Изобретение относится к технологии получения объемных кристаллов александрита, которые могут быть использованы в качестве высококачественного сырья для изготовления оптических элементов лазерных систем

Изобретение относится к способам получения монокристаллов фосфида галлия и позволяет уменьшить плотность дефектов структуры и.предотвратить растрескивание монокристаллов диаметром более 50 мм
Наверх