Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия

 

Изобретение относится к получению кристаллов для инфракрасной техники используемых в качестве оптических элементов о Обеспечивает увеличение предела текучести кристаллов при сохранении оптических свойств,. Способ включает нагрев шихты,содержащей йодистый цезий с добавкой k-S мае„5 бромистого цезия После нагрева до плавления проводят выдержку в течение 1,0-1,5 ч„ Нагрев и выдержку расплава ведут при непрерывном вакуумировании до давления 1 « 10 - 5 10 мм рТоСТо, а рост кристалла ведут в атмосфере азота при давлении 1 -10 -1,10 мм Достигнут предел текучести 200-260 г/мм, 1 табл

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ 14

РЕСПУБЛИК . (E9) ((E) (51) С 30 В 17/00 29/12

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ/ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21) 4094112/26 (22) 11.05.86 (46) 07.01.93, Бюл. М 1 (72) М,Г.Буравлева, А.И.цубенко, Т.A.Uàðêèíà и Л.Г.Эйдельман (56) Урусовская A.À. и др„ Упрочнение и разупрочнение кристаллов примесями.. - Кристаллография, 1968, т, 13, с. 1032-1038.

Биспен H.È. и др„ Механическое поведение и прочностные характеристики кристаллов иодистого цезия при испытании их на растяжение. - Оптикомеханическая промышленность, 1967, V 7, с. 40-45. (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИОДИСТОГО ЦЕЗИЯ

Изобретение относится к выращива-, нию монокристаллов и может быть использовано для получения материала с улучшенными механическими свойствами для изготовпения оптических эле ментов устройств, работающих в инфракрасной области спектра, в том числе для пассивных элементов мощных

ОО -лазеров„

В качестве материала для инфракрасной техники широко применяют. монокристаллы щелочных галоидов (хлористого калия, хлористого натрия, фтористого лития) . Использование иодистого цезия, не .имеющего себе равных по прозрачности в далекой инфракрасной области спектра, ограничено изза низкого предела текуцести, являющегося основной, характеристикой ме(57) Изобретение относится к полуцению кристаллов для инфракрасной техники используемых в качестве оптицеских элементов. Обеспечивает увеличение предела текучести кристаллов при сохранении оптических свойств„

Способ включает нагрев шихты,содержащей иодистый цезий с добавкой 4-5 мас„В бромистого до плавления проводят выдержку в течение 1,0-1,5 ч. Нагрев и выдержку расплава ведут при непрерывном вакууми-2 ровании до давления 1 ° 10 -, 5 ) 10 мм рт.ст., а рост кристалла ведут в атмосфере азота при давлении

1 ° 10 -1,10 мм рт„ст, Достигнут предел текучести 200-260 г/мм2, 1 табл. ханических свойств оптического материала. Повышение предела текучести без ухудшения оптических свойств дает возможность широко использовать его как материал для изготовления оптицеских элементов„

Целью изобретения является уве личение предела текучести кристаллов, при сохранении оптических свойств„

Пример„ В платиновый тигель засыпают соль иодистого цезия в количестве 4 кг, добавляют 4 мас.4 бро1 мистого цезия, вакуумируют объем печи до 5 10 мм рт.ст., нагревают г смесь до температуры плавления 621 С при непрерывном вакуумировании, выдерживают расплав 1,5 ч, затем вводят азот до давления 1.10 мм рт„ст.

1 и производят выращивание монокристал1412383 условиях без добавления примеси бромистого цезия, улучшены при этом оптические свойства.

Формула изобретения

Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия, включающий нагрев шихты, содержащей иодистый цезий с добавкой бромистого цезия, до плавления, выдержку и последующий рост кристRJlRQB по методу Киропулоса, о т л и ч а ю ц! и и с я тем, что, с целью увеличения предела текучести кристаллов при сохранении оптических свойств, добавку бромистого цезия берут в количестве 4-5 мас.Ф, нагрев и выдержку расплава в течение 1,01,5 ч ведут при непрерывном вакуумировании ро давления 1 10 " 5 " х 10 мм рт.ст., а рост ведут в атмосфере азота при давлении 1 ° 10

1 1О мм рт.ст.

Время Атмосфера вы- Концентравыдеря- ращивания, ция броки рас- мм рт,ст, мистого плава, цезия в ч шихте, мас. Ф

Предел Коэффициент обътеку- емного поглощечести, ния на длине вол"

r/ìì2 ны работы СО,г лазера, см

Концентрация брома в кристалле, мас.

Пример

Вакуумная обработка шихты мм рт,ст, 1 1 ° 10

Азот 1 ° 10 то же

200

0,73

260

5 1 ° 10

ll

Азот 1 10

0,5

260

1,5

Л! (!

10

5 IO

1 10

1 10

II ((10

11

t!

12

13 Воздух

1-10

125

Воздух

Составитель В,Безбородова

Редактор А.Кондратина Техред М,Моргентал Корректор И.Муска

Заказ 1084 тир ж Подписное

ВИИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКИТ СССР

1 113035, Москва, )(-35, Раушская наб., p., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r, Ужгород, ул. Гагарина, 101 ла известным способом Киропулоса в атмосФере азота.

Аналогично приведенному примеру осуществляли выращивание монокристаллов иодистого цезия с добавлением разли ного количества бромистого цезия и при различных параметрах процесса вырац(ивания, Результаты выращивания в- зависимости от режимов пре- 1р дставлены в таблице.

Как следует из таблицы, только в пределах заявленных параметров (примеры 3, 5, 8 и 10) достигается поставленная цель. Выход за граничные условия не обеспечивает достижения цели, По сравнению с известным предлагаемое техническое решение обеспечива- 2р ет увеличение предела текучести кристаллов иодистого цезия в 1 5-2 раза и на порярок величины по сравнению с иодистым цезием, выращенным в тех же

1,1

1,2

1,6

1,7

1,2

1,2

1,2

1,2

1,2

0,8

4 10

4 10

7 10

3,10

7 ° 10

7 10

1 10

7 1О

8 ° 10

7.10

3 10

7 10

Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава, которые используют в сцинтилляционных счетчиках для регистрации и спектрометрии ионизирующих излучений

Изобретение относится к способам получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов и обеспечивает повышение производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, а также одновременное получение сцинтилляционного элемента для низкофонового спектрометра, содержащего световод

Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам создания лазерноактивных центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах, и может быть использовано при изготовлении оптических элементов лазеров
Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к технологии получения материала лазерного элемента (ЛЭ), и может быть использовано при создании перестраиваемых по частоте квантовых генераторов, квантовых усилителей, пассивных лазерных затворов и других элементов управления лазерным излучением

Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам изготовления оптических элементов лазеров (пассивных модуляторов добротности резонаторов лазеров и активных элементов) на основе щелочно-галоидных кристаллов (ЩКГ) с центрами окраски, и может быть использовано при создании плавно перестраиваемых по частоте оптических квантовых генераторов и усилителей, работающих при комнатной температуре в ближней инфракрасной области спектра

Изобретение относится к способу и устройству для выращивания монокристалла высокого качества

Изобретение относится к устройствам выращивания профилированных монокристаллов из расплавов на затравочном кристалле, например, сапфира, по методам Чохральского, Киропулоса

Изобретение относится к устройствам выращивания крупногабаритных объемных профилированных монокристаллов из расплавов, например, сапфира по методам Чохральского, Киропулоса

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира методом кристаллизации из расплава
Наверх