Способ выращивания кристаллов алюминия

 

Способ выращивания кристаллов алюминия из расплава на затравку, ориентированную по оси <111> в вакууме не ниже 1 10-5 мм рт.ст., отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты кристаллов, выращивание ведут одновременно на затравку, ориентированную по оси <110> и параллельно присоединенную к затравке, ориентированной по оси <111>, со скоростью не более 60 мм/ч.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам обработки стеклообразного селена в процессе его получения или эксплуатации и хранения элементов, изготовленных из него

Изобретение относится к технологии получения профилированных кристаллов вытягиванием из расплава и обеспечивает упрощение затравления и повышение выхода годных кристаллов

Изобретение относится к производству полупроводниковых слитков и пластин, в частности кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов из расплавов по Чохральскому

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов соединений, обладающих высокой упругостью паров над расплавом в условиях роста при нормальном атмосферном давлении методом Чохральского

Изобретение относится к производству акустоэлектронных частотно-избирательных устройств на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано при литье монокристаллических отливок с заданной кристаллографической ориентировкой из жаропрочных сплавов, в частности монокристаллических лопаток газовых двигателей
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано на предприятиях химической и электронной промышленности для выращивания монокристаллов сапфира 1-6 категории качества методом Киропулоса из расплавов на затравочный кристалл

Изобретение относится к технологии получения керамических материалов, в частности монокристаллического сапфира в виде слитков или пластин, которые могут быть использованы при производстве светодиодов

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа

Изобретение относится к материалам квантовой электроники, в частности к технологии выращивания монокристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната (ГСГГ), которые используются для изготовления активных элементов, и позволяет улучшить оптическое и структурное совершенство монокристаллов
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, а именно к получению монокристаллов антимонида индия, которые широко используются в различных фотоприемных устройствах, работающих в ИК-области спектра

Изобретение относится к полупроводниковой и сверхпроводниковой электронике, преимущественно к способам изготовления функциональных устройств на основе фуллеренов
Наверх